계산 툴
LM5107
- Drives Both a High Side and Low Side N-Channel MOSFET
- High Peak Output Current (1.4-A Sink / 1.3-A Source)
- Independent TTL Compatible Inputs
- Integrated Bootstrap Diode
- Bootstrap Supply Voltage to 118 V DC
- Fast Propagation Times (27-ns Typical)
- Drives 1000 pF Load With 15-ns Rise and Fall Times
- Excellent Propagation Delay Matching (2-ns Typical)
- Supply Rail Undervoltage Lockout
- Low Power Consumption
- Pin Compatible With ISL6700
- Packages:
- SOIC
- WSON (4 mm × 4 mm)
The LM5107 is a low cost high voltage gate driver, designed to drive both the high side and the low side N-Channel MOSFETs in a synchronous buck or a half bridge configuration. The floating high-side driver is capable of working with rail voltages up to 100-V. The outputs are independently controlled with TTL compatible input thresholds. An integrated on chip high voltage diode is provided to charge the high side gate drive bootstrap capacitor. A robust level shifter technology operates at high speed while consuming low power and providing clean level transitions from the control input logic to the high side gate driver. Undervoltage lockout is provided on both the low side and the high side power rails. The device is available in the SOIC and the thermally enhanced WSON packages.
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기술 문서
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모두 보기4 | 유형 | 직함 | 날짜 | ||
|---|---|---|---|---|
| * | Data sheet | LM5107 100V / 1.4-A Peak Half Bridge Gate Driver datasheet (Rev. F) | PDF | HTML | 2016/09/22 |
| Application brief | External Gate Resistor Selection Guide (Rev. A) | 2020/02/28 | ||
| Application brief | Understanding Peak IOH and IOL Currents (Rev. A) | 2020/02/28 | ||
| More literature | Fundamentals of MOSFET and IGBT Gate Driver Circuits (Replaces SLUP169) (Rev. A) | 2018/10/29 |
설계 및 개발
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| 패키지 | 핀 | 다운로드 |
|---|---|---|
| SOIC (D) | 8 | 옵션 보기 |
| WSON (NGT) | 8 | 옵션 보기 |
주문 및 품질
포함된 정보:
- RoHS
- REACH
- 디바이스 마킹
- 납 마감/볼 재질
- MSL 등급/피크 리플로우
- MTBF/FIT 예측
- 물질 성분
- 인증 요약
- 지속적인 신뢰성 모니터링
포함된 정보:
- 팹 위치
- 조립 위치
권장 제품에는 본 TI 제품과 관련된 매개 변수, 평가 모듈 또는 레퍼런스 디자인이 있을 수 있습니다.