LMH9135

AKTIV

3,2 bis 4,2 GHz Differenz-zu-Eintaktwandler mit integriertem Balun

Produktdetails

Type Active Balun Frequency (min) (MHz) 3200 Frequency (max) (MHz) 4200 Gain (typ) (dB) 18.8 Noise figure (typ) (dB) 3.8 OIP3 (typ) (dBm) 31.5 P1dB (typ) (dBm) 18 Frequency of harmonic distortion measurement (GHz) 3.5 Supply voltage (V) 3.3 Current consumption (mA) 120 Number of channels 1 Operating temperature range (°C) -40 to 105 Rating Catalog Output enable Yes
Type Active Balun Frequency (min) (MHz) 3200 Frequency (max) (MHz) 4200 Gain (typ) (dB) 18.8 Noise figure (typ) (dB) 3.8 OIP3 (typ) (dBm) 31.5 P1dB (typ) (dBm) 18 Frequency of harmonic distortion measurement (GHz) 3.5 Supply voltage (V) 3.3 Current consumption (mA) 120 Number of channels 1 Operating temperature range (°C) -40 to 105 Rating Catalog Output enable Yes
WQFN (RRL) 12 4 mm² 2 x 2
  • Single-Channel, Narrow-Band Differential Input to Single-Ended Output RF Gain Block Amplifier
  • Supports 3.2 – 4.2 GHz 1-dB BW Typical
  • 18 dB Typical Gain Across the Band
  • 3.8 dB Noise Figure
  • 31.5 dBm OIP3
  • 18 dBm Output P1dB
  • 395 mW Power Consumption on Single +3.3 V Supply
  • Up to 105°C TC Operating Temperature
  • Single-Channel, Narrow-Band Differential Input to Single-Ended Output RF Gain Block Amplifier
  • Supports 3.2 – 4.2 GHz 1-dB BW Typical
  • 18 dB Typical Gain Across the Band
  • 3.8 dB Noise Figure
  • 31.5 dBm OIP3
  • 18 dBm Output P1dB
  • 395 mW Power Consumption on Single +3.3 V Supply
  • Up to 105°C TC Operating Temperature

LMH9135 are high-performance, single-channel, differential input to single-ended output transmit radio frequency (RF) gain block amplifiers that support 3.2 – 4.2 GHz frequency band. The device can support the requirements for next generation 5G active antenna systems (AAS) or small-cell applications while driving the input of a power amplifier (PA). The RF amplifier provides 18 dB typical gain with good linearity performance of +31.5 dBm Output IP3, while maintaining less than 4 dB noise figure across the whole 1 dB bandwidth. The device is internally matched for 100-Ω differential input impedance providing easy interface with an RF-sampling or Zero-IF analog front-end (AFE) at the input. Also, the device is internally matched for 50-Ω single-ended output impedance that is required to easily interface with a post-amplifier, surface acoustic wave (SAW) filter, or power amplifier (PA).

Operating on a single 3.3 V supply, the device consumes about 395 mW typical active power making it suitable for high-density 5G massive MIMO applications. Also, the device is available in a space saving 2 mm x 2 mm, 12-pin QFN package. The device is rated for an operating temperature of up to 105°C to provide a robust system design. There is a 1.8-V JEDEC compliant power down pin available for fast power down and power up of the device suitable for time division duplex (TDD) systems.

LMH9135 are high-performance, single-channel, differential input to single-ended output transmit radio frequency (RF) gain block amplifiers that support 3.2 – 4.2 GHz frequency band. The device can support the requirements for next generation 5G active antenna systems (AAS) or small-cell applications while driving the input of a power amplifier (PA). The RF amplifier provides 18 dB typical gain with good linearity performance of +31.5 dBm Output IP3, while maintaining less than 4 dB noise figure across the whole 1 dB bandwidth. The device is internally matched for 100-Ω differential input impedance providing easy interface with an RF-sampling or Zero-IF analog front-end (AFE) at the input. Also, the device is internally matched for 50-Ω single-ended output impedance that is required to easily interface with a post-amplifier, surface acoustic wave (SAW) filter, or power amplifier (PA).

Operating on a single 3.3 V supply, the device consumes about 395 mW typical active power making it suitable for high-density 5G massive MIMO applications. Also, the device is available in a space saving 2 mm x 2 mm, 12-pin QFN package. The device is rated for an operating temperature of up to 105°C to provide a robust system design. There is a 1.8-V JEDEC compliant power down pin available for fast power down and power up of the device suitable for time division duplex (TDD) systems.

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Technische Dokumentation

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Typ Titel Datum
* Data sheet LMH9135 3.2 – 4.2 GHz Differential to Single-Ended Amplifier with Integrated Balun datasheet PDF | HTML 21 Aug 2020
Certificate LMH9135RRLEVM EU Declaration of Conformity (DoC) 15 Mai 2020

Design und Entwicklung

Weitere Bedingungen oder erforderliche Ressourcen enthält gegebenenfalls die Detailseite, die Sie durch Klicken auf einen der unten stehenden Titel erreichen.

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Simulationsmodell

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Gehäuse Pins CAD-Symbole, Footprints und 3D-Modelle
WQFN (RRL) 12 Ultra Librarian

Bestellen & Qualität

Beinhaltete Information:
  • RoHS
  • REACH
  • Bausteinkennzeichnung
  • Blei-Finish/Ball-Material
  • MSL-Rating / Spitzenrückfluss
  • MTBF-/FIT-Schätzungen
  • Materialinhalt
  • Qualifikationszusammenfassung
  • Kontinuierliches Zuverlässigkeitsmonitoring
Beinhaltete Information:
  • Werksstandort
  • Montagestandort

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