Isolierte Gate-Treiber

Äußerst robuste, flexible und universell kompatible Bausteine für viele Anwendungen

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Aufbau kompakterer, stabilerer Designs für viele Anwendungen mit unseren flexiblen und universell kompatiblen isolierten Gate-Treibern. Unsere isolierten Gate-Treiber ermöglichen es Ihnen, Designs zu entwickeln, die vor Stromschlägen schützen und gleichzeitig einen besseren Schutz für hohe Spannungen bieten. Dies reicht von Basisisolierung über funktionale Isolierung bis hin zu verstärkter Isolierung. 

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Isolierung


Isolierte DC-DC-Vorspannungsversorgungswandler und -module

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Power-Trends

Isolierte Gate-Treiber für die Leistungsdichte und Isolierung &

Ein Isolierungsbaustein ermöglicht die Übertragung von Daten und Strom zwischen Hoch- und Niederspannungs-Einheiten, und verhindert zugleich, dass gefährlicher Gleichstrom oder unkontrollierter Transientenstrom aus dem Netz austreten. Robuste Isolierung wird durch die Integration des Isolators mit dem Hochgeschwindigkeits-Gate-Treiber verwirklicht. Gate-Treiber sind in einfacher, funktionaler und verstärkter Isolierung erhältlich und akzeptieren einen energieeffizienten Eingang von einem Controller-IC, um den geeigneten Hochstrom-Gate-Antrieb für einen MOSFET-, IGBT-, SiC- oder GaN-Leistungsschalter zu erzeugen.

Video
Schützen Leistungsbausteine in Anwendungen für Elektrofahrzeuge
Diese Präsentation erörtert die Merkmale isolierter Gate-Treiber, welche Anwendungen nach ASIL-Standard ermöglichen und Stromversorgungsbausteine vor schädlichen Bedingungen schützen. 
White paper
A High-Performance, Integrated Powertrain Solution: The Key to EV Adoption (Rev. A)
Dieses Dokument untersucht die Vorteile integrierter Antriebsstrang-Lösungen unter Verwendung von Halbleiterschaltern mit breitem Bandabstand und isolierten Gate-Treibern, um die Einführung von Elektrofahrzeugen zu beschleunigen.
PDF
Application note
HEV/EV Traction Inverter Design Guide Using Isolated IGBT and SiC Gate Drivers (Rev. B)
Dieser Anwendungsbericht beschreibt, wie ein HEV/EV-Traktionsinverterantriebssystem mit den Diagnose- und Schutzfunktionen unserer isolierten Gate-Treiber entwickelt wird.
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Vorgestellte Produkte für Leistungsdichte & Isolierung
UCC5881-Q1 AKTIV Isolierter 20-A-IGBT/SiC-MOSFET-Echtzeit-Gate-Treiber mit variabler Stärke für die Automobilindustri
UCC21732-Q1 AKTIV Isolierter Einkanal-Gate-Treiber für den Automobilbereich mit 5,7 kVrms ±10 A und 2-stufiger Abschal
UCC21750-Q1 AKTIV Isolierter Automobil-Einkanal-Gate-Treiber m. DESAT & interner Klemme für IGBT/SiC, 5,7 kVrms, ±10 A

Technische Ressourcen

White paper
White paper
Impact of an isolated gate driver (Rev. A)
Dieses Whitepaper erläutert die Vorteile und Anforderungen von isolierten Gate-Treibern in Abhängigkeit von einem Netzschalter.
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Zertifikat
Zertifikat
Zertifizierungen für isolierte Gate-Treiber
Wir stellen sicher, dass unsere Bausteine die weltweiten Industriestandards für Automobil- und Industriedesigns erfüllen. Mehrere unabhängige Zertifizierungslabors testen und zertifizieren die elektrische Isolierungsleistung unserer isolierten Bausteine. 
Video
Video
Isolierte Gate-Treiber 101
Erfahren Sie mehr über Isolationstechnologien durch eine Studie der Datenblattisolierungstabelle und Isolationsprüfmethodik sowie bewährte Verfahren (Best Practices) zur Optimierung der Systemleistung mit unseren hochmodernen isolierten Gate-Treibern.

Referenzdesigns für Isolierte Gate-Treiber

Mit unserem Referenzdesign-Auswahltool können Sie die für Ihre Anwendung und Ihre Parameter am besten geeigneten Designs finden.

Design- & Entwicklungsressourcen

Referenzdesign
Dreiphasen-Inverter-Ref-Design für 200 – 480-VAC-Antr. mit optoemuliert. Eingangsgate-Treibern
Dieses Referenzdesign realisiert ein verstärkt isoliertes Drei-Phasen-Inverter-Subsystem mit isolierten IGBT-Treibern und isolierten Stromspannungssensoren. Der verwendete UCC23513-Gate-Treiber verfügt über ein 6-poliges großes Gehäuse mit optischen emulierten LED-Eingängen, wodurch er als (...)
Referenzdesign
Bidirektionaler dreiphasiger dreistufiger 11-kW-(T-Typ)-Inverter mit PFC – Referenzdesign
Dieses Referenzdesign bietet einen Überblick über die Implementierung eines bidirektionalen dreistufigen, dreiphasigen SiC-basierten aktiven Frontend(AFE)-Inverters und einer PFC-Stufe (Povwer Factor Correction, Leistungsfaktorkorrektur). Das Design verwendet eine Schaltfrequenz von bis zu 90 kHz (...)
Referenzdesign
Referenzdesign 98,6 % Wirkungsgrad, 6,6 kW-Totem-Pole-PFC-Referenzdesign für HEV/EV-Bordladegeräte
Dieses Referenzdesign funktioniert auf der Basis von Siliziumkarbid-(SiC-)MOSFETs, welche von einem C2000-Mikrocontroller (MCU) mit SiC-isolierten Gate-Treibern angesteuert werden. Das Design implementiert das Dreiphasen-Interleaving und arbeitet im Continuous Conduction Mode (CCM). Dadurch (...)
UCC23711

Isolierter Einkanal-Gate-Treiber mit optokompatiblen Eingängen und Schutzfunktionen

Ungefährer Preis (USD) 1ku | 0.82

UCC23710

Isolierter Einkanal-Gate-Treiber mit optokompatiblen Eingängen und Schutzfunktionen

Ungefährer Preis (USD) 1ku | 0.82

UCC21751-Q1

Isolierter Einkanal-Gate-Treiber, 5,7 kVrms, +-10 A mit DESAT und interner Klemme für IGBT/SiC, für

Ungefährer Preis (USD) 1ku | 3.04

UCC21711-Q1

Isolierter Einkanal-Gate-Treiber, 5,7 kVrms +-10 A, mit Überstromschutz für IGBT/SiC für die Automob

Ungefährer Preis (USD) 1ku | 3.044

UCC218915-Q1

Isolierter Ein-Kanal-Vortreiber für die Automobilindustrie, ±2,8 A, mit geteilten Ausgängen und DESA

Ungefährer Preis (USD) 1ku | 1