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범용 연산 증폭기

LF356

활성

싱글, 36V, 5MHz, 높은 슬루율(12V/μs), 입력-V+, JFET 입력 연산 증폭기

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TL071H 활성 -40°C에서 125°C까지의 작동을 지원하는 단일, 40V, 5MHz, 4mV 오프셋 전압, 20V/µs, 입력 - V+ 연산 증폭기 Wider temperature range (-40°C to 125°C), lower quiescent current (0.0937 mA), wider voltage range (4.5 V to 40 V), and improved offset voltage drift
TL081H 활성 -40°C에서 125°C까지의 작동을 지원하는 단일, 40V, 5.25MHz, 4mV 오프셋 전압, 20V/µs, 입력-V+ 연산 증폭기 Wider supply range (4.5 V to 40 V), higher GBW (5.25 MHz), faster slew rate (20 V/us), lower offset voltage (4 mV), lower power (0.9375 mA)

LF356

활성
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제품 상세 정보

Number of channels 1 Total supply voltage (+5 V = 5, ±5 V = 10) (max) (V) 36 Total supply voltage (+5 V = 5, ±5 V = 10) (min) (V) 10 Rail-to-rail In to V+ GBW (typ) (MHz) 5 Slew rate (typ) (V/µs) 12 Vos (offset voltage at 25°C) (max) (mV) 10 Iq per channel (typ) (mA) 5 Vn at 1 kHz (typ) (nV√Hz) 12 Rating Catalog Operating temperature range (°C) 0 to 70 Offset drift (typ) (µV/°C) 3 Input bias current (max) (pA) 8000 CMRR (typ) (dB) 100 Iout (typ) (A) 0.025 Architecture FET Input common mode headroom (to negative supply) (typ) (V) 3 Input common mode headroom (to positive supply) (typ) (V) 0.1 Output swing headroom (to negative supply) (typ) (V) 2 Output swing headroom (to positive supply) (typ) (V) -2
Number of channels 1 Total supply voltage (+5 V = 5, ±5 V = 10) (max) (V) 36 Total supply voltage (+5 V = 5, ±5 V = 10) (min) (V) 10 Rail-to-rail In to V+ GBW (typ) (MHz) 5 Slew rate (typ) (V/µs) 12 Vos (offset voltage at 25°C) (max) (mV) 10 Iq per channel (typ) (mA) 5 Vn at 1 kHz (typ) (nV√Hz) 12 Rating Catalog Operating temperature range (°C) 0 to 70 Offset drift (typ) (µV/°C) 3 Input bias current (max) (pA) 8000 CMRR (typ) (dB) 100 Iout (typ) (A) 0.025 Architecture FET Input common mode headroom (to negative supply) (typ) (V) 3 Input common mode headroom (to positive supply) (typ) (V) 0.1 Output swing headroom (to negative supply) (typ) (V) 2 Output swing headroom (to positive supply) (typ) (V) -2
PDIP (P) 8 92.5083 mm² (9.81 mm × 9.43 mm) SOIC (D) 8 29.4 mm² (4.9 mm × 6 mm)
  • Advantages
    • Replace Expensive Hybrid and Module FET
      Op Amps
    • Rugged JFETs Allow Blow-Out Free Handling
      Compared With MOSFET Input Devices
    • Excellent for Low Noise Applications Using
      Either High or Low Source Impedance–Very
      Low 1/f Corner
    • Offset Adjust Does Not Degrade Drift or
      Common-Mode Rejection as in Most
      Monolithic Amplifiers
    • New Output Stage Allows Use of Large
      Capacitive Loads (5,000 pF) Without Stability
      Problems
    • Internal Compensation and Large Differential
      Input Voltage Capability
  • Common Features
    • Low Input Bias Current: 30 pA
    • Low Input Offset Current: 3 pA
    • High Input Impedance: 1012 Ω
    • Low Input Noise Current: 0.01 pA/√Hz
    • High Common-Mode Rejection Ratio: 100 dB
    • Large DC Voltage Gain: 106 dB
  • Uncommon Features
    • Extremely Fast Settling Time to 0.01%:
      • 4 µs for the LFx55 devices
      • 1.5 µs for the LFx56
      • 1.5 µs for the LFx57 (AV = 5)
    • Fast Slew Rate:
      • 5 V/µs for the LFx55
      • 12 V/µs for the LFx56
      • 50 V/µs for the LFx57 (AV = 5)
    • Wide Gain Bandwidth:
      • 2.5 MHz for the LFx55 devices
      • 5 MHz for the LFx56
      • 20 MHz for the LFx57 (AV = 5)
    • Low Input Noise Voltage:
      • 20 nV/√Hz for the LFx55
      • 12 nV/√Hz for the LFx56
      • 12 nV/√Hz for the LFx57 (AV = 5)
  • Advantages
    • Replace Expensive Hybrid and Module FET
      Op Amps
    • Rugged JFETs Allow Blow-Out Free Handling
      Compared With MOSFET Input Devices
    • Excellent for Low Noise Applications Using
      Either High or Low Source Impedance–Very
      Low 1/f Corner
    • Offset Adjust Does Not Degrade Drift or
      Common-Mode Rejection as in Most
      Monolithic Amplifiers
    • New Output Stage Allows Use of Large
      Capacitive Loads (5,000 pF) Without Stability
      Problems
    • Internal Compensation and Large Differential
      Input Voltage Capability
  • Common Features
    • Low Input Bias Current: 30 pA
    • Low Input Offset Current: 3 pA
    • High Input Impedance: 1012 Ω
    • Low Input Noise Current: 0.01 pA/√Hz
    • High Common-Mode Rejection Ratio: 100 dB
    • Large DC Voltage Gain: 106 dB
  • Uncommon Features
    • Extremely Fast Settling Time to 0.01%:
      • 4 µs for the LFx55 devices
      • 1.5 µs for the LFx56
      • 1.5 µs for the LFx57 (AV = 5)
    • Fast Slew Rate:
      • 5 V/µs for the LFx55
      • 12 V/µs for the LFx56
      • 50 V/µs for the LFx57 (AV = 5)
    • Wide Gain Bandwidth:
      • 2.5 MHz for the LFx55 devices
      • 5 MHz for the LFx56
      • 20 MHz for the LFx57 (AV = 5)
    • Low Input Noise Voltage:
      • 20 nV/√Hz for the LFx55
      • 12 nV/√Hz for the LFx56
      • 12 nV/√Hz for the LFx57 (AV = 5)

The LFx5x devices are the first monolithic JFET input operational amplifiers to incorporate well-matched, high-voltage JFETs on the same chip with standard bipolar transistors (BI-FET™ Technology). These amplifiers feature low input bias and offset currents/low offset voltage and offset voltage drift, coupled with offset adjust, which does not degrade drift or common-mode rejection. The devices are also designed for high slew rate, wide bandwidth, extremely fast settling time, low voltage and current noise and a low 1/f noise corner.

The LFx5x devices are the first monolithic JFET input operational amplifiers to incorporate well-matched, high-voltage JFETs on the same chip with standard bipolar transistors (BI-FET™ Technology). These amplifiers feature low input bias and offset currents/low offset voltage and offset voltage drift, coupled with offset adjust, which does not degrade drift or common-mode rejection. The devices are also designed for high slew rate, wide bandwidth, extremely fast settling time, low voltage and current noise and a low 1/f noise corner.
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기술 자료

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상위 문서 유형 직함 형식 옵션 최신 영어 버전 다운로드 날짜
* 데이터 시트 LFx5x JFET Input Operational Amplifiers datasheet (Rev. D) PDF | HTML 2015. 11. 30
e북 The Signal e-book: A compendium of blog posts on op amp design topics PDF | HTML 2017. 3. 28
애플리케이션 노트 AN-272 Op Amp Booster Designs (Rev. B) 2013. 4. 23
애플리케이션 노트 Effect of Heavy Loads on Accuracy and Linearity of Op Amp Circuits (Rev. B) 2013. 4. 22
애플리케이션 노트 AN-263 Sine Wave Generation Techniques (Rev. C) 2013. 4. 22
애플리케이션 노트 Data Acq Using ADC0816 & ADC0817 8-Bit ADC w/On-Chip 16 Chan Multiplexr 2004. 5. 10
애플리케이션 노트 AN-293 Control Applications of CMOS DACs 2004. 5. 10
애플리케이션 노트 AN-447 Protection Schemes for BI-FET Amplifiers and Switches 2004. 5. 2
애플리케이션 노트 AN-253 LH0024 and LH0032 High Speed Op Amp Applications 2004. 5. 2
애플리케이션 노트 AN-275 CMOS D/A Converters Match Most Microprocessors 2004. 5. 2
애플리케이션 노트 Get Fast Stable Response From Improved Unity-Gain Followers 2002. 10. 2

설계 및 개발

추가 조건 또는 필수 리소스는 사용 가능한 경우 아래 제목을 클릭하여 세부 정보 페이지를 확인하세요.

평가 보드

AMP-PDK-EVM — 증폭기 성능 개발 키트 평가 모듈

증폭기 성능 개발 키트(PDK)는 일반적인 연산 증폭기(OP 앰프) 매개 변수를 테스트할 수 있는 평가 모듈(EVM) 키트입니다. 대부분의 연산 증폭기 및 콤퍼레이터와 호환됩니다. EVM 키트는 패키지 요구 사항에 맞는 여러 소켓형 부속 카드 옵션이 있는 메인 보드를 제공하여 엔지니어가 디바이스 성능을 신속하게 평가하고 확인할 수 있습니다.

AMP-PDK-EVM 키트는 다음을 포함해 가장 널리 사용되는 5개의 업계 표준 패키지를 지원합니다.

  • D(SOIC-8 및 SOIC-14)
  • PW(TSSOP-14)
  • DGK(VSSOP-8)
  • (...)
사용 설명서: PDF | HTML
지원되는 제품 및 하드웨어
평가 보드

DIP-ADAPTER-EVM — DIP 어댑터 평가 모듈

소형 표면 실장 IC(집적 회로)와 쉽고 빠르며 경제적인 방식으로 인터페이싱하는 방법을 제공하는 DIP 어댑터 평가 모듈(DIP-ADAPTER-EVM)로 연산 증폭기 프로토타이핑 및 테스트 속도를 높이세요. 제품에 포함된 Samtec 터미널 스트립을 사용하여 지원되는 연산 증폭기를 연결하거나 기존 회로에 직접 연결할 수 있습니다.

DIP 어댑터 EVM 키트는 다음을 포함해 가장 널리 사용되는 6개의 업계 표준 패키지를 지원합니다.

  • D 및 U(SOIC-8)
  • PW(TSSOP-8)
  • DGK(MSOP-8, VSSOP-8)
  • (...)
지원되는 제품 및 하드웨어
재고 있음
제한:
??asset.out-of-stock-ti_ko_KR??
이용할 수 없음
시뮬레이션 모델

LF356 PSPICE Model

SNOM255.ZIP (1 KB) - PSpice 모델
지원되는 제품 및 하드웨어
패키지 핀 CAD 기호, 풋프린트 및 3D 모델
PDIP (P) 8 Ultra Librarian
SOIC (D) 8 Ultra Librarian
TI의 평가 항목에 대한 표준 약관이 적용됩니다.

주문 및 품질

지원 및 교육

TI 엔지니어의 기술 지원을 받을 수 있는 TI E2E™ 포럼

포럼 주제 모두 보기(영문)

콘텐츠는 TI 및 커뮤니티 기고자에 의해 "있는 그대로" 제공되며 TI의 사양으로 간주되지 않습니다. 사용 약관을 참조하십시오.

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