TRF0208-SP

AKTIV

Strahlungshärte-gesicherter (RHA) HF-Verstärker für die Umwandlung von unsymmetrischen in differenzi

Produktdetails

Type RF FDA Frequency (min) (MHz) 0.01 Frequency (max) (MHz) 11000 Gain (typ) (dB) 16 Noise figure (typ) (dB) 6.8 OIP3 (typ) (dBm) 36 P1dB (typ) (dBm) 14.5 Frequency of harmonic distortion measurement (GHz) 2 3rd harmonic (dBc) -63 OIP2 (typ) (dBm) 60 2nd harmonic (dBc) -65 Supply voltage (V) 3.3 Current consumption (mA) 130 Number of channels 1 Operating temperature range (°C) -55 to 125 Rating Space Output enable Yes Radiation, SEL (MeV·cm2/mg) 75 Radiation, TID (typ) (rad) 100000
Type RF FDA Frequency (min) (MHz) 0.01 Frequency (max) (MHz) 11000 Gain (typ) (dB) 16 Noise figure (typ) (dB) 6.8 OIP3 (typ) (dBm) 36 P1dB (typ) (dBm) 14.5 Frequency of harmonic distortion measurement (GHz) 2 3rd harmonic (dBc) -63 OIP2 (typ) (dBm) 60 2nd harmonic (dBc) -65 Supply voltage (V) 3.3 Current consumption (mA) 130 Number of channels 1 Operating temperature range (°C) -55 to 125 Rating Space Output enable Yes Radiation, SEL (MeV·cm2/mg) 75 Radiation, TID (typ) (rad) 100000
WQFN-FCRLF (RPV) 12 4 mm² 2 x 2
  • Standard microcircuit drawing (SMD), 5962-24202
  • Radiation:
    • Total ionizing dose (TID)
      • Radiation hardness assurance (RHA) up to 100krad (Si) TID
      • Enhanced low dose rate sensitivity (ELDRS) free process
      • High dose rate radiation lot acceptance testing (HDR RLAT) up to 100krad (Si) TID
    • Single event effects (SEE)
      • Single event latch-up (SEL) immune to linear energy transfer (LET) of 75MeV-cm2/mg
      • Single event transient (SET) characterized to LET of 75MeV‑cm2/mg
  • Space-grade QMLP
    • Lead-free construction
    • Extended temperature range: –55°C to +125°C
  • Excellent performance driving RF ADCs
  • Fixed power gain of 16dB in single-ended-to-differential mode
  • Bandwidth: 11GHz, 3dB
  • Gain flatness: 8GHz, 1dB
  • OIP3: 36dBm (2GHz), 32dBm (6GHz)
  • P1dB: 14.5dBm (2GHz), 11dBm (6GHz)
  • NF: 6.8dB (2GHz), 6.8dB (6GHz)
  • Gain and phase imbalance: ±0.3dB and ±3º
  • Power-down feature
  • Single-supply operation: 3.3V
  • Active current: 138mA
  • Standard microcircuit drawing (SMD), 5962-24202
  • Radiation:
    • Total ionizing dose (TID)
      • Radiation hardness assurance (RHA) up to 100krad (Si) TID
      • Enhanced low dose rate sensitivity (ELDRS) free process
      • High dose rate radiation lot acceptance testing (HDR RLAT) up to 100krad (Si) TID
    • Single event effects (SEE)
      • Single event latch-up (SEL) immune to linear energy transfer (LET) of 75MeV-cm2/mg
      • Single event transient (SET) characterized to LET of 75MeV‑cm2/mg
  • Space-grade QMLP
    • Lead-free construction
    • Extended temperature range: –55°C to +125°C
  • Excellent performance driving RF ADCs
  • Fixed power gain of 16dB in single-ended-to-differential mode
  • Bandwidth: 11GHz, 3dB
  • Gain flatness: 8GHz, 1dB
  • OIP3: 36dBm (2GHz), 32dBm (6GHz)
  • P1dB: 14.5dBm (2GHz), 11dBm (6GHz)
  • NF: 6.8dB (2GHz), 6.8dB (6GHz)
  • Gain and phase imbalance: ±0.3dB and ±3º
  • Power-down feature
  • Single-supply operation: 3.3V
  • Active current: 138mA

The TRF0208-SP is a very high performance fully differential amplifier (FDA) optimized for radio frequency (RF) applications. This device is excellent for ac-coupled applications that require a single-ended to differential conversion when driving an analog-to-digital converter (ADC) such as the high-performance AFE7950-SP or ADC12DJ5200-SP. The on-chip matching components simplify printed circuit board (PCB) implementation and provide the highest performance over the usable bandwidth. The device is fabricated using TI’s advanced complementary BiCMOS process, and available in a space-saving WQFN-FCRLF package.

The TRF0208-SP operates on a single-rail supply and consumes about 138mA of active current. A power-down feature is available for power savings.

The TRF0208-SP is a very high performance fully differential amplifier (FDA) optimized for radio frequency (RF) applications. This device is excellent for ac-coupled applications that require a single-ended to differential conversion when driving an analog-to-digital converter (ADC) such as the high-performance AFE7950-SP or ADC12DJ5200-SP. The on-chip matching components simplify printed circuit board (PCB) implementation and provide the highest performance over the usable bandwidth. The device is fabricated using TI’s advanced complementary BiCMOS process, and available in a space-saving WQFN-FCRLF package.

The TRF0208-SP operates on a single-rail supply and consumes about 138mA of active current. A power-down feature is available for power savings.

Herunterladen Video mit Transkript ansehen Video

Technische Dokumentation

star =Von TI ausgewählte Top-Empfehlungen für dieses Produkt
Keine Ergebnisse gefunden. Bitte geben Sie einen anderen Begriff ein und versuchen Sie es erneut.
Alle anzeigen 4
Typ Titel Datum
* Data sheet TRF0208-SP Radiation-Hardness-Assured (RHA), Near-DC to 11GHz, Fully Differential RF Amplifier datasheet (Rev. B) PDF | HTML 03 Nov 2025
* Radiation & reliability report TRF0208-SP, Near-DC to 11GHz, Fully Differential RF Amplifier Single-Event Effects (SEE) Radiation Report PDF | HTML 23 Dez 2024
* Radiation & reliability report TRF0208-SP Total Ionizing Dose (TID) Report PDF | HTML 17 Dez 2024
Technical article Phased array antenna systems: A new paradigm for electronics in satellites (Rev. A) PDF | HTML 11 Jun 2024

Design und Entwicklung

Weitere Bedingungen oder erforderliche Ressourcen enthält gegebenenfalls die Detailseite, die Sie durch Klicken auf einen der unten stehenden Titel erreichen.

Evaluierungsplatine

TRF0208SP-EVM — TRF0208-SP – Evaluierungsmodul

Das TRF0208-SP-Evaluierungsmodul (EVM) wird zur Evaluierung des TRF0208-SP-Bausteins verwendet, eines HF-Differenzverstärkers, der in einem 2 mm × 2 mm, 12-Pin WQFN-Gehäuse erhältlich ist. Der Baustein ist zur Ansteuerung von Hochgeschwindigkeits-A/D-Wandlern und HF-Differenzeingängen konzipiert, (...)

Benutzerhandbuch: PDF | HTML
Simulationsmodell

TRF0208 S-Parameters Model

SBOMCN3.ZIP (5 KB) - S-Parameter Model
Simulationsmodell

TRF0208-SEP and TRF0208-SP S-Parameter Model

SBOMCN1.ZIP (10 KB) - S-Parameter Model
Referenzdesigns

TIDA-010260 — Referenzdesign für integrierten 4T5R-Transceiver, raumfahrttauglich

Das Referenzdesign für einen integrierten raumfahrttauglichen 4T5R-Transceiver umfasst einen vollständigen HF-Sampling-Transceiver einschließlich einer Taktlösung und einer Stromversorgungslösung. Das Design umfasst alle SEP-qualifizierten Bausteine von TI und alle raumfahrttauglichen passiven (...)
Design guide: PDF
Gehäuse Pins CAD-Symbole, Footprints und 3D-Modelle
WQFN-FCRLF (RPV) 12 Ultra Librarian

Bestellen & Qualität

Beinhaltete Information:
  • RoHS
  • REACH
  • Bausteinkennzeichnung
  • Blei-Finish/Ball-Material
  • MSL-Rating / Spitzenrückfluss
  • MTBF-/FIT-Schätzungen
  • Materialinhalt
  • Qualifikationszusammenfassung
  • Kontinuierliches Zuverlässigkeitsmonitoring
Beinhaltete Information:
  • Werksstandort
  • Montagestandort

Empfohlene Produkte können Parameter, Evaluierungsmodule oder Referenzdesigns zu diesem TI-Produkt beinhalten.

Support und Schulungen

TI E2E™-Foren mit technischem Support von TI-Ingenieuren

Inhalte werden ohne Gewähr von TI und der Community bereitgestellt. Sie stellen keine Spezifikationen von TI dar. Siehe Nutzungsbedingungen.

Bei Fragen zu den Themen Qualität, Gehäuse oder Bestellung von TI-Produkten siehe TI-Support. ​​​​​​​​​​​​​​

Videos