LMG2100R026
- Integrated half-bridge GaN FETs and driver
- 93V continuous, 100V pulsed voltage rating
- Package optimized for easy PCB layout
- High slew rate switching with low ringing
- 5V external bias power supply
- Supports 3.3V and 5V input logic levels
- Gate driver capable of up to 10MHz switching
- Excellent propagation delay (33ns typical) and matching (2ns typical)
- Internal bootstrap supply voltage clamping to prevent GaN FET overdrive
- Supply rail undervoltage for lockout protection
- Low power consumption
- Exposed top QFN package for top-side cooling
- Large GND pad for bottom-side cooling
The LMG2100R026 device is a 93V continuous, 100V pulsed, 53A half-bridge power stage, with integrated gate-driver and enhancement-mode Gallium Nitride (GaN) FETs. The device consists of two GaN FETs driven by one high-frequency GaN FET driver in a half-bridge configuration.
GaN FETs provide significant advantages for power conversion as they have zero reverse recovery and very small input capacitance CISS and output capacitance COSS. The driver and the two GaN FETs are mounted on a completely bond-wire free package platform with minimized package parasitic elements. The LMG2100R026 device is available in a 7.0mm × 4.5mm × 0.89mm lead-free package and can be easily mounted on PCBs.
The TTL logic compatible inputs can support 3.3V and 5V logic levels regardless of the VCC voltage. The proprietary bootstrap voltage clamping technique ensures the gate voltages of the enhancement mode GaN FETs are within a safe operating range.
The device extends advantages of discrete GaN FETs by offering a more user-friendly interface. It is an ideal solution for applications requiring high-frequency, high-efficiency operation in a small form factor.
기술 자료
| 상위 문서 | 유형 | 직함 | 형식 옵션 | 최신 영어 버전 다운로드 | 날짜 |
|---|---|---|---|---|---|
| * | 데이터 시트 | LMG2100R026 100V, 53A GaN Half-Bridge Power Stage datasheet (Rev. A) | PDF | HTML | 2025. 3. 31 | |
| Application brief | 휴머노이드 로봇의 GaN FET 애플리케이션 | PDF | HTML | Download English Version | 2025. 2. 5 |
설계 및 개발
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BOOSTXL-LMG2100-MD — LMG2100 부스트 평가 모듈
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LMGXX-GAN-LLC-CALC — GaN LLC resonant converter device loss calculator
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이 레퍼런스 디자인은 최대 80V 입력 전압 및 80V의 출력 전압을 지원하고 최대 18A의 출력과 입력 전류를 제공하는 태양광 전력 옵티마이저입니다. 이 설계는 구성 가능한 4스위치 벅-부스트 컨버터를 사용하여 패널 전류를 스트링 전류로 스텝 업 또는 스텝 다운합니다. 바이패스 회로는 스마트 다이오드 컨트롤러 기반 설계를 사용합니다.
이 레퍼런스 디자인PLC(전력선 통신)를 포함하고 있으며 무선 통신도 지원합니다. 디지털 제어와 통신은 모두 단일 C2000™ MCU(마이크로컨트롤러)에서 구현됩니다.
TIDA-010954 — 600W, GaN 기반 단상 사이클로컨버터 레퍼런스 설계
| 패키지 | 핀 | CAD 기호, 풋프린트 및 3D 모델 |
|---|---|---|
| VQFN-FCRLF (VBN) | 18 | Ultra Librarian |
주문 및 품질
권장 제품에는 본 TI 제품과 관련된 매개 변수, 평가 모듈 또는 레퍼런스 디자인이 있을 수 있습니다.