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질화 갈륨(GaN) 전력계
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LMG2100R044

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100V 4.4mΩ 하프 브리지 GaN FET와 통합 드라이버 및 보호

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LMG2100R044

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제품 상세 정보

VDS (max) (V) 100 RDS(on) (mΩ) 4.4 ID (max) (A) 35 Features Built-in bootstrap diode, Half-bridge, Top-side cooled
VDS (max) (V) 100 RDS(on) (mΩ) 4.4 ID (max) (A) 35 Features Built-in bootstrap diode, Half-bridge, Top-side cooled
WQFN-FCRLF (RAR) 16 See data sheet
  • Integrated 4.4mΩ half-bridge GaN FETs and driver
  • 90V continuous, 100V pulsed voltage rating
  • Package optimized for easy PCB layout
  • High slew rate switching with low ringing
  • 5V external bias power supply
  • Supports 3.3V and 5V input logic levels
  • Gate driver capable of up to 10MHz switching
  • Excellent propagation delay (33ns typical) and matching (2ns typical)
  • Internal bootstrap supply voltage clamping to prevent GaN FET Overdrive
  • Supply rail undervoltage for lockout protection
  • Low power consumption
  • Exposed top QFN package for top-side cooling
  • Large GND pad for bottom-side cooling
  • Integrated 4.4mΩ half-bridge GaN FETs and driver
  • 90V continuous, 100V pulsed voltage rating
  • Package optimized for easy PCB layout
  • High slew rate switching with low ringing
  • 5V external bias power supply
  • Supports 3.3V and 5V input logic levels
  • Gate driver capable of up to 10MHz switching
  • Excellent propagation delay (33ns typical) and matching (2ns typical)
  • Internal bootstrap supply voltage clamping to prevent GaN FET Overdrive
  • Supply rail undervoltage for lockout protection
  • Low power consumption
  • Exposed top QFN package for top-side cooling
  • Large GND pad for bottom-side cooling

The LMG2100R044 device is a 90V continuous, 100V pulsed, 35A half-bridge power stage, with integrated gate-driver and enhancement-mode Gallium Nitride (GaN) FETs. The device consists of two 100V GaN FETs driven by one high-frequency 90V GaN FET driver in a half-bridge configuration.

GaN FETs provide significant advantages for power conversion as they have zero reverse recovery and very small input capacitance CISS and output capacitance COSS. All the devices are mounted on a completely bond-wire free package platform with minimized package parasitic elements. The LMG2100R044 device is available in a 5.5mm × 4.5mm × 0.89mm lead-free package and can be easily mounted on PCBs.

The TTL logic compatible inputs can support 3.3V and 5V logic levels regardless of the VCC voltage. The proprietary bootstrap voltage clamping technique ensures the gate voltages of the enhancement mode GaN FETs are within a safe operating range.

The device extends advantages of discrete GaN FETs by offering a more user-friendly interface. It is an ideal solution for applications requiring high-frequency, high-efficiency operation in a small form factor.

The LMG2100R044 device is a 90V continuous, 100V pulsed, 35A half-bridge power stage, with integrated gate-driver and enhancement-mode Gallium Nitride (GaN) FETs. The device consists of two 100V GaN FETs driven by one high-frequency 90V GaN FET driver in a half-bridge configuration.

GaN FETs provide significant advantages for power conversion as they have zero reverse recovery and very small input capacitance CISS and output capacitance COSS. All the devices are mounted on a completely bond-wire free package platform with minimized package parasitic elements. The LMG2100R044 device is available in a 5.5mm × 4.5mm × 0.89mm lead-free package and can be easily mounted on PCBs.

The TTL logic compatible inputs can support 3.3V and 5V logic levels regardless of the VCC voltage. The proprietary bootstrap voltage clamping technique ensures the gate voltages of the enhancement mode GaN FETs are within a safe operating range.

The device extends advantages of discrete GaN FETs by offering a more user-friendly interface. It is an ideal solution for applications requiring high-frequency, high-efficiency operation in a small form factor.

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* Data sheet LMG2100R044 100V, 35A GaN Half-Bridge Power Stage datasheet (Rev. B) PDF | HTML 2024/03/15
Technical article GaN이 전자 설계를 혁신하는 4가지 중전압 애플리케이션 PDF | HTML 2024/02/20

설계 및 개발

추가 조건 또는 필수 리소스는 사용 가능한 경우 아래 제목을 클릭하여 세부 정보 페이지를 확인하세요.

평가 보드

LMG2100EVM-078 — LMG2100 평가 모듈

LMG2100 평가 모듈(EVM)은 하프 브리지를 사용하여 벅 컨버터, 부스트 컨버터 또는 기타 컨버터 토폴로지로 구성할 수 있는 작고 사용이 편리한 전력계입니다. EVM에는 100V 4.4mΩ GaN FET 2개가 포함된 LMG2100 하프 브리지 전원 모듈이 포함되어 있습니다.
사용 설명서: PDF | HTML
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계산 툴

LMGXX-GAN-LLC-CALC — GaN LLC resonant converter device loss calculator

Device Loss Calculator can be used to evaluate different devices for different topologies of the LLC Resonant Converter
lock = 수출 승인 필요(1분)
지원되는 제품 및 하드웨어

지원되는 제품 및 하드웨어

제품
질화 갈륨(GaN) 전력계
LMG2100R044 — 100V 4.4mΩ 하프 브리지 GaN FET와 통합 드라이버 및 보호 LMG2610 — 통합 드라이버, 보호 및 전류 감지 기능이 있는 ACF용 650V 170/248mΩ GaN 하프 브리지 LMG3410R050 — 600V 50mΩ GaN과 통합 드라이버 및 보호 LMG3410R070 — 600V 70mΩ GaN과 통합 드라이버 및 보호 LMG3410R150 — 600V 150mΩ GaN과 통합 드라이버 및 과전류 보호 LMG3411R050 — 600V 50mΩ GaN과 통합 드라이버 및 사이클 단위 과전류 보호 LMG3411R070 — 600V 70mΩ GaN과 통합 드라이버 및 사이클 단위 과전류 보호 LMG3411R150 — 600V 150mΩ GaN과 통합 드라이버 및 사이클별 과전류 보호 LMG3422R030 — 통합 드라이버, 보호 및 온도 보고 기능이 있는 600V 50mΩ GaN FET LMG3422R050 — 통합 드라이버, 보호 및 온도 보고 기능이 있는 600V 50mΩ GaN FET LMG3425R030 — 통합 드라이버, 보호, 온도 보고, 이상적인 다이오드 모드 기능이 있는 600V 30mΩ GaN FET LMG3425R050 — 통합 드라이버, 보호, 온도 보고, 이상적인 다이오드 모드 기능이 있는 600V 50mΩ GaN FET LMG3426R030 — 일체형 드라이버, 보호 및 제로 전압 감지를 지원하는 600V 30mΩ GaN FET LMG3426R050 — 일체형 드라이버, 보호 및 제로 전압 감지를 지원하는 600V 50mΩ GaN FET LMG3522R030 — 통합 드라이버, 보호 및 온도 보고 기능이 있는 650V 30mΩ GaN FET LMG3522R030-Q1 — 통합 드라이버, 보호 및 온도 보고 기능이 있는 오토모티브 650V 30mΩ GaN FET LMG3522R050 — 통합 드라이버, 보호 및 온도 보고 기능이 있는 650V 50mΩ GaN FET LMG3526R030 — 일체형 드라이버, 보호 및 제로 전압 감지 기능이 있는 650V 30mΩ GaN FET LMG3526R050 — 일체형 드라이버, 보호 및 제로 전압 감지 보고 기능이 있는 650V 50mΩ GaN FET LMG5200 — 80V GaN 하프 브리지 전력계
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레퍼런스 디자인

TIDA-010042 — 400W GaN 기반 MPPT 충전 컨트롤러 및 전력 옵티마이저 레퍼런스 설계

이 레퍼런스 설계는 향후 전력 최적화 장치로 사용할 수 있는 12V 및 24V 배터리용 MPPT(Maximum Power Point Tracking) 태양광 충전 컨트롤러입니다. 콤팩트한 이 레퍼런스 설계는 중소 전력 태양광 충전기 설계를 대상으로 하며, 15V~60V 태양광 패널 모듈, 12V 또는 24V 배터리로 작동할 수 있고 16A 이상의 출력 전류를 제공할 수 있습니다. 이 설계에서는 벅 컨버터를 사용하여 패널 전압을 배터리 전압으로 낮춥니다. 내부 일체형 드라이버가 있는 하프 브리지 전력계는 교란 및 관찰 방법을 (...)
Design guide: PDF
회로도: PDF
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TIDA-010936 — 통합 모터 드라이브를 위한 48V/16A 소형 폼 팩터 3상 GaN 인버터 레퍼런스 설계

이 레퍼런스 설계는 모터 통합 서보 드라이브 및 로봇 애플리케이션용으로 특별히 통합된 GaN FET, 드라이버 및 부트스트랩 다이오드가 내장된 세 개의 LMG2100R044 100V, 35A GaN 하프 브리지를 사용하는 고전력 밀도 12V~60V 3상 전력계를 보여줍니다.  
IN241A 전류 감지 증폭기를 통해 정확한 위상 전류 감지를 달성할 수 있으며, DC 링크 및 위상 전압도 측정되어 InstaSPIN-FOC™와 같은 고급 무센서 설계의 유효성을 검사할 수 있습니다. 이 설계는 TI GaN 기술의 빠르고 쉬운 성능 평가를 (...)
Design guide: PDF
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Test report: PDF
레퍼런스 디자인

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이 레퍼런스 설계는 고성능 GaN이 중간 버스 컨버터에 고효율, 소형 폼 팩터를 가능하게 하는 방법을 보여줍니다.
Test report: PDF
레퍼런스 디자인

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PMP41068 — GaN을 사용한 100W 클래스 D 오디오 증폭 레퍼런스 설계

이 레퍼런스 설계는 GaN HEMT를 사용하는 단일 엔드 클래스 D 전력계를 보여줍니다. 이 설계는 전원 스위치로 LMG2100R044를 사용하며 작동 주파수는 1MHz입니다.
Test report: PDF
패키지 핀 다운로드
WQFN-FCRLF (RAR) 16 옵션 보기
TI의 평가 항목에 대한 표준 약관이 적용됩니다.

주문 및 품질

포함된 정보:
  • RoHS
  • REACH
  • 디바이스 마킹
  • 납 마감/볼 재질
  • MSL 등급/피크 리플로우
  • MTBF/FIT 예측
  • 물질 성분
  • 인증 요약
  • 지속적인 신뢰성 모니터링
포함된 정보:
  • 팹 위치
  • 조립 위치

지원 및 교육

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