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LMG2652

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일체형 드라이버, 보호 및 전류 감지 기능이 있는 650V 140mΩ GaN 하프 브리지

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LMG2652

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제품 상세 정보

VDS (max) (V) 650 RDS(on) (mΩ) 140 ID (max) (A) 6.1 Features Bottom-side cooled, Built-in bootstrap diode, Cycle-by-cycle overcurrent protection, Half-bridge, Integrated current sense, Overtemperature protection Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 125
VDS (max) (V) 650 RDS(on) (mΩ) 140 ID (max) (A) 6.1 Features Bottom-side cooled, Built-in bootstrap diode, Cycle-by-cycle overcurrent protection, Half-bridge, Integrated current sense, Overtemperature protection Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 125
VQFN (RFB) 19 48 mm² 8 x 6
  • 650V GaN power-FET half bridge
  • 140mΩ low-side and high-side GaN FETs
  • Integrated gate drivers with <100ns low propagation delays
  • Current-sense emulation with high-bandwidth and high accuracy
  • Low-side referenced (INH) and high-side referenced (GDH) high-side gate drive pins
  • Low-side (INL) / high-side (INH) gate-drive interlock
  • High-side (INH) gate-drive signal level shifter
  • Smart-switched bootstrap diode function
  • High-side start up: <8µs
  • Low-side / high-side cycle-by-cycle overcurrent protection
  • Overtemperature protection
  • AUX idle quiescent current: 250µA
  • AUX standby quiescent current: 50µA
  • BST idle quiescent current: 70µA
  • 8mm × 6mm QFN package with dual thermal pads
  • 650V GaN power-FET half bridge
  • 140mΩ low-side and high-side GaN FETs
  • Integrated gate drivers with <100ns low propagation delays
  • Current-sense emulation with high-bandwidth and high accuracy
  • Low-side referenced (INH) and high-side referenced (GDH) high-side gate drive pins
  • Low-side (INL) / high-side (INH) gate-drive interlock
  • High-side (INH) gate-drive signal level shifter
  • Smart-switched bootstrap diode function
  • High-side start up: <8µs
  • Low-side / high-side cycle-by-cycle overcurrent protection
  • Overtemperature protection
  • AUX idle quiescent current: 250µA
  • AUX standby quiescent current: 50µA
  • BST idle quiescent current: 70µA
  • 8mm × 6mm QFN package with dual thermal pads

The LMG2652 is a 650V 140mΩ GaN power-FET half bridge. The LMG2652 simplifies design, reduces component count, and reduces board space by integrating half-bridge power FETs, gate drivers, bootstrap diode, and high-side gate-drive level shifter in a 6mm by 8mm QFN package.

The low-side current-sense emulation reduces power dissipation compared to the traditional current-sense resistor and allows the low-side thermal pad to be connected to the cooling PCB power ground.

The high-side GaN power FET can be controlled with either the low-side referenced gate-drive pin (INH) or the high-side referenced gate-drive pin (GDH). The high-side gate-drive signal level shifter reliably transmits the INH pin signal to the high-side gate driver in challenging power switching environments. The smart-switched GaN bootstrap FET has no diode forward-voltage drop, avoids overcharging the high-side supply, and has zero reverse-recovery charge.

The LMG2652 supports converter light-load efficiency requirements and burst-mode operation with low quiescent currents and fast start-up times. Protection features include FET turn-on interlock, under-voltage lockout (UVLO), cycle-by-cycle current limit, and over-temperature shut down.

The LMG2652 is a 650V 140mΩ GaN power-FET half bridge. The LMG2652 simplifies design, reduces component count, and reduces board space by integrating half-bridge power FETs, gate drivers, bootstrap diode, and high-side gate-drive level shifter in a 6mm by 8mm QFN package.

The low-side current-sense emulation reduces power dissipation compared to the traditional current-sense resistor and allows the low-side thermal pad to be connected to the cooling PCB power ground.

The high-side GaN power FET can be controlled with either the low-side referenced gate-drive pin (INH) or the high-side referenced gate-drive pin (GDH). The high-side gate-drive signal level shifter reliably transmits the INH pin signal to the high-side gate driver in challenging power switching environments. The smart-switched GaN bootstrap FET has no diode forward-voltage drop, avoids overcharging the high-side supply, and has zero reverse-recovery charge.

The LMG2652 supports converter light-load efficiency requirements and burst-mode operation with low quiescent currents and fast start-up times. Protection features include FET turn-on interlock, under-voltage lockout (UVLO), cycle-by-cycle current limit, and over-temperature shut down.
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* Data sheet LMG2652 650V 140 mΩ GaN Half Bridge With Integrated Driver and Current Sense Emulation datasheet PDF | HTML 2025/01/31

설계 및 개발

추가 조건 또는 필수 리소스는 사용 가능한 경우 아래 제목을 클릭하여 세부 정보 페이지를 확인하세요.

도터 카드

LMG2652EVM-101 — LMG2652 도터 카드

LMG2652 부속 카드는 모든 하프 브리지 토폴로지에서 TI의 통합 GaN 장치를 평가할 수 있는 빠르고 쉬운 플랫폼을 제공하도록 설계되었습니다. 보드는 소켓 스타일 외부 연결부의 보드 하단 가장자리에 있는 6개의 전원 핀 및 12개의 디지털 핀을 사용하여 더 큰 시스템과 인터페이스하도록 설계되었습니다. 전원 핀은 고전압 DC 버스, 스위치 노드 및 전원 접지로 구성된 메인 스위칭 루프를 형성합니다. 디지털 핀은 PWM 게이트 입력을 통해 LMG2652 장치를 제어하고, 저전압 공급 장치와 보조 전원을 제공하고, 오류를 디지털 (...)

사용 설명서: PDF | HTML
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시뮬레이션 모델

LMG2652 SIMPLIS Model

SNOM814.ZIP (69 KB) - SIMPLIS Model
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계산 툴

LMGXX-GAN-LLC-CALC — GaN LLC resonant converter device loss calculator

Device Loss Calculator can be used to evaluate different devices for different topologies of the LLC Resonant Converter
지원되는 제품 및 하드웨어

지원되는 제품 및 하드웨어

제품
질화 갈륨(GaN) 전력계
  • LMG2100R026 — 100V 2.6mΩ 하프 브리지 질화 갈륨(GaN) 전력계
  • LMG2100R044 — 100V 4.4mΩ 하프 브리지 GaN FET와 통합 드라이버 및 보호
  • LMG2610 — 통합 드라이버, 보호 및 전류 감지 기능이 있는 ACF용 650V 170/248mΩ GaN 하프 브리지
  • LMG2640 — 일체형 드라이버, 보호 및 전류 감지 기능이 있는 650V 105mΩ GaN 하프 브리지
  • LMG2650 — 일체형 드라이버, 보호 및 전류 감지 기능이 있는 650V 95mΩ GaN 하프 브리지
  • LMG2652 — 일체형 드라이버, 보호 및 전류 감지 기능이 있는 650V 140mΩ GaN 하프 브리지
  • LMG2656 — 일체형 드라이버, 보호 및 전류 감지 기능이 있는 650V 230mΩ GaN 하프 브리지
  • LMG3410R050 — 600V 50mΩ GaN과 통합 드라이버 및 보호
  • LMG3410R070 — 600V 70mΩ GaN과 통합 드라이버 및 보호
  • LMG3410R150 — 600V 150mΩ GaN과 통합 드라이버 및 과전류 보호
  • LMG3411R050 — 600V 50mΩ GaN과 통합 드라이버 및 사이클 단위 과전류 보호
  • LMG3411R070 — 600V 70mΩ GaN과 통합 드라이버 및 사이클 단위 과전류 보호
  • LMG3411R150 — 600V 150mΩ GaN과 통합 드라이버 및 사이클별 과전류 보호
  • LMG3422R030 — 통합 드라이버, 보호 및 온도 보고 기능이 있는 600V 30mΩ GaN FET
  • LMG3422R050 — 통합 드라이버, 보호 및 온도 보고 기능이 있는 600V 50mΩ GaN FET
  • LMG3425R030 — 통합 드라이버, 보호, 온도 보고, 이상적인 다이오드 모드 기능이 있는 600V 30mΩ GaN FET
  • LMG3425R050 — 통합 드라이버, 보호, 온도 보고, 이상적인 다이오드 모드 기능이 있는 600V 50mΩ GaN FET
  • LMG3426R030 — 일체형 드라이버, 보호 및 제로 전압 감지를 지원하는 600V 30mΩ GaN FET
  • LMG3426R050 — 일체형 드라이버, 보호 및 제로 전압 감지를 지원하는 600V 50mΩ GaN FET
  • LMG3427R030 — 일체형 드라이버, 보호 및 제로 전류 감지를 지원하는 600V 30mΩ GaN FET
  • LMG3427R050 — 일체형 드라이버, 보호 및 제로 전류 감지를 지원하는 600V 50mΩ GaN FET
  • LMG3522R030 — 통합 드라이버, 보호 및 온도 보고 기능이 있는 650V 30mΩ GaN FET
  • LMG3522R030-Q1 — 통합 드라이버, 보호 및 온도 보고 기능이 있는 오토모티브 650V 30mΩ GaN FET
  • LMG3522R050 — 통합 드라이버, 보호 및 온도 보고 기능이 있는 650V 50mΩ GaN FET
  • LMG3526R030 — 일체형 드라이버, 보호 및 제로 전압 감지 기능이 있는 650V 30mΩ GaN FET
  • LMG3526R050 — 일체형 드라이버, 보호 및 제로 전압 감지 보고 기능이 있는 650V 50mΩ GaN FET
  • LMG3527R030 — 일체형 드라이버, 보호 및 제로 전류 감지를 지원하는 650V 30mΩ GaN FET
  • LMG5200 — 80V GaN 하프 브리지 전력계
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패키지 핀 CAD 기호, 풋프린트 및 3D 모델
VQFN (RFB) 19 Ultra Librarian
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주문 및 품질

포함된 정보:
  • RoHS
  • REACH
  • 디바이스 마킹
  • 납 마감/볼 재질
  • MSL 등급/피크 리플로우
  • MTBF/FIT 예측
  • 물질 성분
  • 인증 요약
  • 지속적인 신뢰성 모니터링
포함된 정보:
  • 팹 위치
  • 조립 위치

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지원 및 교육

TI 엔지니어의 기술 지원을 받을 수 있는 TI E2E™ 포럼

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