전력 관리 전력계 질화 갈륨(GaN) 전력계

LMG3650R035

활성

통합 드라이버 및 보호를 지원하는 650V 35mΩ TOLL 패키지 GaN FET

제품 상세 정보

VDS (max) (V) 650 RDS(on) (mΩ) 35 ID (max) (A) 20 Features Bottom-side cooled, Cycle-by-cycle overcurrent protection, Latched overcurrent protection, Over Current Protection, Slew Rate Control, Wide input voltage Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 150
VDS (max) (V) 650 RDS(on) (mΩ) 35 ID (max) (A) 20 Features Bottom-side cooled, Cycle-by-cycle overcurrent protection, Latched overcurrent protection, Over Current Protection, Slew Rate Control, Wide input voltage Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 150
TO-OTHER (KLA) 9 115.632 mm² (9.9 mm × 11.68 mm)
  • 650V 35mΩ GaN power FET with integrated gate driver
    • >200V/ns FET hold-off
    • Adjustable slew rates for optimization of switching performance and EMI mitigation
      • 10V/ns to 80V/ns turn-on slew rates
      • 10V/ns to full speed turn-off slew rates
    • Operates with supply pin and input logic pin voltage range from 9V to 26V
  • Robust protection
    • Cycle-by-cycle overcurrent and latched short-circuit protection with <300ns response
    • Withstands 720V surge
    • Self-protection from internal overtemperature and UVLO monitoring
  • Advanced power management
    • LMG3656R035 includes zero-voltage detection (ZVD) feature that facilitates soft-switching converters
    • LMG3657R035 includes zero-current detection (ZCD) feature that facilitates soft-switching converters
  • 9.8mm × 11.6mm TOLL package with thermal pad
  • 650V 35mΩ GaN power FET with integrated gate driver
    • >200V/ns FET hold-off
    • Adjustable slew rates for optimization of switching performance and EMI mitigation
      • 10V/ns to 80V/ns turn-on slew rates
      • 10V/ns to full speed turn-off slew rates
    • Operates with supply pin and input logic pin voltage range from 9V to 26V
  • Robust protection
    • Cycle-by-cycle overcurrent and latched short-circuit protection with <300ns response
    • Withstands 720V surge
    • Self-protection from internal overtemperature and UVLO monitoring
  • Advanced power management
    • LMG3656R035 includes zero-voltage detection (ZVD) feature that facilitates soft-switching converters
    • LMG3657R035 includes zero-current detection (ZCD) feature that facilitates soft-switching converters
  • 9.8mm × 11.6mm TOLL package with thermal pad

The LMG365xR035 GaN FET with integrated driver and protection is targeted at switch-mode power converters and enables designers to achieve new levels of power density and efficiency.

Adjustable gate driver strength allows the control of turn-on and maximum turn-off slew rates independently, which can be used to actively control EMI and optimize switching performance. Turn on slew rate varies from 10V/ns to 80V/ns, while the turn off slew rate can be limited from 10V/ns to a maximum based on the magnitude of load current. Protection features include under-voltage lockout (UVLO), cycle-by-cycle overcurrent limit, and short-circuit and overtemperature protection. The LMG3651R035 provides a 5V LDO output on LDO5V pin that powers external digital isolators. The LMG3656R035 includes the zero-voltage detection (ZVD) feature which provides a pulse output from the ZVD pin when zero-voltage switching is realized. The LMG3657R035 includes the zero-current detection (ZCD) feature that sets the ZCD pin high when the drain-to-source current is negative and transitions to low upon detecting the zero-crossing point.

The LMG365xR035 GaN FET with integrated driver and protection is targeted at switch-mode power converters and enables designers to achieve new levels of power density and efficiency.

Adjustable gate driver strength allows the control of turn-on and maximum turn-off slew rates independently, which can be used to actively control EMI and optimize switching performance. Turn on slew rate varies from 10V/ns to 80V/ns, while the turn off slew rate can be limited from 10V/ns to a maximum based on the magnitude of load current. Protection features include under-voltage lockout (UVLO), cycle-by-cycle overcurrent limit, and short-circuit and overtemperature protection. The LMG3651R035 provides a 5V LDO output on LDO5V pin that powers external digital isolators. The LMG3656R035 includes the zero-voltage detection (ZVD) feature which provides a pulse output from the ZVD pin when zero-voltage switching is realized. The LMG3657R035 includes the zero-current detection (ZCD) feature that sets the ZCD pin high when the drain-to-source current is negative and transitions to low upon detecting the zero-crossing point.

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기술 자료

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상위 문서 유형 직함 형식 옵션 최신 영어 버전 다운로드 날짜
* 데이터 시트 LMG365xR035 650V 35 mΩ GaN FET With Integrated Driver and Protection datasheet (Rev. A) PDF | HTML 2025. 12. 10
Product overview HVDC QFN-Packaged GaN Power Devices PDF | HTML 2026. 3. 31
기술 문서 통합 TOLL 패키지형 GaN 장치를 사용해 전원 공급 장치 설계 혁신 주도 PDF | HTML Download English Version 2025. 3. 20

설계 및 개발

추가 조건 또는 필수 리소스는 사용 가능한 경우 아래 제목을 클릭하여 세부 정보 페이지를 확인하세요.

도터 카드

LMG3650EVM-114 — LMG3650R035 도터카드

LMG3650R035 평가 모듈(EVM)은 하프 브리지에서 LMG3650R035 GaN FET 2개를 구성하며 과열 보호, 사이클별 과전류 보호, 래치형 단락 재설정 보호 기능 및 절연 바이어스 공급 또는 부트스트랩 공급을 테스트하는 데 필요한 모든 보조 주변 회로를 갖추고 있습니다. 이 EVM은 대규모 시스템과 함께 작동하도록 설계되어 있습니다.

사용 설명서: PDF | HTML
지원되는 제품 및 하드웨어
재고 있음
제한:
??asset.out-of-stock-ti_ko_KR??
이용할 수 없음
레퍼런스 디자인

TIDA-010954 — 600W, GaN 기반 단상 사이클로컨버터 레퍼런스 설계

이 레퍼런스 설계는 사이클로컨버터(AC-DAB) 토폴로지 및 TI GaN 전력 단계를 기반으로 600W 양방향 단일 단계 DC-AC 인버터를 구현합니다. 이 설계는 DC 측에서 최대 60V 및 ±16A를 지원하고 단상에서 230VAC 및 2.6A를 지원합니다. 이 인버터는 양방향 전력 흐름을 지원하며, 태양광 마이크로 인버터 또는 BESS(배터리 에너지 저장 시스템)과 같은 다양한 애플리케이션에 사용할 수 있습니다.
지원되는 제품 및 하드웨어
패키지 CAD 기호, 풋프린트 및 3D 모델
TO-OTHER (KLA) 9 Ultra Librarian

주문 및 품질

권장 제품에는 본 TI 제품과 관련된 매개 변수, 평가 모듈 또는 레퍼런스 디자인이 있을 수 있습니다.

지원 및 교육

TI 엔지니어의 기술 지원을 받을 수 있는 TI E2E™ 포럼

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