データシート
UCC218302-Q1
- 5kVRMS のシングル チャネル絶縁型ゲート ドライバ
- 車載アプリケーション向けに AEC-Q100 認証済み
- 最高 1500Vpk の SiC MOSFET および IGBT に最適化
- 出力駆動電圧 (VDD-VEE):30V (最大値)
- リアルタイムで駆動強度を選択できるデュアル分割出力
- ±10A および ±5A の駆動電流出力
- デジタル入力 GD_SEL で駆動強度を選択する
- 最小 CMTI:500V/ns
- 応答時間 200ns の高速 DESAT 保護 (9V スレッショルド)
- 2.5A のシンク能力を持つ専用ソフト シャット ダウン (SSD) ピンシャットダウン電流は外付け抵抗により制御可能です。
- 4A の内部アクティブ ミラー クランプ
- 過電流時の FLT と RST/EN からのリセット
- RST/EN での高速イネーブル / ディセーブル応答
- 12V VDD UVLO (RDY のパワー グッド搭載)
- RDY での過熱保護機能
- 出力電圧ゲート モニタ、OUT_FBによるリアルタイムの出力状態フィードバック、
- システム障害時に電源スイッチをオンにするための、二次側のアクティブ短絡 (ASC) 入力。
- 沿面距離および空間距離が 8mm を超えるワイド ボディ パッケージ
- 以下の結果で AEC-Q100 認定済み:
- デバイス温度グレード 1:–40°C ~ +125°C の動作時周囲温度
UCC218302-Q1 は、先進の保護機能、クラス最高の動的性能、堅牢性を持ち合わせ、最高 1500V (DC) で動作する SiC MOSFET および IGBT 用に設計されたガルバニック絶縁型シングルチャネル ゲート ドライバです。UCC218302-Q1 はを供給できます。デュアル出力は、最大 ±10A と ±5A のピーク ソース/シンク電流に対応します。
入力側は SiO2 容量性絶縁技術によって出力側から絶縁されており、最大 1.06kVRMS の動作電圧、 10kVPK のサージ耐性を実現しています。また、絶縁バリアは部品間スキューが小さく、500V/ns を超える同相ノイズ耐性 (CMTI) も実現しています。
UCC218302-Q1は、最新の保護機能や、高速な過電流および短絡検出、フォルト後の制御されたソフト シャットダウン、故障通知、アクティブ ミラー クランプ、SiC および IGBT のスイッチング動作および堅牢性を最適化する入力出力側電源 UVLO、2 次側のアクティブ短絡入力、出力電圧ゲート監視
技術資料
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| 上位の文書 | タイプ | タイトル | フォーマットオプション | 最新の英語版をダウンロード | 日付 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| * | データシート | UCC218302-Q1 15A 駆動強度調整可能、強化絶縁型シングル チャネルゲート ドライバ (SiC/IGBT 用、高度保護機能付き) | PDF | HTML | PDF | HTML | 2026/07/20 |
設計と開発
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認証
UCC2183XXQEVM-123-DOC-CERT — UCC2183XXQEVM-123 EU Declaration of Conformity (DoC)
UCC2183XXQEVM-123 EU Declaration of Conformity (DoC)
| パッケージ | ピン数 | CAD シンボル、フットプリント、および 3D モデル |
|---|---|---|
| SSOP (DFP) | 28 | Ultra Librarian |
購入と品質
推奨製品には、この TI 製品に関連するパラメータ、評価基板、またはリファレンス デザインが存在する可能性があります。