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LMG2650

VORSCHAU

650 V 95 mΩ GaN-Halbbrücke mit integriertem Treiber, Schutz und Strommessung

Produktdetails

VDS (max) (V) 650 RDS(on) (mΩ) 95 ID (max) (A) 9.7 Features Bottom-side cooled, Built-in bootstrap diode, Cycle-by-cycle overcurrent protection, Half-bridge, Integrated current sense, Overtemperature protection Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 125
VDS (max) (V) 650 RDS(on) (mΩ) 95 ID (max) (A) 9.7 Features Bottom-side cooled, Built-in bootstrap diode, Cycle-by-cycle overcurrent protection, Half-bridge, Integrated current sense, Overtemperature protection Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 125
UNKNOWN (RFB) 19 See data sheet
  • 650V GaN power-FET half bridge
  • 95mΩ low-side and high-side GaN FETs
  • Integrated gate drivers with <100ns low propagation delays
  • Programmable turn-on slew rate control
  • Current-sense emulation with high-bandwidth and high accuracy
  • Low-side referenced (INH) and high-side referenced (GDH) high-side gate drive pins
  • Low-side (INL) / high-side (INH) gate-drive interlock
  • High-side (INH) gate-drive signal level shifter
  • Smart-switched bootstrap diode function
  • High-side start up : <8µs
  • Low-side / high-side cycle-by-cycle overcurrent protection
  • Overtemperature protection
  • AUX idle quiescent current: 250µA
  • AUX standby quiescent current: 50µA
  • BST idle quiescent current: 85µA
  • 8x6 mm QFN package with dual thermal pads
  • 650V GaN power-FET half bridge
  • 95mΩ low-side and high-side GaN FETs
  • Integrated gate drivers with <100ns low propagation delays
  • Programmable turn-on slew rate control
  • Current-sense emulation with high-bandwidth and high accuracy
  • Low-side referenced (INH) and high-side referenced (GDH) high-side gate drive pins
  • Low-side (INL) / high-side (INH) gate-drive interlock
  • High-side (INH) gate-drive signal level shifter
  • Smart-switched bootstrap diode function
  • High-side start up : <8µs
  • Low-side / high-side cycle-by-cycle overcurrent protection
  • Overtemperature protection
  • AUX idle quiescent current: 250µA
  • AUX standby quiescent current: 50µA
  • BST idle quiescent current: 85µA
  • 8x6 mm QFN package with dual thermal pads

The LMG2650 is a 650V 95mΩ GaN power-FET half bridge. The LMG2650 simplifies design, reduces component count, and reduces board space by integrating half-bridge power FETs, gate drivers, bootstrap diode, and high-side gate-drive level shifter in a 6mm by 8mm QFN package.

Programmable turn-on slew rates provide EMI and ringing control. The low-side current-sense emulation reduces power dissipation compared to the traditional current-sense resistor and allows the low-side thermal pad to be connected to the cooling PCB power ground.

The high-side GaN power FET can be controlled with either the low-side referenced gate-drive pin (INH) or the high-side referenced gate-drive pin (GDH). The high-side gate-drive signal level shifter reliably transmits the INH pin signal to the high-side gate driver in challenging power switching environments. The smart-switched GaN bootstrap FET has no diode forward-voltage drop, avoids overcharging the high-side supply, and has zero reverse-recovery charge.

The LMG2650 supports converter light-load efficiency requirements and burst-mode operation with low quiescent currents and fast start-up times. Protection features include FET turn-on interlock, under-voltage lockout (UVLO), cycle-by-cycle current limit, and over-temperature shut down. Ultra low slew rate setting supports motor drive applications.

The LMG2650 is a 650V 95mΩ GaN power-FET half bridge. The LMG2650 simplifies design, reduces component count, and reduces board space by integrating half-bridge power FETs, gate drivers, bootstrap diode, and high-side gate-drive level shifter in a 6mm by 8mm QFN package.

Programmable turn-on slew rates provide EMI and ringing control. The low-side current-sense emulation reduces power dissipation compared to the traditional current-sense resistor and allows the low-side thermal pad to be connected to the cooling PCB power ground.

The high-side GaN power FET can be controlled with either the low-side referenced gate-drive pin (INH) or the high-side referenced gate-drive pin (GDH). The high-side gate-drive signal level shifter reliably transmits the INH pin signal to the high-side gate driver in challenging power switching environments. The smart-switched GaN bootstrap FET has no diode forward-voltage drop, avoids overcharging the high-side supply, and has zero reverse-recovery charge.

The LMG2650 supports converter light-load efficiency requirements and burst-mode operation with low quiescent currents and fast start-up times. Protection features include FET turn-on interlock, under-voltage lockout (UVLO), cycle-by-cycle current limit, and over-temperature shut down. Ultra low slew rate setting supports motor drive applications.

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Technische Dokumentation

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Typ Titel Datum
* Data sheet LMG2650 650V 95 mΩ GaN Half Bridge with Integrated Driver and Current Sense Emulation datasheet PDF | HTML 16 Mai 2024

Design und Entwicklung

Weitere Bedingungen oder erforderliche Ressourcen enthält gegebenenfalls die Detailseite, die Sie durch Klicken auf einen der unten stehenden Titel erreichen.

Berechnungstool

LMGXX-GAN-LLC-CALC GaN LLC resonant converter device loss calculator

Device Loss Calculator can be used to evaluate different devices for different topologies of the LLC Resonant Converter
lock = Nur mit Exportgenehmigung (1 Minute)
Unterstützte Produkte und Hardware

Unterstützte Produkte und Hardware

Produkte
Galliumnitrid (GaN)-Leistungsstufen
LMG2100R044 100-V-Halbbrücken-GaN-FET, 4,4 mΩ, mit integriertem Treiber und Schutz LMG2610 GaN-Halbbrücke für ACF, 650 V, 170/248 mΩ, mit integriertem Treiber, Schutz und Strommessung LMG2650 650 V 95 mΩ GaN-Halbbrücke mit integriertem Treiber, Schutz und Strommessung LMG3410R050 GaN mit 600-V und 50 mΩ mit integriertem Treiber und Schutz LMG3410R070 600-V 70 mΩ GaN mit integriertem Treiber und Schutz LMG3410R150 GaN, 600 V, 150 mΩ, mit integriertem Treiber und Überstromschutz LMG3411R050 GaN, 600 V, 50 mΩ, mit integriertem Treiber und Schutz sowie Zyklus-für-Zyklus-Überstromschutz LMG3411R070 GaN, 600 V, 70 mΩ, mit integriertem Treiber und Zyklus-für-Zyklus-Überstromschutz LMG3411R150 GaN, 600 V, 150 mΩ, mit integriertem Treiber und Zyklus-für-Zyklus-Überstromschutz LMG3422R030 GaN-FET, 600 V, 30 mΩ, mit Integration von Treiber, Schutz und Temperaturmeldung LMG3422R050 GaN-FET, 600 V, 50 mΩ, mit integriertem Treiber, Schutz und Temperaturmeldung LMG3425R030 GaN-FET, 600 V, 30 mΩ, mit Integration von Treiber, Schutz und Temp.-Meldung, idealer Diodenmodus LMG3425R050 GaN-FET, 600 V, 50 mΩ, mit Integration von Treiber, Schutz und Temp.-Meldung für die Automobilindust LMG3426R030 GaN-FET, 600 V, 30 mΩ, mit integriertem Treiber, Schutz und Nullspannung LMG3426R050 GaN-FET, 600 V, 50 mΩ, mit integriertem Treiber, Schutz und Nullspannungserkennung LMG3522R030 GaN-FET, 650 V, 30 mΩ, mit integriertem Treiber, Schutz und Temperaturmeldung LMG3522R030-Q1 GaN-FET, 650 V, 30 mΩ, mit Integration von Treiber, Schutz und Temperaturmeldung für die Automobilin LMG3522R050 GaN-FET, 650 V, 50 mΩ, mit integriertem Treiber, Schutz und Temperaturmeldung LMG3526R030 GaN-FET, 650 V, 30 mΩ, mit integriertem Treiber, Schutz und Nullspannungserkennung LMG3526R050 GaN-FET, 650 V, 50 mΩ, mit integriertem Treiber, Schutz und Berichtsfunktionen für die Nullspannu LMG5200 GaN-Halbbrücken-Leistungsstufe für 80 V
Gehäuse Pins CAD-Symbole, Footprints und 3D-Modelle
UNKNOWN (RFB) 19 Ultra Librarian

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  • MSL-Rating / Spitzenrückfluss
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  • Qualifikationszusammenfassung
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