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LMG1205

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Halbbrücken-Gate-Treiber, 1,2 A, 5 A, 90 V, mit 5-V-UVLO für GaNFET und MOSFET

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LMG1205

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Produktdetails

Power switch GaNFET, MOSFET Input supply voltage (min) (V) 4.5 Input supply voltage (max) (V) 5.5 Peak output current (A) 5 Operating temperature range (°C) -40 to 125 Undervoltage lockout (typ) (V) 4 Rating Catalog Propagation delay time (µs) 0.035 Rise time (ns) 7 Fall time (ns) 3.5 Iq (mA) 0.09 Input threshold TTL Channel input logic TTL Switch node voltage (V) -5 Features Bootstrap supply voltage clamp, Split outputs on high and low side Driver configuration Half bridge
Power switch GaNFET, MOSFET Input supply voltage (min) (V) 4.5 Input supply voltage (max) (V) 5.5 Peak output current (A) 5 Operating temperature range (°C) -40 to 125 Undervoltage lockout (typ) (V) 4 Rating Catalog Propagation delay time (µs) 0.035 Rise time (ns) 7 Fall time (ns) 3.5 Iq (mA) 0.09 Input threshold TTL Channel input logic TTL Switch node voltage (V) -5 Features Bootstrap supply voltage clamp, Split outputs on high and low side Driver configuration Half bridge
DSBGA (YFX) 12 3.24 mm² 1.8 x 1.8
  • Independent high-side and low-side TTL logic inputs
  • 1.2-A peak source, 5-A sink current
  • High-side floating bias voltage rail operates up to 100 VDC
  • Internal bootstrap supply voltage clamping
  • Split outputs for adjustable turnon, turnoff strength
  • 0.6-Ω pulldown, 2.1-Ω pullup resistance
  • Fast propagation times (35 ns typical)
  • Excellent propagation delay matching (1.5 ns typical)
  • Supply rail undervoltage lockout
  • Low power consumption
  • Independent high-side and low-side TTL logic inputs
  • 1.2-A peak source, 5-A sink current
  • High-side floating bias voltage rail operates up to 100 VDC
  • Internal bootstrap supply voltage clamping
  • Split outputs for adjustable turnon, turnoff strength
  • 0.6-Ω pulldown, 2.1-Ω pullup resistance
  • Fast propagation times (35 ns typical)
  • Excellent propagation delay matching (1.5 ns typical)
  • Supply rail undervoltage lockout
  • Low power consumption

The LMG1205 is designed to drive both the high-side and the low-side enhancement mode Gallium Nitride (GaN) FETs in a synchronous buck, boost, or half-bridge configuration. The device has an integrated 100-V bootstrap diode and independent inputs for the high-side and low-side outputs for maximum control flexibility. The high-side bias voltage is generated using a bootstrap technique and is internally clamped at 5 V, which prevents the gate voltage from exceeding the maximum gate-source voltage rating of enhancement mode GaN FETs. The inputs of the LMG1205 are TTL logic compatible and can withstand input voltages up to 14 V regardless of the VDD voltage. The LMG1205 has split-gate outputs, providing flexibility to adjust the turnon and turnoff strength independently.

In addition, the strong sink capability of the LMG1205 maintains the gate in the low state, preventing unintended turnon during switching. The LMG1205 can operate up to several MHz. The LMG1205 is available in a 12-pin DSBGA package that offers a compact footprint and minimized package inductance.

The LMG1205 is designed to drive both the high-side and the low-side enhancement mode Gallium Nitride (GaN) FETs in a synchronous buck, boost, or half-bridge configuration. The device has an integrated 100-V bootstrap diode and independent inputs for the high-side and low-side outputs for maximum control flexibility. The high-side bias voltage is generated using a bootstrap technique and is internally clamped at 5 V, which prevents the gate voltage from exceeding the maximum gate-source voltage rating of enhancement mode GaN FETs. The inputs of the LMG1205 are TTL logic compatible and can withstand input voltages up to 14 V regardless of the VDD voltage. The LMG1205 has split-gate outputs, providing flexibility to adjust the turnon and turnoff strength independently.

In addition, the strong sink capability of the LMG1205 maintains the gate in the low state, preventing unintended turnon during switching. The LMG1205 can operate up to several MHz. The LMG1205 is available in a 12-pin DSBGA package that offers a compact footprint and minimized package inductance.
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Technische Dokumentation

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80-V 10A Power Stage EVM - The LMG1205 half-bridge EVM board is a small, easy to use, power stage with an external PWM signal. The EVM is suitable for evaluating the performance of the LMG1205 driving a GaN half-bridge in many different DC-DC converter topologies. It can be used to estimate the (...)

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