TPS54218
- 2つの30mΩ (標準値) MOSFETにより2Aの負荷で高効率を実現
- スイッチング周波数: 200kHz~2MHz
- 温度範囲内での基準電圧: 0.8V ±1%
- 外部クロックに同期
- 調整可能なスロー・スタートとシーケンシング
- UVおよびOVのパワー・グッド出力
- 動作時およびシャットダウン時の低い静止電流
- プリバイアス出力への安全なスタートアップ
- サイクル単位の電流制限、過熱保護、周波数フォールドバック保護機能
- 動作時の接合部温度範囲: -40℃~150℃
- 熱的に強化された3mm×3mmの16ピンWQFNパッケージ
- WEBENCH® Power Designerにより、TPS54218を使用するカスタム設計を作成
TPS54218デバイスは完全な機能を持つ6V、2A、同期整流降圧型電流モード・コンバータで、2つのMOSFETが内蔵されています。
TPS54218デバイスにはMOSFETが内蔵され、電流モード制御の実装により外付け部品数が減少し、最高2MHzのスイッチング周波数が可能なためインダクタのサイズが小さくなり、小型の3mm×3mmの熱的に強化されたQFNパッケージによりデバイスの占有面積が最小化されるため、小型のデバイスを設計できます。
TPS54218デバイスは、±1%の高精度基準電圧(VREF)により、温度にかかわらず各種の負荷について正確なレギュレーションを行います。
内蔵の30mΩ MOSFETと標準値350µAの消費電流により、効率が最大化されます。ENピンを使用してシャットダウン・モードに移行でき、シャットダウン時の消費電流は2µAに低下します。
低電圧誤動作防止は内部で2.6Vに設定されていますが、イネーブル・ピンの抵抗回路でスレッショルドをプログラムすることにより、さらに高い電圧に設定できます。起動時の出力電圧の上昇は、ソフト・スタート・ピンによって制御されます。出力が公称電圧の93%~107%の範囲内にあるとき、オープン・ドレインのパワー・グッド信号で示されます。周波数のフォールドバックとサーマル・シャットダウンにより、過電流時にデバイスが保護されます。
SWIFT™の詳しいドキュメントについては、TIのWebサイト(www.ti.com/swift)を参照してください。
技術資料
設計と開発
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パッケージ | ピン数 | ダウンロード |
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WQFN (RTE) | 16 | オプションの表示 |
購入と品質
- RoHS
- REACH
- デバイスのマーキング
- リード端子の仕上げ / ボールの原材料
- MSL 定格 / ピーク リフロー
- MTBF/FIT 推定値
- 材質成分
- 認定試験結果
- 継続的な信頼性モニタ試験結果
- ファブの拠点
- 組み立てを実施した拠点
推奨製品には、この TI 製品に関連するパラメータ、評価基板、またはリファレンス デザインが存在する可能性があります。