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DRV8350R

現行

具降壓穩壓器的 102-V 最大 3 相智慧型閘極驅動器

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產品規格表

DRV8350R

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產品詳細資料

Rating Catalog Architecture Gate driver Control interface 1xPWM, 3xPWM, 6xPWM Gate drive (A) 1 Vs (min) (V) 9 Vs ABS (max) (V) 102 Features Buck Step Down Converter, Hardware Management I/F, SPI/I2C, Smart Gate Drive Operating temperature range (°C) -40 to 125
Rating Catalog Architecture Gate driver Control interface 1xPWM, 3xPWM, 6xPWM Gate drive (A) 1 Vs (min) (V) 9 Vs ABS (max) (V) 102 Features Buck Step Down Converter, Hardware Management I/F, SPI/I2C, Smart Gate Drive Operating temperature range (°C) -40 to 125
VQFN (RGZ) 48 49 mm² 7 x 7
  • 9 to 100-V, Triple half-bridge gate driver
    • Optional integrated buck regulator
    • Optional triple low-side current shunt amplifiers
  • Smart gate drive architecture
    • Adjustable slew rate control for EMI performance
    • VGS handshake and minimum dead-time insertion to prevent shoot-through
    • 50-mA to 1-A peak source current
    • 100-mA to 2-A peak sink current
    • dV/dt mitigation through strong pulldown
  • Integrated gate driver power supplies
    • High-side doubler charge pump For 100% PWM duty cycle control
    • Low-side linear regulator
  • Integrated LM5008A buck regulator
    • 6 to 95-V operating voltage range
    • 2.5 to 75-V, 350-mA output capability
  • Integrated triple current shunt amplifiers
    • Adjustable gain (5, 10, 20, 40 V/V)
    • Bidirectional or unidirectional support
  • 6x, 3x, 1x, and independent PWM modes
    • Supports 120° sensored operation
  • SPI or hardware interface available
  • Low-power sleep mode (20 µA at VVM = 48-V)
  • Integrated protection features
    • VM undervoltage lockout (UVLO)
    • Gate drive supply undervoltage (GDUV)
    • MOSFET VDS overcurrent protection (OCP)
    • MOSFET shoot-through prevention
    • Gate driver fault (GDF)
    • Thermal warning and shutdown (OTW/OTSD)
    • Fault condition indicator (nFAULT)
  • 9 to 100-V, Triple half-bridge gate driver
    • Optional integrated buck regulator
    • Optional triple low-side current shunt amplifiers
  • Smart gate drive architecture
    • Adjustable slew rate control for EMI performance
    • VGS handshake and minimum dead-time insertion to prevent shoot-through
    • 50-mA to 1-A peak source current
    • 100-mA to 2-A peak sink current
    • dV/dt mitigation through strong pulldown
  • Integrated gate driver power supplies
    • High-side doubler charge pump For 100% PWM duty cycle control
    • Low-side linear regulator
  • Integrated LM5008A buck regulator
    • 6 to 95-V operating voltage range
    • 2.5 to 75-V, 350-mA output capability
  • Integrated triple current shunt amplifiers
    • Adjustable gain (5, 10, 20, 40 V/V)
    • Bidirectional or unidirectional support
  • 6x, 3x, 1x, and independent PWM modes
    • Supports 120° sensored operation
  • SPI or hardware interface available
  • Low-power sleep mode (20 µA at VVM = 48-V)
  • Integrated protection features
    • VM undervoltage lockout (UVLO)
    • Gate drive supply undervoltage (GDUV)
    • MOSFET VDS overcurrent protection (OCP)
    • MOSFET shoot-through prevention
    • Gate driver fault (GDF)
    • Thermal warning and shutdown (OTW/OTSD)
    • Fault condition indicator (nFAULT)

The DRV835x family of devices are highly-integrated gate drivers for three-phase brushless DC (BLDC) motor applications. These applications include field-oriented control (FOC), sinusoidal current control, and trapezoidal current control of BLDC motors. The device variants provide optional integrated current shunt amplifiers to support different motor control schemes and a buck regulator to power the gate driver or external controller.

The DRV835x uses smart gate drive (SGD) architecture to decrease the number of external components that are typically necessary for MOSFET slew rate control and protection circuits. The SGD architecture also optimizes dead time to prevent shoot-through conditions, provides flexibility in decreasing electromagnetic interference (EMI) by MOSFET slew rate control, and protects against gate short circuit conditions through VGS monitors. A strong gate pulldown circuit helps prevent unwanted dV/dt parasitic gate turn on events

Various PWM control modes (6x, 3x, 1x, and independent) are supported for simple interfacing to the external controller. These modes can decrease the number of outputs required of the controller for the motor driver PWM control signals. This family of devices also includes 1x PWM mode for simple sensored trapezoidal control of a BLDC motor by using an internal block commutation table.

The DRV835x family of devices are highly-integrated gate drivers for three-phase brushless DC (BLDC) motor applications. These applications include field-oriented control (FOC), sinusoidal current control, and trapezoidal current control of BLDC motors. The device variants provide optional integrated current shunt amplifiers to support different motor control schemes and a buck regulator to power the gate driver or external controller.

The DRV835x uses smart gate drive (SGD) architecture to decrease the number of external components that are typically necessary for MOSFET slew rate control and protection circuits. The SGD architecture also optimizes dead time to prevent shoot-through conditions, provides flexibility in decreasing electromagnetic interference (EMI) by MOSFET slew rate control, and protects against gate short circuit conditions through VGS monitors. A strong gate pulldown circuit helps prevent unwanted dV/dt parasitic gate turn on events

Various PWM control modes (6x, 3x, 1x, and independent) are supported for simple interfacing to the external controller. These modes can decrease the number of outputs required of the controller for the motor driver PWM control signals. This family of devices also includes 1x PWM mode for simple sensored trapezoidal control of a BLDC motor by using an internal block commutation table.
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EVM User's guide DRV8350x-EVM Sensorless Software User's Guide 2017年 7月 10日

設計與開發

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開發板

DRV8353RH-EVM — DRV8353RH 評估模組、三相無刷 DC 智慧型閘極驅動器

DRV8353RH-EVM 是基於 DRV8353RH 閘極驅動器和 CSD19532Q5B NexFET™ MOSFET 的 15A、3 相位無刷 DC 驅動級。

此模組具備獨立 DC 匯流排和相位電壓感測，以及獨立低壓側電流分流放大器，因此此評估模組最適合用於無感測器 BLDC 演算法。  模組透過整合式 0.35A 降壓穩壓器供應 MCU 3.3V 電源。  此驅動平台具備 IDRIVE 配置、故障接腳，並可透過由特定電阻值構成的簡易可配置硬體介面進行短路、過熱、擊穿和欠電壓保護。

使用指南: PDF
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開發板

DRV8353RS-EVM — DRV8353RS 評估模組、三相無刷 DC 智慧型閘極驅動器 

DRV8353RS-EVM 是基於 DRV8353RS 閘極驅動器和 CSD19532Q5B NexFET™ MOSFET 的 15A、三相無刷直流驅動級。

此模組具備獨立 DC 匯流排和相位電壓感測，以及獨立低壓側電流分流放大器，因此此評估模組最適合用於無感測器 BLDC 演算法。  模組透過整合式 0.35A 降壓穩壓器供應 MCU 3.3V 電源。  驅動平台具備 IDRIVE 配置，故障接腳，並可透過可配置的 SPI 保護短路，過熱，直通與欠電壓情況。

使用指南: PDF
TI.com 無法提供
計算工具

BLDC-MAX-QG-MOSFET-CALCULATOR — Calculate the maximum QG MOSFET for your motor driver

Calculate the maximum QG MOSFET that can be driven based on the PWM switching frequency, algorithm type, and additional external capacitance.
支援產品和硬體

支援產品和硬體

產品
BLDC 驅動器
DRV8320 — 65 V 最大 3 相智慧型閘極驅動器 DRV8320R — 具降壓穩壓器的 65-V 最大 3 相智慧型閘極驅動器 DRV8323 — 具電流分流放大器的 65-V 最大 3 相智慧型閘極驅動器 DRV8323R — 具降壓穩壓器和電流分流放大器的 65V 最大三相智慧型閘極驅動器 DRV8329 — 具有單電流感測放大器的 60V 3 相閘極驅動器 DRV8329-Q1 — 具有單電流感測放大器的車用 60V 3 相閘極驅動器 DRV8334 — 具有準確電流感測功能的 60-V 1000-mA 至 2000-mA 3 相閘極驅動器 DRV8340-Q1 — 車用 12V 至 24V 電池 3 相智慧型閘極驅動器 DRV8343-Q1 — 具有電流分流放大器的車用 12V 至 24V 電池 3 相智慧型閘極驅動器 DRV8350 — 102V 最大三相智慧型閘極驅動器 DRV8350F — 102-V 最大 3 相位功能安全品質管理智慧型閘極驅動器 DRV8350R — 具降壓穩壓器的 102-V 最大 3 相智慧型閘極驅動器 DRV8353 — 具電流分流放大器的 102V 最大 3 相智慧型閘極驅動器 DRV8353F — 具有 3x CSA 的 102-V 最大 3 相位功能安全品質管理智慧型閘極驅動器 DRV8353M — 具有電流分流放大器和廣泛溫度的 102-V 最大 3 相智慧型閘極驅動器 DRV8353R — 具降壓穩壓器和電流分流放大器的 102-V 最大 3 相智慧型閘極驅動器
下載
參考設計

TIDA-01629 — 48V/500W 三相逆變器，具有用於伺服驅動器的智慧閘極驅動器參考設計

對於高達 60VDC 的精巧 DC 饋電驅動器來說，效率，保護及整合是重要的設計因素。此參考設計展示了額定 48VDC 輸入和 10ARMS 輸出電流的三相位逆變器。  100V 智慧型三相閘極驅動器 DRV8350R 搭載整合式降壓轉換器，以及配備超低閘極充電的六個 100V NexFET™ 功率 MOSFET，可實現功率級的高效運行。  使用 DRV8350R 的內部保護功能，可防止功率級過熱、過電流及馬達端子與馬達端子接地之間短路。使用 INA240 實現精密的相位電流感測。此介面為 3.3V I/O，可連接 C2000™ MCU 等主機 MCU，以進行無刷 AC 馬達控制。
Design guide: PDF
電路圖: PDF
參考設計

TIDA-010056 — 適用於 3 相 BLDC 驅動的 54-V、1.5 kW、>99% 效率、70x69 mm2 功率級參考設計

此參考設計展示 1.5kW 功率級，適用於無線工具中驅動三相無刷 DC 馬達，該馬達由最高 63V 的 15 芯鋰離子電池供電。此設計為 70mm × 69mm 精巧型驅動器，可在 20kHz 切換頻率下，無需散熱器且僅透過自然對流，提供 25ARMS 連續電流，並實作基於感測器的梯形控制。此設計採用具備最佳化 MOSFET 與 PCB 佈局的智慧型閘極驅動器，以實現最佳 MOSFET 切換損耗與 EMI。此設計使用強化防護，包括 MOSFET 過電流和透過 VDS 監控的直通防護、閘極保護、切換電壓突波最佳化與電壓轉換率控制及過熱防護，展現 MOSFET 在安全運作區內的運作，
Design guide: PDF
電路圖: PDF
封裝 針腳 CAD 符號、佔位空間與 3D 模型
VQFN (RGZ) 48 Ultra Librarian
適用 TI 的評估品項標準條款與條件。

訂購與品質

內含資訊：
  • RoHS
  • REACH
  • 產品標記
  • 鉛塗層/球物料
  • MSL 等級/回焊峰值
  • MTBF/FIT 估算值
  • 材料內容
  • 認證摘要
  • 進行中持續性的可靠性監測
內含資訊：
  • 晶圓廠位置
  • 組裝地點

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