TPSI8830
- ±80V 動作に対応した双方向 MOSFET を内蔵
- RON = 30mΩ (TJ = 25℃)
- IOFF = 1µA (60V 時、TJ = 105°C)
- 絶縁越し故障信号伝達機能付き、パワー パスの過電流保護
- バージョン A：4A
- バージョン B：6A
- 幅広い電源電圧範囲：3.0V ～ 5.5V
- 設定可能な故障再試行タイマ (TMR)
- オン状態における低い 1 次側電源電流 (VDD)
- オン状態 VDD 電流：5mA
- 広い温度範囲：-40 ～ 125℃
- 機能的分離：
- 200VRMS、250VDC の動作電圧
- 570VRMS、800VDC の過渡電圧 (60s)
- 沿面距離と空間距離が 8mm の SSOP 14 ピン (DFP) パッケージ
-
機能安全規格に対応
- ISO 26262 および IEC 61508 システムの設計を支援するドキュメントを使用可能
TPSI8830 は、産業用アプリケーション向けに設計された絶縁型ソリッド ステート リレーです。TPSI8830 は、TI の高信頼性容量性絶縁技術と内蔵の双方向 MOSFET を組み合わせることにより、2 次側電源を必要としない完全統合型のオプションを実現しています。TPSI8830 は、TI の容量性絶縁技術により、機械式リレーやフォト リレー部品において一般的である機械的磨耗や光劣化といった故障モードの影響を受けないため、システムの信頼性を向上させます。
デバイスの 1 次側はわずか 5mA の入力電流で電力供給されており、また、VDD 電源に逆電力が供給される可能性を防ぐフェイルセーフ EN ピンが組み込まれています。ほとんどのアプリケーションでは、デバイスの VDD ピンを 3.0V ～ 5.5V のシステム電源に接続し、デバイスの EN ピンを 1.8V ～ 5.5V のロジック High の GPIO 出力で駆動する必要があります。その他のアプリケーションでは、VDD および EN ピンをシステム電源または GPIO 出力から直接まとめて駆動できます。
2 次側は、S1 から S2 間で ±80V のスタンドオフ電圧を有する双方向 MOSFET で構成されています。TPSI8830 には、出力の誤配線またはグランドへの短絡による損傷を防止するための、双方向過電流保護機能が内蔵されています。
技術資料
| 上位の文書 | タイプ | タイトル | フォーマットオプション | 最新の英語版をダウンロード | 日付 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| * | データシート | TPSI8830 80V、30mΩ、3A、ソリッドステート リレー、過電流保護、負荷診 断、機能絶縁搭載 | PDF | HTML | PDF | HTML | 2026/05/28 |
設計と開発
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TPSI88XXEVM — TPSI88xx 評価基板
TPSI88XXEVM は、TPSI88XX ファミリのデバイスの性能を評価するためのハードウェア評価基板です。TPSI88XXEVM を使用すると、サーモスタットや PLC デジタル出力モジュールなどのアプリケーション要件を評価できます。この評価基板は、DFP パッケージの TPSI8830ZB を搭載しています。
TPSI88XXEVM-DOC-CERT — TPSI88XXEVM EU Declaration of Conformity (DoC)
| パッケージ | ピン数 | CAD シンボル、フットプリント、および 3D モデル |
|---|---|---|
| SSOP (DFJ) | 14 | Ultra Librarian |
購入と品質
推奨製品には、この TI 製品に関連するパラメータ、評価基板、またはリファレンス デザインが存在する可能性があります。