TPS7H6003-SP
- 耐放射線特性：
- 吸収線量 (TID) 100krad(Si) までの放射線耐性保証 (RHA)
- シングル イベント ラッチアップ (SEL)、シングル イベント バーンアウト (SEB)、シングル イベント ゲート ラプチャー (SEGR) の最大線エネルギー付与 (LET) に対する耐性 = 75MeV-cm2/mg
- LET = 75MeV-cm2/mg まで、SET (シングル イベント過渡) および SEFI (シングル イベント機能割り込み) 特性を評価済み
- ピーク ソース電流 1.3A、ピーク シンク電流 2.5A
- 2 つの動作モード：
- デッドタイムを調整可能な 1 つの PWM 入力
- 2 つの独立した入力
- 独立入力モードで選択可能な入力インターロック保護
- 分割出力は、ターンオン時間とターンオフ時間を調整可能
- 独立入力モードでの伝搬遅延 30ns (標準値)
- 遅延マッチング：5.5ns (標準値)
TPS7H60x3-SP シリーズの放射線耐性保証 (RHA) 窒化ガリウム (GaN) 電界効果トランジスタ (FET) ゲート ドライバは、高周波数で高効率のアプリケーション向けに設計されています。このシリーズは、TPS7H6003-SP (200V 定格)、TPS7H6013-SP (60V 定格)、TPS7H6023-SP (22V 定格) で構成されています。本ドライバは調整可能なデッド タイム機能、30ns の小さい伝搬遅延、5.5ns のハイサイド / ローサイド マッチングを特長としています。また、これらの部品はハイサイド / ローサイド LDO を内蔵しており、電源電圧にかかわらず 5V の駆動電圧を保証します。TPS7H60x3-SP ドライバには分割ゲート出力があり、出力のターンオンとターンオフの強度を別々に調整可能な柔軟性があります。
TPS7H60x3-SP ドライバには、独立入力モード (IIM) と PWM モードの 2 つの制御入力モードがあります。IIM では、各出力が専用の入力によって制御されます。PWM モードでは、単一の入力から 2 つの補完的な出力信号が生成され、ユーザーは各エッジについてデッド タイムを調整できます。
また、ゲート ドライバは、独立入力モードでユーザーが構成可能な入力インターロックを提供し、アンチシュート スルー保護を実現します。入力インターロックにより、両方の入力が同時にオンになると、両方の出力をオンにすることはできません。ユーザーは独立入力モードでこの保護をイネーブルまたはディセーブルにするオプションを利用できるため、ドライバをさまざまなコンバータ構成で使用できます。このドライバは、ハーフブリッジとデュアル ローサイドの両方のコンバータ アプリケーションでも使用できます。
技術資料
設計と開発
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TPS7H6003EVM-CVAL — TPS7H6003 200V、1.5A と 3A、GaN FET ハーフ ブリッジ ドライバの評価基板
TPS7H6003 評価基板は最大 150V の入力で動作し、EPC2307 パーツを駆動して TPS7H6003-SP の信頼性をテストすることができます。デフォルトでは、この評価基板は TPS7H6003-SP デバイスと組み合わせ、PWM モードで動作するように設定済みです。このモードでは、1 つのスイッチング信号の入力を受け入れ、補完信号を内部生成します。
PMP23200 — 100W, 5V output hard-switched full-bridge converter reference design for 100kRad applications
| パッケージ | ピン数 | CAD シンボル、フットプリント、および 3D モデル |
|---|---|---|
| CFP (HBX) | 48 | Ultra Librarian |
購入と品質
推奨製品には、この TI 製品に関連するパラメータ、評価基板、またはリファレンス デザインが存在する可能性があります。