JAJSKX3A December 2020 – May 2022 UCC27289
PRODUCTION DATA
ピン | I/O(1) | 説明 | ||||
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名称 | DRC | DRM | DPR | D | ||
EN | 6 | 該当なし | 該当なし | 該当なし | I | イネーブル入力。このピンを High にすると、ドライバはイネーブルになります。フローティング状態または Low にプルされると、ドライバはディセーブルになります。1nF のフィルタ・コンデンサは、高ノイズ・システムに推奨されます。 |
HB | 3 | 2 | 2 | 2 | P | ハイサイド・ブートストラップ電源。ブートストラップ・ダイオードはオンチップですが、VDD からブートストラップ電源を生成するには外部ブートストラップ・コンデンサが必要です。ブートストラップ・コンデンサの正側と外部ダイオードのカソードをこのピンに接続します。外部ダイオードは 100V (最小) 定格にする必要があります。より電圧定格の高いダイオードも使用できます。HB バイパス・コンデンサの標準推奨値は 0.1μF で、この値は主にハイサイド MOSFET のゲート電荷に依存します。 |
HI | 7 | 5 | 7 | 5 | I | ハイサイド入力。 |
HO | 4 | 3 | 3 | 3 | O | ハイサイド出力。使用する場合は、ハイサイド・パワー MOSFET のゲート、または外部ゲート抵抗の一方の端に接続します。 |
HS | 5 | 4 | 4 | 4 | P | ハイサイド・ソース接続。ハイサイド・パワー MOSFET のソースに接続します。ブートストラップ・コンデンサの負側をこのピンに接続します。 |
LI | 8 | 6 | 8 | 6 | I | ローサイド入力 |
LO | 10 | 8 | 10 | 8 | O | ローサイド出力。使用する場合は、ローサイド・パワー MOSFET のゲート、または外部ゲート抵抗の一方の端に接続します。 |
NC | 2 | 該当なし | 5、6 | 該当なし | - | 内部未接続。 |
VDD | 1 | 1 | 1 | 1 | P | ローサイド・ゲート・ドライバへの正電源。このピンを VSS にデカップリングします。デカップリング・コンデンサの標準値は 1μF です。外部ブート・ダイオードを使用する場合は、アノードをこのピンに接続します。直列抵抗をブート・ダイオードと直列に使用する場合は、直列ブート抵抗の一方の端をこのピンに接続し、抵抗のもう一方の端を外部ブート・ダイオードのアノードに接続する必要があります。 |
VSS | 9 | 7 | 9 | 7 | G | デバイスの負電源端子で、一般にシステム・グランドです。 |
サーマル・パッド | - | - | - | 該当なし | - | 熱性能を向上させるため、大きな熱質量パターン (一般に IC のグランド・プレーン) に接続します。これのみ VSS に電気的に接続できます。 |