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UCC27200-Q1

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車載向け 120V、3A ハーフブリッジ ゲート ドライバ (8V UVLO、CMOS 入力)

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製品詳細

Bootstrap supply voltage (max) (V) 120 Power switch MOSFET Input supply voltage (min) (V) 8 Input supply voltage (max) (V) 17 Peak output current (A) 3 Operating temperature range (°C) -40 to 150 Undervoltage lockout (typ) (V) 8 Rating Automotive Propagation delay time (µs) 0.02 Rise time (ns) 8 Fall time (ns) 7 Iq (mA) 0.001 Input threshold CMOS Channel input logic CMOS Switch node voltage (V) -18 Features Integrated bootstrap diode, Negative Voltage Handling on Input TI functional safety category Functional Safety-Capable Driver configuration Noninverting
Bootstrap supply voltage (max) (V) 120 Power switch MOSFET Input supply voltage (min) (V) 8 Input supply voltage (max) (V) 17 Peak output current (A) 3 Operating temperature range (°C) -40 to 150 Undervoltage lockout (typ) (V) 8 Rating Automotive Propagation delay time (µs) 0.02 Rise time (ns) 8 Fall time (ns) 7 Iq (mA) 0.001 Input threshold CMOS Channel input logic CMOS Switch node voltage (V) -18 Features Integrated bootstrap diode, Negative Voltage Handling on Input TI functional safety category Functional Safety-Capable Driver configuration Noninverting
HSOIC (DDA) 8 29.4 mm² (4.9 mm × 6 mm)
  • 車載アプリケーション用に AEC-Q100 認定済み：デバイス温度グレード 1
  • 接合部温度範囲：-40℃～+150℃
  • ハイサイドおよびローサイド構成の 2 つの N チャネル MOSFET を駆動
  • 最大ブート電圧：120V
  • 最大 VDD 電圧：20V
  • オンチップ 0.65V VF、0.65Ω RD ブートストラップ ダイオード
  • 伝搬遅延時間：22ns
  • 3A シンク、3A ソース出力電流
  • 立ち上がり時間 8ns、立ち下がり時間 7ns (1000pF 負荷時)
  • 遅延マッチング：1ns
  • 車載アプリケーション用に AEC-Q100 認定済み：デバイス温度グレード 1
  • 接合部温度範囲：-40℃～+150℃
  • ハイサイドおよびローサイド構成の 2 つの N チャネル MOSFET を駆動
  • 最大ブート電圧：120V
  • 最大 VDD 電圧：20V
  • オンチップ 0.65V VF、0.65Ω RD ブートストラップ ダイオード
  • 伝搬遅延時間：22ns
  • 3A シンク、3A ソース出力電流
  • 立ち上がり時間 8ns、立ち下がり時間 7ns (1000pF 負荷時)
  • 遅延マッチング：1ns

UCC27200-Q1 の高周波 N チャネル MOSFET ドライバは、120V のブートストラップ ダイオードと、それぞれ独立した入力を持つハイサイドおよびローサイド ドライバを搭載し、制御の柔軟性を最大限に高めています。これにより、ハーフブリッジ、フルブリッジ、2 スイッチ フォワード、およびアクティブ クランプ フォワードのコンバータで、N チャネル MOSFET 制御が可能です。ローサイドとハイサイドのゲート ドライバが独立して制御され、それぞれのオン / オフ間に 1ns でマッチングが行われます。

ブートストラップ ダイオードを内蔵しているため、外部にディスクリート ダイオードが不要です。ハイサイド ドライバとローサイド ドライバの両方に低電圧誤動作防止機能が搭載され、駆動電圧が規定のスレッショルド未満の場合は出力が強制的に Low になります。

UCC27200-Q1 は、ノイズ耐性の高い CMOS 入力スレッショルドを備えています。

このデバイスは、8 ピン SO PowerPAD™ (DDA) パッケージで供給されます。

UCC27200-Q1 の高周波 N チャネル MOSFET ドライバは、120V のブートストラップ ダイオードと、それぞれ独立した入力を持つハイサイドおよびローサイド ドライバを搭載し、制御の柔軟性を最大限に高めています。これにより、ハーフブリッジ、フルブリッジ、2 スイッチ フォワード、およびアクティブ クランプ フォワードのコンバータで、N チャネル MOSFET 制御が可能です。ローサイドとハイサイドのゲート ドライバが独立して制御され、それぞれのオン / オフ間に 1ns でマッチングが行われます。

ブートストラップ ダイオードを内蔵しているため、外部にディスクリート ダイオードが不要です。ハイサイド ドライバとローサイド ドライバの両方に低電圧誤動作防止機能が搭載され、駆動電圧が規定のスレッショルド未満の場合は出力が強制的に Low になります。

UCC27200-Q1 は、ノイズ耐性の高い CMOS 入力スレッショルドを備えています。

このデバイスは、8 ピン SO PowerPAD™ (DDA) パッケージで供給されます。
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技術資料

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設計と開発

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評価ボード

UCC27288EVM — UCC27288 100V、3A、8V、UVLO ハーフブリッジ ゲートドライバの評価基板

UCC27288EVM は、2.5A のピークソース電流と 3.5A のピークシンク電流の能力を実現した 100V ハーフ ブリッジ ゲート ドライバである UCC27288D を評価する目的で設計してあります。この EVM は、最大 20V のドライブ電圧に対応する各種パワー MOSFET を駆動するリファレンス デザインの役割を果たします。
ユーザー ガイド: PDF
サポート対象の製品とハードウェア
在庫あり
制限：
??asset.out-of-stock-ti_ja_JP??
入手不可
シミュレーション・モデル

UCC27200 and UCC27200A PSpice Transient Model

SLUM095.ZIP (40 KB) - PSpice モデル
サポート対象の製品とハードウェア
シミュレーション・モデル

UCC27200 and UCC27200A TINA-TI Transient Reference Design

SLUM112.TSC (138 KB) - TINA-TI リファレンス・デザイン
サポート対象の製品とハードウェア
シミュレーション・モデル

UCC27200 and UCC27200A TINA-TI Transient Spice Model

SLUM111.ZIP (9 KB) - TINA-TI Spice モデル
サポート対象の製品とハードウェア
シミュレーション・モデル

UCC27200 and UCC27200A Unencrypted PSpice Transient Model

SLUM523.ZIP (2 KB) - PSpice モデル
サポート対象の製品とハードウェア
計算ツール

SLURB12 — UCC272xx-UCC273xx Schematic Review Template

サポート対象の製品とハードウェア
パッケージ ピン数 CAD シンボル、フットプリント、および 3D モデル
HSOIC (DDA) 8 Ultra Librarian
TI の評価基板に関する標準契約約款が適用されます。

購入と品質

サポートとトレーニング

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