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질화 갈륨(GaN) 전력계
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LMG2100R026

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100V 2.6mΩ 하프 브리지 질화 갈륨(GaN) 전력계

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LMG2100R026

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제품 상세 정보

VDS (max) (V) 100 RDS(on) (mΩ) 2.6 ID (max) (A) 55 Features Built-in bootstrap diode, Half-bridge, Top-side cooled Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 125
VDS (max) (V) 100 RDS(on) (mΩ) 2.6 ID (max) (A) 55 Features Built-in bootstrap diode, Half-bridge, Top-side cooled Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 125
UNKNOWN (VBN) 16 See data sheet VQFN-FCRLF (VBN) 18 31.5 mm² 7 x 4.5
  • Integrated half-bridge GaN FETs and driver
  • 93V continuous, 100V pulsed voltage rating
  • Package optimized for easy PCB layout
  • High slew rate switching with low ringing
  • 5V external bias power supply
  • Supports 3.3V and 5V input logic levels
  • Gate driver capable of up to 10MHz switching
  • Excellent propagation delay (33ns typical) and matching (2ns typical)
  • Internal bootstrap supply voltage clamping to prevent GaN FET overdrive
  • Supply rail undervoltage for lockout protection
  • Low power consumption
  • Exposed top QFN package for top-side cooling
  • Large GND pad for bottom-side cooling
  • Integrated half-bridge GaN FETs and driver
  • 93V continuous, 100V pulsed voltage rating
  • Package optimized for easy PCB layout
  • High slew rate switching with low ringing
  • 5V external bias power supply
  • Supports 3.3V and 5V input logic levels
  • Gate driver capable of up to 10MHz switching
  • Excellent propagation delay (33ns typical) and matching (2ns typical)
  • Internal bootstrap supply voltage clamping to prevent GaN FET overdrive
  • Supply rail undervoltage for lockout protection
  • Low power consumption
  • Exposed top QFN package for top-side cooling
  • Large GND pad for bottom-side cooling

The LMG2100R026 device is a 93V continuous, 100V pulsed, 53A half-bridge power stage, with integrated gate-driver and enhancement-mode Gallium Nitride (GaN) FETs. The device consists of two GaN FETs driven by one high-frequency GaN FET driver in a half-bridge configuration.

GaN FETs provide significant advantages for power conversion as they have zero reverse recovery and very small input capacitance CISS and output capacitance COSS. The driver and the two GaN FETs are mounted on a completely bond-wire free package platform with minimized package parasitic elements. The LMG2100R026 device is available in a 7.0mm × 4.5mm × 0.89mm lead-free package and can be easily mounted on PCBs.

The TTL logic compatible inputs can support 3.3V and 5V logic levels regardless of the VCC voltage. The proprietary bootstrap voltage clamping technique ensures the gate voltages of the enhancement mode GaN FETs are within a safe operating range.

The device extends advantages of discrete GaN FETs by offering a more user-friendly interface. It is an ideal solution for applications requiring high-frequency, high-efficiency operation in a small form factor.

The LMG2100R026 device is a 93V continuous, 100V pulsed, 53A half-bridge power stage, with integrated gate-driver and enhancement-mode Gallium Nitride (GaN) FETs. The device consists of two GaN FETs driven by one high-frequency GaN FET driver in a half-bridge configuration.

GaN FETs provide significant advantages for power conversion as they have zero reverse recovery and very small input capacitance CISS and output capacitance COSS. The driver and the two GaN FETs are mounted on a completely bond-wire free package platform with minimized package parasitic elements. The LMG2100R026 device is available in a 7.0mm × 4.5mm × 0.89mm lead-free package and can be easily mounted on PCBs.

The TTL logic compatible inputs can support 3.3V and 5V logic levels regardless of the VCC voltage. The proprietary bootstrap voltage clamping technique ensures the gate voltages of the enhancement mode GaN FETs are within a safe operating range.

The device extends advantages of discrete GaN FETs by offering a more user-friendly interface. It is an ideal solution for applications requiring high-frequency, high-efficiency operation in a small form factor.

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유형 직함 날짜
* Data sheet LMG2100R026 100V, 53A GaN Half-Bridge Power Stage datasheet (Rev. A) PDF | HTML 2025/03/31
Application brief 휴머노이드 로봇의 GaN FET 애플리케이션 PDF | HTML 2025/02/05
EVM User's guide LMG2100R026 Evaluation Module Users Guide PDF | HTML 2024/08/06

설계 및 개발

추가 조건 또는 필수 리소스는 사용 가능한 경우 아래 제목을 클릭하여 세부 정보 페이지를 확인하세요.

평가 보드

BOOSTXL-LMG2100-MD — LMG2100 부스트 평가 모듈

BOOSTXL-LMG2100-MD 평가 모듈(EVM)은 서보 드라이브와 같은 정밀 드라이브의 정확한 제어를 위한 정밀 인라인 션트 기반 위상 전류 센싱 기능을 갖춘 GaN 인버터를 구현합니다. 이 EVM은 손쉬운 성능 평가를 위해 C2000™ MCU LaunchPad™ 개발 키트에 연결할 수 있는 TI BoosterPack™ 호환 인터페이스를 제공합니다.
사용 설명서: PDF | HTML
TI.com에서 구매 불가
평가 보드

LMG2100EVM-097 — LMG2100R026 평가 모듈

LMG2100EVM-097은 외부 PWM 신호가 포함된 사용하기 쉬운 소형 전력계입니다. 이 보드는 하프 브리지를 사용하여 벅 컨버터, 부스트 컨버터 또는 기타 컨버터 토폴로지로 구성할 수 있습니다. 평가 모듈은 90V GaN FET 하프 브리지 게이트 드라이버로 구동되는 100V 2.6mΩ GaN FET 2개가 포함된 LMG2100R026 하프 브리지 전원 모듈을 제공합니다.
사용 설명서: PDF | HTML
TI.com에서 구매 불가
계산 툴

LMGXX-GAN-LLC-CALC — GaN LLC resonant converter device loss calculator

Device Loss Calculator can be used to evaluate different devices for different topologies of the LLC Resonant Converter
지원되는 제품 및 하드웨어

지원되는 제품 및 하드웨어

제품
질화 갈륨(GaN) 전력계
LMG2100R026 — 100V 2.6mΩ 하프 브리지 질화 갈륨(GaN) 전력계 LMG2100R044 — 100V 4.4mΩ 하프 브리지 GaN FET와 통합 드라이버 및 보호 LMG2610 — 통합 드라이버, 보호 및 전류 감지 기능이 있는 ACF용 650V 170/248mΩ GaN 하프 브리지 LMG2640 — 일체형 드라이버, 보호 및 전류 감지 기능이 있는 650V 105mΩ GaN 하프 브리지 LMG2650 — 일체형 드라이버, 보호 및 전류 감지 기능이 있는 650V 95mΩ GaN 하프 브리지 LMG2652 — 일체형 드라이버, 보호 및 전류 감지 기능이 있는 650V 140mΩ GaN 하프 브리지 LMG2656 — 일체형 드라이버, 보호 및 전류 감지 기능이 있는 650V 230mΩ GaN 하프 브리지 LMG3410R050 — 600V 50mΩ GaN과 통합 드라이버 및 보호 LMG3410R070 — 600V 70mΩ GaN과 통합 드라이버 및 보호 LMG3410R150 — 600V 150mΩ GaN과 통합 드라이버 및 과전류 보호 LMG3411R050 — 600V 50mΩ GaN과 통합 드라이버 및 사이클 단위 과전류 보호 LMG3411R070 — 600V 70mΩ GaN과 통합 드라이버 및 사이클 단위 과전류 보호 LMG3411R150 — 600V 150mΩ GaN과 통합 드라이버 및 사이클별 과전류 보호 LMG3422R030 — 통합 드라이버, 보호 및 온도 보고 기능이 있는 600V 50mΩ GaN FET LMG3422R050 — 통합 드라이버, 보호 및 온도 보고 기능이 있는 600V 50mΩ GaN FET LMG3425R030 — 통합 드라이버, 보호, 온도 보고, 이상적인 다이오드 모드 기능이 있는 600V 30mΩ GaN FET LMG3425R050 — 통합 드라이버, 보호, 온도 보고, 이상적인 다이오드 모드 기능이 있는 600V 50mΩ GaN FET LMG3426R030 — 일체형 드라이버, 보호 및 제로 전압 감지를 지원하는 600V 30mΩ GaN FET LMG3426R050 — 일체형 드라이버, 보호 및 제로 전압 감지를 지원하는 600V 50mΩ GaN FET LMG3427R030 — 일체형 드라이버, 보호 및 제로 전류 감지를 지원하는 600V 30mΩ GaN FET LMG3427R050 — 일체형 드라이버, 보호 및 제로 전류 감지를 지원하는 600V 50mΩ GaN FET LMG3522R030 — 통합 드라이버, 보호 및 온도 보고 기능이 있는 650V 30mΩ GaN FET LMG3522R030-Q1 — 통합 드라이버, 보호 및 온도 보고 기능이 있는 오토모티브 650V 30mΩ GaN FET LMG3522R050 — 통합 드라이버, 보호 및 온도 보고 기능이 있는 650V 50mΩ GaN FET LMG3526R030 — 일체형 드라이버, 보호 및 제로 전압 감지 기능이 있는 650V 30mΩ GaN FET LMG3526R050 — 일체형 드라이버, 보호 및 제로 전압 감지 보고 기능이 있는 650V 50mΩ GaN FET LMG3527R030 — 일체형 드라이버, 보호 및 제로 전류 감지를 지원하는 650V 30mΩ GaN FET LMG5200 — 80V GaN 하프 브리지 전력계
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레퍼런스 디자인

PMP23591 — GaN 스위치를 지원하는 20VIN~60VIN, 600W, 차량용 2상 벅 컨버터 레퍼런스 설계

이 레퍼런스 설계는 정격 48V 입력에서 조정된 12V 출력을 생성합니다. 이 설계는 최대 50A의 최대 전류와 위상당 25A의 최대 전류를 처리할 수 있습니다. LM5137F-Q1 컨트롤러는 통합형 게이트 드라이버를 사용하여 LMG2100R026 하프 브리지 GaN(질화 갈륨) FET(전계 효과 트랜지스터)에 스위칭 신호를 제공합니다.
Test report: PDF
레퍼런스 디자인

TIDA-010954 — 600W, GaN 기반 단상 사이클로컨버터 레퍼런스 설계

이 레퍼런스 설계는 사이클로컨버터(AC-DAB) 토폴로지 및 TI GaN 전력 단계를 기반으로 600W 양방향 단일 단계 DC-AC 인버터를 구현합니다. 이 설계는 DC 측에서 최대 60V 및 ± 16A를 지원하고 단상에서 230VAC 및 2.6A를 지원합니다. 이 인버터는 양방향 전력 흐름을 지원하며, 태양광 마이크로 인버터 또는 BESS(배터리 에너지 저장 시스템)과 같은 다양한 애플리케이션에 사용할 수 있습니다.
Design guide: PDF
레퍼런스 디자인

PMP31306 — 클래스 H 오디오 애플리케이션용 GaN 기반 이중 위상 부스트 컨버터 레퍼런스 설계

이 설계는 LMG2100R026 GaN(질화 갈륨) 하프 브리지를 사용하고 아날로그 또는 디지털 출력 전압 추적을 제공하는 클래스 H 오디오 애플리케이션용 이중 위상 차량용 부스트 컨버터입니다. 출력 전력은 11V 입력 전압에서 1,000W입니다(12V에서 피크 1,250W). 컨버터 영역의 크기는 47mm × 48mm이며, 여기에는 역방향 극성 보호 및 벌크 입력 커패시턴스가 포함되지 않습니다. 이 설계는 LM5125-Q1을 기반으로 합니다. 진단 및 제어를 위한 추가 I²C를 제공하는 핀 호환 LM51251-Q1 변형도 이 (...)
Test report: PDF
레퍼런스 디자인

TIDA-010949 — 유선 및 무선 통신을 지원하는 GaN 기반의 600W 태양광 전력 옵티마이저 레퍼런스 디자인

이 레퍼런스 디자인은 최대 80V 입력 전압 및 80V의 출력 전압을 지원하고 최대 18A의 출력과 입력 전류를 제공하는 태양광 전력 옵티마이저입니다. 이 설계는 구성 가능한 4스위치 벅-부스트 컨버터를 사용하여 패널 전류를 스트링 전류로 스텝 업 또는 스텝 다운합니다. 바이패스 회로는 스마트 다이오드 컨트롤러 기반 설계를 사용합니다.

이 레퍼런스 디자인PLC(전력선 통신)를 포함하고 있으며 무선 통신도 지원합니다. 디지털 제어와 통신은 모두 단일 C2000™ MCU(마이크로컨트롤러)에서 구현됩니다.

Design guide: PDF
패키지 핀 CAD 기호, 풋프린트 및 3D 모델
UNKNOWN (VBN) 16 Ultra Librarian
VQFN-FCRLF (VBN) 18 Ultra Librarian
TI의 평가 항목에 대한 표준 약관이 적용됩니다.

주문 및 품질

포함된 정보:
  • RoHS
  • REACH
  • 디바이스 마킹
  • 납 마감/볼 재질
  • MSL 등급/피크 리플로우
  • MTBF/FIT 예측
  • 물질 성분
  • 인증 요약
  • 지속적인 신뢰성 모니터링
포함된 정보:
  • 팹 위치
  • 조립 위치

지원 및 교육

TI 엔지니어의 기술 지원을 받을 수 있는 TI E2E™ 포럼

포럼 주제 모두 보기(영문)

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