UCC21530
5.7kVrms、4A/6A、EN ピンと DT ピン採用、DWK パッケージ封止、IGBT/SiC FET 向け、デュアルチャネル絶縁型ゲート・ドライバ
UCC21530
- 汎用：デュアル・ローサイド、デュアル・ハイサイド、またはハーフ・ブリッジ・ドライバ
- 幅広の SOIC-14 (DWK) パッケージ
- ドライバ・チャネル間の間隔 3.3mm
- スイッチング・パラメータ
- 伝搬遅延 19ns (標準値)
- 最小パルス幅 10ns
- 最大遅延マッチング 5ns
- 最大パルス幅歪み 5ns
- 100V/nsを超える同相過渡耐性(CMTI)
- 最大12.8kVPKのサージ耐性
- 絶縁バリアの寿命 40年以上
- ピーク・ソース4A、ピーク・シンク6Aの出力
- TTLおよびCMOS互換の入力
- 3V～18Vの入力VCCI範囲
- 最大 25V の VDD 出力駆動電源
- オーバーラップおよびデッドタイムをプログラミング可能
- 5ns 未満の入力パルスと過渡ノイズを除去
- 動作温度範囲: -40°C～+125°C
- 安全性関連の認定
- DIN V VDE V 0884-11:2017-01 に準拠した 8000VPK 絶縁 (予定)
- UL 1577準拠で5.7kVRMSにおいて1分間の絶縁
- IEC 60950-1、IEC 62368-1、IEC 61010-1、IEC 60601-1最終機器標準に準拠のCSA認定 (予定)
- GB4943.1-2011 準拠の CQC 認定 (予定)
UCC21530 は絶縁されたデュアル・チャネルのゲート・ドライバで、ピーク電流はソース 4A、シンク 6A です。IGBT および SiC MOSFET を最高 5MHz で駆動し、クラス最高の伝搬遅延とパルス幅歪みを実現するよう設計されています。
入力側は5.7kVRMSの強化絶縁バリアによって2つの出力ドライバと分離され、同相過渡耐性(CMTI)は最小で100V/nsです。2 つの 2 次側ドライバ間は、内部的に機能絶縁されているため、1850V までの電圧で動作します。
このドライバは 2 つのローサイド・ドライバ、2 つのハイサイド・ドライバ、またはデッドタイム (DT) をプログラム可能な 1 つのハーフ・ブリッジ・ドライバとして構成可能です。ENピンがLOWになると、両方の出力が同時にシャットダウンされ、オープンまたはHIGHのときは通常動作します。フェイルセーフ手法として、1次側のロジック障害が発生すると、両方の出力が強制的にLOWになります。
このデバイスは、25VまでのVDD電源電圧を受け付けます。VCCI入力電圧範囲が3V～18Vと広いため、このドライバはアナログ/デジタルいずれのコントローラとの接続にも適しています。すべての電源電圧ピンには、低電圧誤動作防止(UVLO)保護機能が搭載されています。
これらの高度な機能により、UCC21530 は広範な電力アプリケーションにおいて高効率、高電力密度、および堅牢性を実現します。
技術資料
= TI が選定したこの製品の主要ドキュメント
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10 をすべて表示 | 種類 | タイトル | 最新の英語版をダウンロード | 日付 | |||
|---|---|---|---|---|---|---|
| * | データシート | UCC21530 4A、6A、5.7kVRMS、チャネル間隔 3.3mm の絶縁デュアル・チャネル・ゲート・ドライバ データシート (Rev. A 翻訳版) | PDF | HTML | 最新の英語版をダウンロード (Rev.C) | PDF | HTML | 2019年 11月 21日 |
| アプリケーション・ノート | The Use and Benefits of Ferrite Beads in Bate Drive Circuits | PDF | HTML | 2021年 12月 16日 | |||
| 証明書 | VDE Certificate for Reinforced Isolation for DIN VDE V 0884-11:2017-01 (Rev. Q) | 2021年 11月 12日 | ||||
| EVM ユーザー ガイド (英語) | Using the UCC21520EVM-286, UCC21521CEVM-286, and UCC21530EVM286 User's Guide (Rev. C) | PDF | HTML | 2021年 10月 21日 | |||
| 証明書 | CSA Product Certificate (Rev. A) | 2019年 8月 15日 | ||||
| 技術記事 | Designing highly efficient, powerful and fast EV charging stations | 2019年 8月 6日 | ||||
| 証明書 | UCC21520 UL Certification (Rev. B) | 2019年 7月 22日 | ||||
| 技術記事 | How to achieve higher system robustness in DC drives, part 3: minimum input pulse | 2018年 9月 19日 | ||||
| 技術記事 | How to achieve higher system robustness in DC drives, part 2: interlock and deadtime | 2018年 5月 30日 | ||||
| 技術記事 | Boosting efficiency for your solar inverter designs | 2018年 5月 24日 |
設計および開発
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評価ボード
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| パッケージ | ピン数 | ダウンロード |
|---|---|---|
| SOIC (DWK) | 14 | オプションの表示 |
購入と品質
記載されている情報：
- RoHS
- REACH
- デバイスのマーキング
- リード端子の仕上げ / ボールの原材料
- MSL rating / リフローピーク温度
- MTBF/FIT 推定値
- 原材料組成
- 認定試験結果
- 継続的な信頼性モニタ試験結果
推奨製品には、この TI 製品に関連するパラメータ、評価基板、またはリファレンス・デザインが存在する可能性があります。