JAJAA91D October 2020 – November 2025 ISO6720-Q1 , ISO6721 , ISO6721-Q1 , ISO6731 , ISO6740 , ISO6741 , ISO6741-Q1 , ISO6742 , ISO7021 , ISO7041 , ISO7131CC , ISO7140CC , ISO7140FCC , ISO7141CC , ISO7141FCC , ISO7142CC , ISO7142CC-Q1 , ISO721 , ISO721-Q1 , ISO721M , ISO721M-EP , ISO722 , ISO722-Q1 , ISO7220A , ISO7220A-Q1 , ISO7220B , ISO7220C , ISO7220M , ISO7221A , ISO7221A-Q1 , ISO7221B , ISO7221C , ISO7221C-HT , ISO7221C-Q1 , ISO7221M , ISO722M , ISO7230C , ISO7230M , ISO7231C , ISO7231C-Q1 , ISO7231M , ISO7240C , ISO7240CF , ISO7240CF-Q1 , ISO7240M , ISO7241A-EP , ISO7241C , ISO7241C-Q1 , ISO7241M , ISO7242C , ISO7242C-Q1 , ISO7242M , ISO7310-Q1 , ISO7310C , ISO7310FC , ISO7320-Q1 , ISO7320C , ISO7320FC , ISO7321-Q1 , ISO7321C , ISO7321FC , ISO7330-Q1 , ISO7330C , ISO7330FC , ISO7331-Q1 , ISO7331C , ISO7331FC , ISO7340-Q1 , ISO7340C , ISO7340FC , ISO7341-Q1 , ISO7341C , ISO7341FC , ISO7342-Q1 , ISO7342C , ISO7342FC , ISO7420 , ISO7420E , ISO7420FCC , ISO7420FE , ISO7420M , ISO7421 , ISO7421-EP , ISO7421A-Q1 , ISO7421E , ISO7421E-Q1 , ISO7421FE , ISO7520C , ISO7521C , ISO7631FC , ISO7631FM , ISO7640FM , ISO7641FC , ISO7641FM , ISO7710 , ISO7710-Q1 , ISO7720 , ISO7720-Q1 , ISO7721 , ISO7721-Q1 , ISO7730 , ISO7730-Q1 , ISO7731 , ISO7731-Q1 , ISO7740 , ISO7740-Q1 , ISO7741 , ISO7741-Q1 , ISO7741E-Q1 , ISO7742 , ISO7742-Q1 , ISO7760 , ISO7760-Q1 , ISO7761 , ISO7761-Q1 , ISO7762 , ISO7762-Q1 , ISO7763 , ISO7763-Q1 , ISO7810 , ISO7820 , ISO7821 , ISO7830 , ISO7831 , ISO7840 , ISO7841 , ISO7842 , ISOW7821 , ISOW7840 , ISOW7841 , ISOW7841A-Q1 , ISOW7842 , ISOW7843 , ISOW7844
デジタル アイソレータとフォトカプラは類似した機能を備えていますが、これらのデバイスは構造と動作原理がかなり異なります。フォトカプラは LED を使用して、絶縁バリア (またはインシュレーション バリア) にまたがる形でデジタル情報またはアナログ情報を伝達します (多くの場合、バリアは何もない空間ギャップ)。図 1-1 に示されているように、一部のフォトカプラは、絶縁材料としてエポキシを使用しており、その絶縁耐力は空気よりわずかに優れています。一方、デジタル アイソレータは、静電容量性絶縁と磁気性絶縁のどちらかを使用することができます。図 1-2 に示されているように、静電容量性デジタル アイソレータは、SiO2 を絶縁体として使用した 2 つの直列絶縁コンデンサで構成されています。磁気性絶縁は、絶縁体で分離されたコイルを利用します。表 1-1 に示されているように、TI は静電容量性絶縁と磁気性絶縁の両方で SiO2 を活用しており、競合する絶縁技術で使用される絶縁体に比べて、絶縁材料の中で最高の絶縁耐力と非常に強力な性能を実現しています。
図 1-1 代表的なフォトカプラの構造
図 1-2 TI のデジタル アイソレータの構造| 絶縁材の組成 | 誘電体強度 |
|---|---|
| 空気 | 約 1VRMS/µm |
| エポキシ | 約 20VRMS/µm |
| シリカを充てんしたモールド樹脂 | 約 100VRMS/µm |
| ポリイミド | 約 300VRMS/µm |
| SiO2 | 約 500VRMS/µm |