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LM5101

AKTIV

Hochspannungs-High-Side- und Low-Side-Gate-Treiber

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UCC27201A AKTIV Halbbrücken-Gate-Treiber, 120 V, 3 A, mit 8 V UVLO, negativer Spannungsbehandlung und TTL-Eingängen Newer, higher current version available with improved specs.

LM5101

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Produktdetails

Power switch MOSFET Operating temperature range (°C) to Undervoltage lockout (typ) (V) 8 Rating Catalog
Power switch MOSFET Operating temperature range (°C) to Undervoltage lockout (typ) (V) 8 Rating Catalog
SOIC (D) 8 29.4 mm² (4.9 mm × 6 mm)
  • Drives both a high side and low side N-Channel MOSFET
  • Independent high and low driver logic inputs (TTL for LM5101 or CMOS for LM5100)
  • Bootstrap supply voltage range up to 118V DC
  • Fast propagation times (25 ns typical)
  • Drives 1000 pF load with 15 ns rise and fall times
  • Excellent propagation delay matching (3 ns typical)
  • Supply rail under-voltage lockouts
  • Low power consumption
  • Pin compatible with HIP2100/HIP2101
  • Drives both a high side and low side N-Channel MOSFET
  • Independent high and low driver logic inputs (TTL for LM5101 or CMOS for LM5100)
  • Bootstrap supply voltage range up to 118V DC
  • Fast propagation times (25 ns typical)
  • Drives 1000 pF load with 15 ns rise and fall times
  • Excellent propagation delay matching (3 ns typical)
  • Supply rail under-voltage lockouts
  • Low power consumption
  • Pin compatible with HIP2100/HIP2101

The LM5100/LM5101 High Voltage Gate Drivers are designed to drive both the high side and the low side N-Channel MOSFETs in a synchronous buck or a half bridge configuration. The floating high-side driver is capable of operating with supply voltages up to 100V. The outputs are independently controlled with CMOS input thresholds (LM5100) or TTL input thresholds (LM5101). An integrated high voltage diode is provided to charge the high side gate drive bootstrap capacitor. A robust level shifter operates at high speed while consuming low power and providing clean level transitions from the control logic to the high side gate driver. Under-voltage lockout is provided on both the low side and the high side power rails. This device is available in the standard SOIC-8 pin and the LLP-10 pin packages.

The LM5100/LM5101 High Voltage Gate Drivers are designed to drive both the high side and the low side N-Channel MOSFETs in a synchronous buck or a half bridge configuration. The floating high-side driver is capable of operating with supply voltages up to 100V. The outputs are independently controlled with CMOS input thresholds (LM5100) or TTL input thresholds (LM5101). An integrated high voltage diode is provided to charge the high side gate drive bootstrap capacitor. A robust level shifter operates at high speed while consuming low power and providing clean level transitions from the control logic to the high side gate driver. Under-voltage lockout is provided on both the low side and the high side power rails. This device is available in the standard SOIC-8 pin and the LLP-10 pin packages.
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Technische Dokumentation

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Top-Dokumentation Typ Titel Format-Optionen Neueste englische Version herunterladen Datum
* Datenblatt LM5100/LM5101 High Voltage High Side and Low Side Gate Driver datasheet (Rev. C) 16.03.2005
Anwendungshinweis Using Half-Bridge Gate Driver to Achieve 100% Duty Cycle for High Side FET PDF | HTML 25.03.2024
Anwendungshinweis Bootstrap Circuitry Selection for Half Bridge Configurations (Rev. A) PDF | HTML 08.09.2023
Anwendungshinweis Comparative Analysis of Two Different Methods for Gate-Drive Current Boosting (Rev. A) PDF | HTML 17.02.2022
Application brief External Gate Resistor Selection Guide (Rev. A) 28.02.2020
Application brief Understanding Peak IOH and IOL Currents (Rev. A) 28.02.2020
Weitere Dokumente Fundamentals of MOSFET and IGBT Gate Driver Circuits (Replaces SLUP169) (Rev. A) 29.10.2018
Auswahlhilfe Power Management Guide 2018 (Rev. R) 25.06.2018

Design und Entwicklung

Weitere Bedingungen oder erforderliche Ressourcen enthält gegebenenfalls die Detailseite, die Sie durch Klicken auf einen der unten stehenden Titel erreichen.

Evaluierungsplatine

UCC27288EVM — Evaluierungsmodul für Halbbrücken-Gate-Treiber UCC27288, 100 V, 3 A, mit 8-V-UVLO.

Das UCC27288EVM ist für die Evaluierung des UCC27288D ausgelegt, einem 100-V-Halbbrücken-Gate-Treiber mit 2,5-A-Quell- und 3,5-A-Senk-Spitzenstrombelastbarkeit. Dieses EVM dient als Referenzdesign zur Ansteuerung von Leistungs-MOSFETs mit bis zu 20 V Antriebsspannung.
Benutzerhandbuch: PDF
Unterstützte Produkte und Hardware
Vorrätig
Limit:
??asset.out-of-stock-ti_de_DE??
Nicht verfügbar
Berechnungstool

SNVR521 — LM51xx Schematic Review Template

Unterstützte Produkte und Hardware
Gehäuse Pins CAD-Symbole, Footprints und 3D-Modelle
SOIC (D) 8 Ultra Librarian
Es gelten die allgemeinen Geschäftsbedingungen von TI für Evaluierungsartikel.

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Empfohlene Produkte können Parameter, Evaluierungsmodule oder Referenzdesigns zu diesem TI-Produkt beinhalten.

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