JAJSST7B January 2024 – September 2025 MCF8315C-Q1
PRODUCTION DATA
出力段の MOSFET には調整可能なゲート ドライブ電流制御が実装されており、EMI を低減するためにスルーレートを設定できます。MOSFET の VDS スルーレートは、放射エミッション、ダイオードの回復スパイクの総エネルギーと持続時間、ならびに PCB の寄生要素に関連するスイッチング電圧過渡を最適化するための重要な要因です。このスルーレートは主に、内部 MOSFET ゲート電流の制御によって決定されます (図 6-10 を参照)。
図 6-10 スルーレート回路の実装各ハーフブリッジのスルーレートは、SLEW_RATE 設定で調整できます。スルーレートは、125V/μs または 200V/μs に設定できます。スルーレートは、OUTx ピンの電圧の立ち上がり時間と立ち下がり時間によって計算されます (図 6-11 を参照)。
図 6-11 スルーレート タイミング