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UCC21530

활성

Reinforced, 4A/6A dual-channel isolated gate driver w/ enable, programable dead time

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UCC21551 활성 Reinforced, 4A/6A dual-channel isolated gate driver w/ enable, programable dead time Tighter VCCI range supporting digital controller thresholds. New DT equation. Increased CMTI and wider operating temperature range.

UCC21530

활성
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제품 상세 정보

Number of channels 2 Isolation rating Reinforced Power switch IGBT, MOSFET, SiCFET Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 5700 Working isolation voltage (VIOWM) (Vrms) 700 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 8000 Peak output current (A) 6 Peak output current (source) (typ) (A) 4 Peak output current (sink) (typ) (A) 6 Features Enable, Programmable dead time Output VCC/VDD (min) (V) 14.7 Output VCC/VDD (max) (V) 25 Input supply voltage (min) (V) 3 Input supply voltage (max) (V) 18 Propagation delay time (µs) 0.019 Input threshold CMOS, TTL Operating temperature range (°C) -40 to 125 Rating Catalog Bootstrap supply voltage (max) (V) 2121 Rise time (ns) 6 Fall time (ns) 7 Undervoltage lockout (typ) (V) 12
Number of channels 2 Isolation rating Reinforced Power switch IGBT, MOSFET, SiCFET Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 5700 Working isolation voltage (VIOWM) (Vrms) 700 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 8000 Peak output current (A) 6 Peak output current (source) (typ) (A) 4 Peak output current (sink) (typ) (A) 6 Features Enable, Programmable dead time Output VCC/VDD (min) (V) 14.7 Output VCC/VDD (max) (V) 25 Input supply voltage (min) (V) 3 Input supply voltage (max) (V) 18 Propagation delay time (µs) 0.019 Input threshold CMOS, TTL Operating temperature range (°C) -40 to 125 Rating Catalog Bootstrap supply voltage (max) (V) 2121 Rise time (ns) 6 Fall time (ns) 7 Undervoltage lockout (typ) (V) 12
SOIC (DWK) 14 106.09 mm² (10.3 mm × 10.3 mm)
  • Universal: dual low-side, dual high-side or half-bridge driver
  • Wide body SOIC-14 (DWK) package
  • 3.3mm spacing between driver channels
  • Switching parameters:
    • 33ns typical propagation delay
    • 20ns minimum pulse width
    • 6ns maximum pulse-width distortion
  • Common-mode transient immunity (CMTI) greater than 125V/ns
  • 4A peak source, 6A peak sink output
  • TTL and CMOS compatible inputs
  • 3V to 18V input VCCI range
  • Up to 25V VDD output drive supply
  • Programmable overlap and dead time
  • Junction temperature range –40 to +150°C
  • Safety-related certifications (planned):
    • 8000VPK reinforced Isolation per DIN EN IEC 60747-17 (VDE 0884-17)
    • 5.7kVRMS isolation for 1 minute per UL 1577
    • CQC certification per GB4943.1-2022
  • Universal: dual low-side, dual high-side or half-bridge driver
  • Wide body SOIC-14 (DWK) package
  • 3.3mm spacing between driver channels
  • Switching parameters:
    • 33ns typical propagation delay
    • 20ns minimum pulse width
    • 6ns maximum pulse-width distortion
  • Common-mode transient immunity (CMTI) greater than 125V/ns
  • 4A peak source, 6A peak sink output
  • TTL and CMOS compatible inputs
  • 3V to 18V input VCCI range
  • Up to 25V VDD output drive supply
  • Programmable overlap and dead time
  • Junction temperature range –40 to +150°C
  • Safety-related certifications (planned):
    • 8000VPK reinforced Isolation per DIN EN IEC 60747-17 (VDE 0884-17)
    • 5.7kVRMS isolation for 1 minute per UL 1577
    • CQC certification per GB4943.1-2022

The UCC21530 is an isolated dual-channel gate driver with 4A source and 6A sink peak current. It is designed to drive IGBTs, Si MOSFETs, and SiC MOSFETs up to 5MHz.

The input side is isolated from the two output drivers by a 5.7kVRMS reinforced isolation barrier, with a minimum of 125V/ns common-mode transient immunity (CMTI). Internal functional isolation between the two secondary-side drivers allows a working voltage of up to 1850V.

This device can be configured as two low-side drivers, two high-side drivers, or a half-bridge driver with programmable dead time (DT). The EN pin pulled low shuts down both outputs simultaneously and allows for normal operation when left open or pulled high. As a fail-safe measure, primary-side logic failures force both outputs low.

The device accepts VDD supply voltages up to 25V. A wide input VCCI range from 3V to 18V makes the driver suitable for interfacing with both analog and digital controllers. All the supply voltage pins have under voltage lock-out (UVLO) protection.

The UCC21530 is an isolated dual-channel gate driver with 4A source and 6A sink peak current. It is designed to drive IGBTs, Si MOSFETs, and SiC MOSFETs up to 5MHz.

The input side is isolated from the two output drivers by a 5.7kVRMS reinforced isolation barrier, with a minimum of 125V/ns common-mode transient immunity (CMTI). Internal functional isolation between the two secondary-side drivers allows a working voltage of up to 1850V.

This device can be configured as two low-side drivers, two high-side drivers, or a half-bridge driver with programmable dead time (DT). The EN pin pulled low shuts down both outputs simultaneously and allows for normal operation when left open or pulled high. As a fail-safe measure, primary-side logic failures force both outputs low.

The device accepts VDD supply voltages up to 25V. A wide input VCCI range from 3V to 18V makes the driver suitable for interfacing with both analog and digital controllers. All the supply voltage pins have under voltage lock-out (UVLO) protection.
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기술 자료

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* 데이터 시트 UCC21530 4A, 6A, 5.7kVRMS Isolated Dual-Channel Gate Driver With 3.3mm Channel-to-Channel Spacing datasheet (Rev. D) PDF | HTML 2024. 11. 8
인증서 VDE Certificate for Reinforced Isolation for DIN EN IEC 60747-17 (Rev. AB) 2026. 7. 15
인증서 UL Certification E181974 Vol 4. Sec 7 (Rev. D) 2025. 9. 8
애플리케이션 노트 Impact of Narrow Pulse Widths in Gate Driver Circuits (Rev. A) PDF | HTML 2024. 1. 25
인증서 UCC215xx CQC Certificate of Product Certification PDF | HTML 2023. 8. 17
Application brief The Use and Benefits of Ferrite Beads in Gate Drive Circuits PDF | HTML 2021. 12. 16
인증서 CSA Product Certificate (Rev. A) 2019. 8. 15
기술 문서 Designing highly efficient, powerful and fast EV charging stations PDF | HTML 2019. 8. 6

설계 및 개발

추가 조건 또는 필수 리소스는 사용 가능한 경우 아래 제목을 클릭하여 세부 정보 페이지를 확인하세요.

평가 보드

UCC21530EVM-286 — UCC21530 절연 듀얼 채널 드라이버 평가 모듈

UCC21530EVM-286은 4A 소스 및 6A 싱크 피크 전류, 12V UVLO, 활성화(액티브 하이) 기능과 채널 간 3.3mm 연면을 지원하는 절연 듀얼 채널 게이트 드라이버인 UCC21530DWK를 평가하도록 설계되었습니다. 이 EVM은 전력 시스템에서 IGBT 및 SiC MOSFET을 구동하기 위한 레퍼런스 디자인으로 사용할 수 있습니다.
사용 설명서: PDF | HTML
지원되는 제품 및 하드웨어
재고 있음
제한:
??asset.out-of-stock-ti_ko_KR??
이용할 수 없음
시뮬레이션 모델

UCC21530 PSpice Transient Model

SLUM655.ZIP (23 KB) - PSpice 모델
지원되는 제품 및 하드웨어
레퍼런스 디자인

TIDA-00366 — 전류, 전압 및 온도 보호 기능을 갖춘 강화 절연 3상 인버터용 레퍼런스 설계

이 레퍼런스 설계는 강화 절연 게이트 드라이버 UCC21530, 강화 절연 증폭기 AMC1301 및 AMC1311 그리고 MCU TMS320F28027을 사용하여 설계된 최대 10kW 정격의 3상 인버터를 제공합니다. AMC1301을 사용하여 MCU의 내부 ADC와 인터페이싱되는 모터 전류를 측정하고 IGBT 게이트 드라이버에 부트스트랩 전원 공급 장치를 사용하여 시스템 비용을 절감할 수 있습니다. 이 인버터는 과부하, 단락, 접지 오류, DC 버스 저전압 및 과전압, IGBT 모듈 과열에 대한 보호 기능을 제공하도록 (...)

지원되는 제품 및 하드웨어
레퍼런스 디자인

TIDA-010054 — 3레벨 전기차 충전소용 양방향, 이중 활성 브리지 레퍼런스 설계

이 레퍼런스 설계는 단상 듀얼 액티브 브리지(DAB) DC/DC 컨버터의 구현에 대한 개요를 제공합니다. DAB 토폴로지는 소프트 스위칭 정류, 장치 수 감소, 높은 효율과 같은 이점을 제공합니다. 전력 밀도, 비용, 무게, 갈바닉 절연, 고전압 변환 비율 및 안정성이 중요한 요소인 경우 설계는 EV 충전소 및 에너지 저장 애플리케이션에 이상적입니다. DAB의 모듈성과 대칭 구조는 컨버터를 적층하여 높은 전력 처리량을 달성하고 배터리 충전 및 방전 애플리케이션을 지원하기 위한 양방향 작동 모드를 용이하게 합니다.
지원되는 제품 및 하드웨어
패키지 핀 CAD 기호, 풋프린트 및 3D 모델
SOIC (DWK) 14 Ultra Librarian
TI의 평가 항목에 대한 표준 약관이 적용됩니다.

주문 및 품질

권장 제품에는 본 TI 제품과 관련된 매개 변수, 평가 모듈 또는 레퍼런스 디자인이 있을 수 있습니다.

지원 및 교육

TI 엔지니어의 기술 지원을 받을 수 있는 TI E2E™ 포럼

포럼 주제 모두 보기(영문)

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