LMG2100R044
- Integrated 4.4mΩ half-bridge GaN FETs and driver
- 90V continuous, 100V pulsed voltage rating
- Package optimized for easy PCB layout
- High slew rate switching with low ringing
- 5V external bias power supply
- Supports 3.3V and 5V input logic levels
- Gate driver capable of up to 10MHz switching
- Excellent propagation delay (33ns typical) and matching (2ns typical)
- Internal bootstrap supply voltage clamping to prevent GaN FET Overdrive
- Supply rail undervoltage for lockout protection
- Low power consumption
- Exposed top QFN package for top-side cooling
- Large GND pad for bottom-side cooling
The LMG2100R044 device is a 90V continuous, 100V pulsed, 35A half-bridge power stage, with integrated gate-driver and enhancement-mode Gallium Nitride (GaN) FETs. The device consists of two 100V GaN FETs driven by one high-frequency 90V GaN FET driver in a half-bridge configuration.
GaN FETs provide significant advantages for power conversion as they have zero reverse recovery and very small input capacitance CISS and output capacitance COSS. All the devices are mounted on a completely bond-wire free package platform with minimized package parasitic elements. The LMG2100R044 device is available in a 5.5mm × 4.5mm × 0.89mm lead-free package and can be easily mounted on PCBs.
The TTL logic compatible inputs can support 3.3V and 5V logic levels regardless of the VCC voltage. The proprietary bootstrap voltage clamping technique ensures the gate voltages of the enhancement mode GaN FETs are within a safe operating range.
The device extends advantages of discrete GaN FETs by offering a more user-friendly interface. It is an ideal solution for applications requiring high-frequency, high-efficiency operation in a small form factor.
기술 자료
| 유형 | 직함 | 날짜 | ||
|---|---|---|---|---|
| * | Data sheet | LMG2100R044 100V, 35A GaN Half-Bridge Power Stage datasheet (Rev. B) | PDF | HTML | 2024/03/15 |
| Technical article | 1kW 고밀도 LLC 전원 모듈에 사용되는 평면 변압기 개요 | PDF | HTML | 2025/08/28 | |
| Application brief | 휴머노이드 로봇의 GaN FET 애플리케이션 | PDF | HTML | 2025/02/05 | |
| Technical article | GaN이 전자 설계를 혁신하는 4가지 중전압 애플리케이션 | PDF | HTML | 2024/02/20 |
설계 및 개발
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LMG2100EVM-078 — LMG2100 평가 모듈
TIDA-010933 — GaN 레퍼런스 설계 기반의 1.6kW, 양방향 마이크로 인버터
PMP23611 — GaN 하프 브리지 전력계를 지원하는 48VIN, 250W 차량용 2상 벅 컨버터 레퍼런스 설계
TIDA-010936 — 통합 모터 드라이브를 위한 48V/16A 소형 폼 팩터 3상 GaN 인버터 레퍼런스 설계
TIDA-010042 — 400W GaN 기반 MPPT 충전 컨트롤러 및 전력 옵티마이저 레퍼런스 설계
PMP23340C2K — C2000™ MCU를 사용하는 48V~12V GaN 지원 1.1kW 1/8 브릭 전원 모듈 레퍼런스 설계
PMP23340UCD — 디지털 전원 절연 컨트롤러를 사용하는 48V~12V GaN 지원 1.1kW 1/8 브릭 레퍼런스 설계
| 패키지 | 핀 | CAD 기호, 풋프린트 및 3D 모델 |
|---|---|---|
| WQFN-FCRLF (RAR) | 16 | Ultra Librarian |
주문 및 품질
- RoHS
- REACH
- 디바이스 마킹
- 납 마감/볼 재질
- MSL 등급/피크 리플로우
- MTBF/FIT 예측
- 물질 성분
- 인증 요약
- 지속적인 신뢰성 모니터링
- 팹 위치
- 조립 위치
권장 제품에는 본 TI 제품과 관련된 매개 변수, 평가 모듈 또는 레퍼런스 디자인이 있을 수 있습니다.