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Gallium nitride (GaN) power stages
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LMG3526R030

활성

일체형 드라이버, 보호 및 제로 전압 감지 기능이 있는 650V 30mΩ GaN FET

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LMG3526R030

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제품 상세 정보

VDS (max) (mV) 650000 RDS(on) (mΩ) 30
VDS (max) (mV) 650000 RDS(on) (mΩ) 30
VQFN (RQS) 52 144 mm² 12 x 12
  • 650-V GaN-on-Si FET with integrated gate driver
    • Integrated high precision gate bias voltage
    • 200-V/ns FET hold-off
    • 2-MHz switching frequency
    • 20-V/ns to 150-V/ns slew rate for optimization of switching performance and EMI mitigation
    • Operates from 7.5-V to 18-V supply
  • Robust protection
    • Cycle-by-cycle overcurrent and latched short-circuit protection with < 100-ns response
    • Withstands 720-V surge while hard-switching
    • Self-protection from internal overtemperature and UVLO monitoring
  • Advanced power management
    • Digital temperature PWM output
  • Top-side cooled 12-mm × 12-mm VQFN package separates electrical and thermal paths for lowest power loop inductance
  • Zero-voltage detection feature that facilitates soft-switching converters
  • 650-V GaN-on-Si FET with integrated gate driver
    • Integrated high precision gate bias voltage
    • 200-V/ns FET hold-off
    • 2-MHz switching frequency
    • 20-V/ns to 150-V/ns slew rate for optimization of switching performance and EMI mitigation
    • Operates from 7.5-V to 18-V supply
  • Robust protection
    • Cycle-by-cycle overcurrent and latched short-circuit protection with < 100-ns response
    • Withstands 720-V surge while hard-switching
    • Self-protection from internal overtemperature and UVLO monitoring
  • Advanced power management
    • Digital temperature PWM output
  • Top-side cooled 12-mm × 12-mm VQFN package separates electrical and thermal paths for lowest power loop inductance
  • Zero-voltage detection feature that facilitates soft-switching converters

The LMG3526R030 GaN FET with integrated driver and protections is targeting switch-mode power converters and enables designers to achieve new levels of power density and efficiency.

The LMG3526R030 integrates a silicon driver that enables switching speed up to 150 V/ns. TI’s integrated precision gate bias results in higher switching SOA compared to discrete silicon gate drivers. This integration, combined with TI’s low-inductance package, delivers clean switching and minimal ringing in hard-switching power supply topologies. Adjustable gate drive strength allows control of the slew rate from 20 V/ns to 150 V/ns, which can be used to actively control EMI and optimize switching performance.

Advanced features include digital temperature reporting, fault detection, and zero-voltage detection (ZVD). The temperature of the GaN FET is reported through a variable duty cycle PWM output. Faults reported include overtemperature, overcurrent, and UVLO monitoring. ZVD feature can provide a pulse output from ZVD pin when zero-voltage switching (ZVS) is realized.

The LMG3526R030 GaN FET with integrated driver and protections is targeting switch-mode power converters and enables designers to achieve new levels of power density and efficiency.

The LMG3526R030 integrates a silicon driver that enables switching speed up to 150 V/ns. TI’s integrated precision gate bias results in higher switching SOA compared to discrete silicon gate drivers. This integration, combined with TI’s low-inductance package, delivers clean switching and minimal ringing in hard-switching power supply topologies. Adjustable gate drive strength allows control of the slew rate from 20 V/ns to 150 V/ns, which can be used to actively control EMI and optimize switching performance.

Advanced features include digital temperature reporting, fault detection, and zero-voltage detection (ZVD). The temperature of the GaN FET is reported through a variable duty cycle PWM output. Faults reported include overtemperature, overcurrent, and UVLO monitoring. ZVD feature can provide a pulse output from ZVD pin when zero-voltage switching (ZVS) is realized.
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설계 및 개발

추가 조건 또는 필수 리소스는 사용 가능한 경우 아래 제목을 클릭하여 세부 정보 페이지를 확인하세요.

평가 보드

LMG342X-BB-EVM — LMG342x 제품군용 LMG342x GaN 시스템 레벨 평가 마더보드

LMG342X-BB-EVM은 동기식 벅 컨버터로 LMG3422EVM-043과 같은 LMG342xR0x0 하프 브리지 보드를 구성하는 데 사용하는 간편한 브레이크아웃 보드입니다. 이 EVM은 전력계, 바이어스 전력 및 로직 회로를 제공하여 GaN 디바이스 스위칭의 신속한 측정을 지원합니다. 이 EVM은 적절한 열 관리(강제 공기, 저주파 작동 등)로 최대 8A의 출력 전류를 제공하여 최대 작동 온도를 초과하지 않도록 할 수 있습니다. 이 EVM은 개방형 루프 보드이기 때문에 과도 측정에는 적합하지 않습니다.

단일 펄스 폭 변조 (...)
사용 설명서: PDF | HTML
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도터 카드

LMG3522EVM-042 — 드라이버 부속 카드가 통합된 LMG3522R030-Q1 오토모티브 650V 30mΩ GaN FET

LMG3522EVM-042는 하프 브리지에서 LMG3522R030 GaN FET 2개를 구성하며, 사이클별 과전류 보호 기능, 래치형 단락 보호 기능 및 모든 필요 보조 주변 회로를 갖고 있습니다. 이 EVM은 대규모 시스템과 함께 작동하도록 설계되어 있습니다.

사용 설명서: PDF
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계산 툴

LMGXX-GAN-LLC-CALC — GaN LLC resonant converter device loss calculator

Device Loss Calculator can be used to evaluate different devices for different topologies of the LLC Resonant Converter
lock = 수출 승인 필요(1분)
지원되는 제품 및 하드웨어

지원되는 제품 및 하드웨어

제품
질화 갈륨(GaN) IC
LMG2100R044 — 100-V 4.4-mΩ half-bridge GaN FET with integrated driver and protection LMG2610 — 650V 고전압 emode GaN 하프 브리지 전력계 LMG3410R050 — 600V 50mΩ GaN과 통합 드라이버 및 보호 LMG3410R070 — 600V 70mΩ GaN과 통합 드라이버 및 보호 LMG3410R150 — 600V 150mΩ GaN과 통합 드라이버 및 과전류 보호 LMG3411R050 — 600V 50mΩ GaN과 통합 드라이버 및 사이클 단위 과전류 보호 LMG3411R070 — 600V 70mΩ GaN과 통합 드라이버 및 사이클 단위 과전류 보호 LMG3411R150 — 600V 150mΩ GaN과 통합 드라이버 및 과전류 보호 LMG3422R030 — 통합 드라이버, 보호 및 온도 보고 기능이 있는 600V 30mΩ GaN FET LMG3422R050 — 통합 드라이버, 보호 및 온도 보고 기능이 있는 600V 50mΩ GaN FET LMG3425R030 — 통합 드라이버, 보호, 온도 보고, 이상적인 다이오드 모드 기능이 있는 600V 30mΩ GaN FET LMG3425R050 — 통합 드라이버, 보호, 온도 보고, 이상적인 다이오드 모드 기능이 있는 600V 50mΩ GaN FET LMG3522R030 — 통합 드라이버, 보호 및 온도 보고 기능이 있는 650V 30mΩ GaN FET LMG3522R030-Q1 — 통합 드라이버, 보호 및 온도 보고 기능이 있는 오토모티브 650V 30mΩ GaN FET LMG3526R030 — 일체형 드라이버, 보호 및 제로 전압 감지 기능이 있는 650V 30mΩ GaN FET LMG5200 — 80V GaN 하프 브리지 전력계
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LMG2100R044 — 100V 4.4mΩ 하프 브리지 GaN FET와 통합 드라이버 및 보호 LMG2610 — 통합 드라이버, 보호 및 전류 감지 기능이 있는 ACF용 650V 170/248mΩ GaN 하프 브리지 LMG3410R050 — 600V 50mΩ GaN과 통합 드라이버 및 보호 LMG3410R070 — 600V 70mΩ GaN과 통합 드라이버 및 보호 LMG3410R150 — 600V 150mΩ GaN과 통합 드라이버 및 과전류 보호 LMG3411R050 — 600V 50mΩ GaN과 통합 드라이버 및 사이클 단위 과전류 보호 LMG3411R070 — 600V 70mΩ GaN과 통합 드라이버 및 사이클 단위 과전류 보호 LMG3411R150 — 600V 150mΩ GaN과 통합 드라이버 및 사이클별 과전류 보호 LMG3422R030 — 통합 드라이버, 보호 및 온도 보고 기능이 있는 600V 50mΩ GaN FET LMG3422R050 — 통합 드라이버, 보호 및 온도 보고 기능이 있는 600V 50mΩ GaN FET LMG3425R030 — 통합 드라이버, 보호, 온도 보고, 이상적인 다이오드 모드 기능이 있는 600V 30mΩ GaN FET LMG3425R050 — 통합 드라이버, 보호, 온도 보고, 이상적인 다이오드 모드 기능이 있는 600V 50mΩ GaN FET LMG3426R030 — 일체형 드라이버, 보호 및 제로 전압 감지를 지원하는 600V 30mΩ GaN FET LMG3426R050 — 일체형 드라이버, 보호 및 제로 전압 감지를 지원하는 600V 50mΩ GaN FET LMG3522R030 — 통합 드라이버, 보호 및 온도 보고 기능이 있는 650V 30mΩ GaN FET LMG3522R030-Q1 — 통합 드라이버, 보호 및 온도 보고 기능이 있는 오토모티브 650V 30mΩ GaN FET LMG3522R050 — 통합 드라이버, 보호 및 온도 보고 기능이 있는 650V 50mΩ GaN FET LMG3526R030 — 일체형 드라이버, 보호 및 제로 전압 감지 기능이 있는 650V 30mΩ GaN FET LMG3526R050 — 일체형 드라이버, 보호 및 제로 전압 감지 보고 기능이 있는 650V 50mΩ GaN FET LMG5200 — 80V GaN 하프 브리지 전력계
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LMG3410R050 — 600V 50mΩ GaN과 통합 드라이버 및 보호 LMG3410R070 — 600V 70mΩ GaN과 통합 드라이버 및 보호 LMG3410R150 — 600V 150mΩ GaN과 통합 드라이버 및 과전류 보호 LMG3411R050 — 600V 50mΩ GaN과 통합 드라이버 및 사이클 단위 과전류 보호 LMG3411R070 — 600V 70mΩ GaN과 통합 드라이버 및 사이클 단위 과전류 보호 LMG3411R150 — 600V 150mΩ GaN과 통합 드라이버 및 사이클별 과전류 보호 LMG3422R030 — 통합 드라이버, 보호 및 온도 보고 기능이 있는 600V 50mΩ GaN FET LMG3522R030 — 통합 드라이버, 보호 및 온도 보고 기능이 있는 650V 30mΩ GaN FET LMG3522R030-Q1 — 통합 드라이버, 보호 및 온도 보고 기능이 있는 오토모티브 650V 30mΩ GaN FET LMG3526R030 — 일체형 드라이버, 보호 및 제로 전압 감지 기능이 있는 650V 30mΩ GaN FET
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레퍼런스 디자인

PMP40988 — 가변 주파수, ZVS, 5kW, GaN 기반, 2상 토템 폴 PFC 레퍼런스 설계

이 레퍼런스 디자인은 고밀도, 고효율 5kW 토템 폴 전력 역률 보정(PFC) 설계입니다. 이 설계는 가변 주파수 및 제로 전압 스위칭(ZVS)과 함께 작동하는 2상 토템 폴 PFC를 사용합니다. 이 컨트롤은 새로운 토폴로지와 향상된 삼각형 전류 모드(iTCM)를 사용하여 작은 크기와 높은 효율을 모두 달성합니다. 이 설계는 TMS320F280049C 마이크로컨트롤러 내부의 고성능 프로세싱 코어를 사용하여 광범위한 작동 범위에 걸쳐 효율성을 유지합니다. PFC는 100kHz~800kHz 사이의 가변 주파수로 작동합니다. (...)
Test report: PDF
패키지 핀 다운로드
VQFN (RQS) 52 옵션 보기
TI의 평가 항목에 대한 표준 약관이 적용됩니다.

주문 및 품질

포함된 정보:
  • RoHS
  • REACH
  • 디바이스 마킹
  • 납 마감/볼 재질
  • MSL 등급/피크 리플로우
  • MTBF/FIT 예측
  • 물질 성분
  • 인증 요약
  • 지속적인 신뢰성 모니터링
포함된 정보:
  • 팹 위치
  • 조립 위치

지원 및 교육

TI 엔지니어의 기술 지원을 받을 수 있는 TI E2E™ 포럼

포럼 주제 모두 보기(영문)

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