Galliumnitrid (GaN) ICs
Maximieren Sie Leistungsdichte und Effizienz mit unserem Sortiment an GaN-Leistungsbausteinen für jeden Leistungspegel
Neue Produkte
650-V 120 mΩ GaN mit integriertem Treiber und Schutz
Ungefährer Preis (USD) 1ku | 3.25
650-V 270 mΩ GaN mit integriertem Treiber und Schutz
Ungefährer Preis (USD) 1ku | 2.2
650-V 270 mΩ GaN mit integriertem Treiber, Schutz und Strommessemulation
Ungefährer Preis (USD) 1ku | 2.2
650-V 120 mΩ GaN mit integriertem Treiber, Schutz und Strommessemulation
Ungefährer Preis (USD) 1ku | 3.25
650-V 170 mΩ GaN mit integriertem Treiber, Schutz und Strommessemulation
Ungefährer Preis (USD) 1ku | 3.18
GaN-FET, 650 V, 50 mΩ, mit integriertem Treiber, Schutz und Berichtsfunktionen für die Nullspannu
Ungefährer Preis (USD) 1ku | 10.008
Vorteile unserer GaN-Technologie
Schnellere Schaltgeschwindigkeit als diskrete GaN-FETs
Unsere GaN-FETs mit integrierten Treibern können Schaltgeschwindigkeiten von 150 V/ns erreichen. Diese Schaltgeschwindigkeit, kombiniert mit einem induktivitätsarmen Gehäuse, verringert Verluste, ermöglicht ein sauberes Schalten und minimiert Überschwingen.
Kleinere Magneten, höhere Leistungsdichte
Unsere GaN-Bausteine ermöglichen schnellere Schaltgeschwindigkeiten und können Sie dadurch dabei unterstützen, Schaltfrequenzen von über 500 kHz zu erreichen. Dies führt zu bis zu 60 % geringerem Magnetismus, verbesserter Leistung und niedrigeren Systemkosten.
Auf Zuverlässigkeit ausgelegt
Unsere GaN-Bausteine sind darauf ausgelegt, Hochspannungssysteme dank eines proprietären GaN-auf-Si-Prozesses, mehr als 40 Millionen Stunden an Zuverlässigkeitstests und diverser Schutzfunktionen sicher zu halten.
Dedizierte Designtools und Ressourcen
Verkürzen Sie Ihre Markteinführungszeiten mit unseren GaN-Design-Ressourcen, einschließlich Verlustleistungsrechnern, PLECS-Modellen für die Schaltkreissimulation und Evaluierungsplatinen für Tests und den Betrieb in größeren Systemen.
Gründe für GaN
Die GaN-Technologie
GaN bietet eine höhere Leistungsdichte, einen zuverlässigeren Betrieb und eine verbesserte Effizienz im Vergleich zu herkömmlichen Lösungen auf Silizium-Basis. Besuchen Sie unsere Technologie-Seite, um mehr über GaN als Leistungstransistor-Technologie zu erfahren, vorgestellte GaN-Anwendungen zu entdecken, von unseren Kunden zu hören und selbst zu sehen, wie unsere GaN-Produkte Sie dabei unterstützen können, das Gewicht, die Größe und die Kosten Ihres nächsten Stromversorgungsdesigns zu minimieren.
Tools und Ressourcen, die Sie bei Ihrem Design unterstützen
Wir bieten Ihnen zahlreiche Ressourcen, die Sie bei Ihrem Design unterstützen und Ihnen dabei helfen, den richtigen Baustein für Ihre Anwendung auszuwählen. Unsere Tools zur Berechnung der Verlustleistung können Sie bei der Produktauswahl unterstützen, indem sie die Verlustleistung ausgewählter Bausteine bei benutzerdefinierten Parametern anzeigen. Mit unseren PLECS-Modellen können Sie den Betrieb von GaN-Bausteinen simulieren, um die FET-Sperrschichttemperatur abzuschätzen und eine einstellbare Anstiegsrate beim Einschalten zu ermöglichen. Unsere Halbbrücken-Evaluierungs-Tochterkarten sind auch für Tests und den Betrieb in größeren Systemen erhältlich.
Technische Ressourcen
Thermal Performance of QFN12x12 Package for 600V, GaN Power Stage (Rev. A)
Direct-drive configuration for GaN devices (Rev. A)
Third quadrant operation of GaN
Entdecken Sie die empfohlenen Anwendungen
Erreichen Sie die 80 Plus® Titanium-Standards mit einer Gesamtenergieeffizienz von 96,5 % und einer Leistungsdichte von über 100 W/in^3 mit der GaN-Technologie von TI
Entwickeln Sie Telekommunikations- und Serversysteme unter Verwendung unserer GaN-Bausteine, welche Speicher, cloudbasierte Anwendungen, zentrale Rechenleistung und mehr unterstützen. Um Ihren Designanforderungen für höhere Energieeffizienz zu entsprechen, sind unsere Designs in der Lage, die 80® Plus-Titanium-Standards zu erfüllen und Wirkungsgrade der Leistungsfaktorkorrektur (PFC) von über 99 % zu ermöglichen.
Vorteile
- >99 % Wirkungsgrad ermöglicht durch GaN in einer brückenlosen Totem-Pole-PFC-Topologie
- Schaltfrequenzen >500 kHz in isolierten Gleichstrom/Gleichstrom-Wandlern ermöglichen schwächeren Magnetismus
- Integrierte Treiber verringern parasitäre Verluste und erleichtern ein einfacheres Design auf Systemebene
Ausgewählte Ressourcen
- PMP20873 – 99% Efficient 1kW GaN-based CCM Totem-pole Power Factor Correction (PFC) Converter Reference Design
- TIDA-010062 – 1-kW, 80+ titanium, GaN CCM totem pole bridgeless PFC and half-bridge LLC with LFU reference design
- LMG3422R030 – 600-V 30-mΩ GaN FET with integrated driver, protection and temperature reporting
- LMG3422R050 – 600-V 50-mΩ GaN FET with integrated driver, protection and temperature reporting
- LMG3411R150 – 600-V 150-mΩ GaN with integrated driver and cycle-by-cycle overcurrent protection
Erzielen Sie mit unserer GaN-Technologie eine Leistungsdichte von mehr als 1,2 kW/l in bidirektionalen AC/DC-Wandlersystemen
Entwickeln Sie mit unseren GaN-Bausteinen durch Solar- und Windenergie betriebene Systeme, welche Sie bei der Entwicklung kleinerer, effizienterer Wechselstrom/Gleichstrom-Wechselrichter und Gleichrichter sowie Gleichstrom/Gleichstrom-Wechselrichter unterstützen. Mit durch GaN aktivierter bidirektionaler Gleichstrom/Gleichstrom-Wandlung können Sie Energiespeichersysteme in Solarwechselrichter integrieren und dadurch die Energieabhängigkeit vom Stromnetz verringern.
Vorteile
- 3 Mal höhere Leistungsdichte (>1,2 kW/L) und geringeres Gewicht als bestehende Wechselstrom/Gleichstrom- und Gleichstrom/Gleichstrom-Wandler.
- Die Schnellschalteigenschaften von GaN bei 140 kHz erhöhen die Leistungsdichte gegenüber SiC-FETs um 20 %
- Vergleichbare Systemkosten durch kostengünstigere Magneten gegenüber 2-stufiger SiC-Topologie
Ausgewählte Ressourcen
- TIDA-010210 – 11-kW, bidirectional, three-phase ANPC based on GaN reference design
- LMG3422R030 – 600-V 30-mΩ GaN FET with integrated driver, protection and temperature reporting
- LMG3522R030-Q1 – Automotive 650-V 30-mΩ GaN FET with integrated driver, protection and temperature reporting
- LMG3422R050 – 600-V 50-mΩ GaN FET with integrated driver, protection and temperature reporting
Ermöglichen höhere Kanaldichte und geringere Wechselstrom/Gleichstrom-Wandlergröße in Batterieprüfsystemen mit der GaN-Technologie von TI
Verringern Sie die Größe von Wechselstrom/Gleichstrom-Netzteilen mit unseren GaN-FETs mit integrierten Gate-Treibern. Unsere GaN-Bausteine schalten mit einer höheren Frequenz als MOSFETs und SiC-FETs. Dies verbessert die Kanaldichte der Prüfausrüstung drastisch und ermöglicht schnellere Einschwingzeiten der Netzteile.
Vorteile
- >99 % Wirkungsgrad ermöglicht durch GaN in einer brückenlosen Totem-Pole-PFC-Topologie
- >Schaltfrequenz von 200 kHz in der Gleichstrom/Gleichstrom-Stufe, was einen schnelleren Übergang von Ladung zu Entladung innerhalb von 1 ms ermöglicht
- Integrierte Treiber verringern parasitäre Verluste und ermöglichen ein einfacheres Design auf Systemebene
Ausgewählte Ressourcen
- TIDM-02008 – Bidirectional high density GaN CCM totem pole PFC using C2000™ MCU
- PMP40690 – 4-kW interleaved CCM totem pole bridgeless PFC reference design using C2000™ MCU and GaN
- LMG3422R050 – 600-V 50-mΩ GaN FET with integrated driver, protection and temperature reporting
- LMG3410R070 – 600-V 70mΩ GaN with integrated driver and protection
Ermöglichen Sie eine hohe Leistungsdichte in Elektrofahrzeugen mit der GaN-Technologie von TI
Die nächste Generation von auf der Platine integrierten Ladegeräten (OBCs) und Gleichstrom/Gleichstrom-Wandler von hoher to niedriger Spannung in Hybrid-Elektrofahrzeugen (HEV) und Elektrofahrzeugen (EV) verwenden GaN-Leistungsbausteine zum Schalten bei höheren Frequenzen und zum Verringern der Größe der Magneten. Diese höhere Schaltfrequenz und die geringere Baugröße führen zu einer höheren Leistungsdichte im Vergleich zu OBCs auf Silizium- und SiC-Basis.
Vorteile
- Leistungsdichte von 3,8 kW/l, wodurch bei gleichem Volumen gegenüber SiC eine höhere Leistung erzielt wird
- >500 kHz Schaltfrequenz für CLLLC und 120 kHz für PFC
- Kombinierter Wirkungsgrad auf Systemebene von 96,5 %
- Ein integrierter Gate-Treiber vereinfacht das Design auf Systemebene
Ausgewählte Ressourcen
- LMG3522R030-Q1 – Automotive 650-V 30-mΩ GaN FET with integrated driver, protection and temperature reporting
- GaN-Based, 6.6-kW, Bidirectional, Onboard Charger Reference Design – Test report
- Thermal Design and Performance of Top-Side Cooled QFN 12x12 Package – Application note
- POWERSTAGE-DESIGNER – Power Stage Designer™ software tool of most commonly used switchmode power supplies
Erzielen Sie mit unseren GaN-Bausteinen eine höhere Energieeffizienz und einen kleineren Formfaktor bei PFC-Leistungsstufen für Heizung, Lüftung und Klimatisierung (HLK) und Haushaltsgeräte
Leistungsstufen zur Leistungsfaktorkorrektur (PFC) sind für Heizungs-, Lüftungs- und Klimaanlagensysteme (HLK-Systeme) erforderlich, um neue Energiestandards wie zum Beispiel EN6055, zu erfüllen. Im Vergleich zu Bipolartransistoren mit isoliertem Gate (IGBTs) weisen GaN-Leistungsstufen einen höheren Wirkungsgrad auf, was die Größe von Magneten und Kühlkörper sowie die Gesamtsystemkosten verringert.
Vorteile
- Eine hohe Schaltfrequenz von bis zu 60 kHz verringert die Größe der Magneten
- Geringere Schaltverluste führen zu Leistungsstufen mit einem Wirkungsgrad >99 %
- Die geringe Größe und die Möglichkeit zur natürlichen Kühlung verringern die Größe und Kosten des Designs
Ausgewählte Ressourcen
- TIDA-010203 – 4-kW single-phase totem pole PFC reference design with C2000 and GaN
- TIDA-010236 – 4-kW GaN totem-pole PFC reference design for appliances
- LMG3422R030 – 600-V 30-mΩ GaN FET with integrated driver, protection and temperature reporting
- LMG3422R050 – 600-V 50-mΩ GaN FET with integrated driver, protection and temperature reporting
Design- & Entwicklungsressourcen
11-kW, bidirectional, three-phase ANPC based on GaN reference design
This reference design provides a design template for implementing a three-level, three-phase, gallium nitride (GaN) based ANPC inverter power stage. The use of fast switching power devices makes it possible to switch at a higher frequency of 100 kHz, reducing the size of magnetics for the filter (...)