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LM74701-Q1

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Idealer Diodencontroller für die Automobilindustrie mit 3,2-V- bis 65-V-Verpolungsschutz und integri

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LM74701-Q1

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Produktdetails

Vin (min) (V) 3.2 Vin (max) (V) 65 Number of channels 1 Features Automotive load dump compatibility, Enable, Integrated VDS clamp, Linear control, Reverse current blocking, Reverse polarity protection Iq (typ) (mA) 0.08 Iq (max) (mA) 0.13 TI functional safety category Functional Safety-Capable FET External single FET IGate source (typ) (µA) 11000 IGate pulsed (typ) (A) 2.3 Operating temperature range (°C) -40 to 125 VSense reverse (typ) (mV) -11 Rating Automotive Imax (A) 250 Shutdown current (ISD) (mA) (A) 0.001 Device type Ideal diode controller Product type Ideal diode controller
Vin (min) (V) 3.2 Vin (max) (V) 65 Number of channels 1 Features Automotive load dump compatibility, Enable, Integrated VDS clamp, Linear control, Reverse current blocking, Reverse polarity protection Iq (typ) (mA) 0.08 Iq (max) (mA) 0.13 TI functional safety category Functional Safety-Capable FET External single FET IGate source (typ) (µA) 11000 IGate pulsed (typ) (A) 2.3 Operating temperature range (°C) -40 to 125 VSense reverse (typ) (mV) -11 Rating Automotive Imax (A) 250 Shutdown current (ISD) (mA) (A) 0.001 Device type Ideal diode controller Product type Ideal diode controller
SOT-23-THN (DDF) 8 8.12 mm² 2.9 x 2.8
  • AEC-Q100 qualified with the following results
    • Device temperature grade 1: –40°C to +125°C ambient operating temperature range
    • Device HBM ESD classification level 2
    • Device CDM ESD classification level C4B
  • 3.2-V to 65-V input range (3.9-V startup)
  • –33-V reverse voltage rating
  • Charge pump for external N-Channel MOSFET
  • 20 mV ANODE to CATHODE forward voltage drop regulation
  • 1-µA shutdown current (EN = Low)
  • 80-µA operating quiescent current (EN = High)
  • 2-A peak gate turn-off current
  • Fast response to reverse current blocking: < 0.75 µs
  • Integrated battery voltage monitoring switch (SW)
  • Meets automotive ISO7637 transient requirements without additional input TVS diode (TVS less)
  • 8-Pin SOT-23 package 2.90 mm × 1.60 mm
  • AEC-Q100 qualified with the following results
    • Device temperature grade 1: –40°C to +125°C ambient operating temperature range
    • Device HBM ESD classification level 2
    • Device CDM ESD classification level C4B
  • 3.2-V to 65-V input range (3.9-V startup)
  • –33-V reverse voltage rating
  • Charge pump for external N-Channel MOSFET
  • 20 mV ANODE to CATHODE forward voltage drop regulation
  • 1-µA shutdown current (EN = Low)
  • 80-µA operating quiescent current (EN = High)
  • 2-A peak gate turn-off current
  • Fast response to reverse current blocking: < 0.75 µs
  • Integrated battery voltage monitoring switch (SW)
  • Meets automotive ISO7637 transient requirements without additional input TVS diode (TVS less)
  • 8-Pin SOT-23 package 2.90 mm × 1.60 mm

The LM74701-Q1 is an automotive AEC Q100 qualified ideal diode controller which operates in conjunction with an external N-channel MOSFET as an ideal diode for low loss reverse polarity protection with a 20-mV forward voltage drop. LM74701-Q1 is suitable for input protection of 12-V automotive systems. The 3.2-V input voltage support is particularly well suited for severe cold crank requirements in automotive systems.

The device controls the GATE of the MOSFET to regulate the forward voltage drop at 20 mV. The regulation scheme enables graceful turn-off of the MOSFET during a reverse current event and ensures zero DC reverse current flow. Fast response (< 0.75 µs) to reverse current blocking makes the device suitable for systems with output voltage holdup requirements during ISO7637 pulse testing as well as power fail and input micro-short conditions. The LM74701-Q1 has a unique integrated VDS clamp feature which enables users to achieve TVS less input polarity protection solution and save on average a typical 60% of PCB space in constrained automotive systems.

The LM74701-Q1 controller provides a charge pump gate drive for an external N-channel MOSFET. With the enable pin low, the controller is off and draws approximately 1 µA of current.

The LM74701-Q1 is an automotive AEC Q100 qualified ideal diode controller which operates in conjunction with an external N-channel MOSFET as an ideal diode for low loss reverse polarity protection with a 20-mV forward voltage drop. LM74701-Q1 is suitable for input protection of 12-V automotive systems. The 3.2-V input voltage support is particularly well suited for severe cold crank requirements in automotive systems.

The device controls the GATE of the MOSFET to regulate the forward voltage drop at 20 mV. The regulation scheme enables graceful turn-off of the MOSFET during a reverse current event and ensures zero DC reverse current flow. Fast response (< 0.75 µs) to reverse current blocking makes the device suitable for systems with output voltage holdup requirements during ISO7637 pulse testing as well as power fail and input micro-short conditions. The LM74701-Q1 has a unique integrated VDS clamp feature which enables users to achieve TVS less input polarity protection solution and save on average a typical 60% of PCB space in constrained automotive systems.

The LM74701-Q1 controller provides a charge pump gate drive for an external N-channel MOSFET. With the enable pin low, the controller is off and draws approximately 1 µA of current.
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Technische Dokumentation

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Typ Titel Datum
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User guide LM74701-Q1EVM User's Guide (Rev. A) PDF | HTML 08 Sep 2021

Design und Entwicklung

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