LMG2652H

LMG2652H は 650V 140mΩ GaN パワー FET ハーフブリッジです。LMG2652H は、ハーフブリッジ パワー FET、ゲート ドライバ、ブートストラップ FET、ハイサイド ゲート ドライブ レベル シフタを 6mm x 8mm の QFN パッケージに統合することで、設計の簡素化、部品点数の低減、基板面積の低減を実現しています。

プログラマブルなターンオン スルーレートにより、EMI とリンギングを制御できます。ローサイド電流センス エミュレーションにより、従来の電流センス抵抗方式よりも消費電力を低減でき、またローサイドのサーマル パッドを PCB 電源グランドに接続できます。

ハイサイド GaN パワー FET は、ローサイド基準ゲート ドライブ ピン (INH) またはハイサイド基準ゲート ドライブ ピン (GDH) で制御します。ハイサイド ゲート ドライブ信号レベル シフタは、厳しいパワー スイッチング環境でも、INH ピンの信号を確実にハイサイド ゲート ドライバに伝えます。スマート スイッチ付き GaN ブートストラップ FET を使うと、ダイオードの順方向電圧降下がなく、ハイサイド電源を過充電せず、逆方向回復電荷がありません。

LMG2652H は、小さい静止電流と高速な起動時間によって、コンバータの軽負荷効率要件とバースト モード動作に対応しています。保護機能には、FET ターンオン インターロック、低電圧誤動作防止 (UVLO)、サイクル単位の電流制限、過熱シャットダウンが含まれます。超低スルーレート設定はモーター ドライブ アプリケーションに対応します。