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TRF0108-SEP

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Strahlungstoleranter RF-Verstärker zur Umwandlung von differenziellen in unsymmetrische Signale,

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TRF0108-SEP

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Produktdetails

Type RF FDA Frequency (min) (MHz) 0.01 Frequency (max) (MHz) 12000 Gain (typ) (dB) 15.2, 15.5 Noise figure (typ) (dB) 10.9 OIP3 (typ) (dBm) 27 P1dB (typ) (dBm) 11.4 Frequency of harmonic distortion measurement (GHz) 2 3rd harmonic (dBc) -50 OIP2 (typ) (dBm) 43 2nd harmonic (dBc) -49 Supply voltage (V) 5 Current consumption (mA) 170 Number of channels 1 Operating temperature range (°C) -55 to 125 Rating Space Output enable Yes
Type RF FDA Frequency (min) (MHz) 0.01 Frequency (max) (MHz) 12000 Gain (typ) (dB) 15.2, 15.5 Noise figure (typ) (dB) 10.9 OIP3 (typ) (dBm) 27 P1dB (typ) (dBm) 11.4 Frequency of harmonic distortion measurement (GHz) 2 3rd harmonic (dBc) -50 OIP2 (typ) (dBm) 43 2nd harmonic (dBc) -49 Supply voltage (V) 5 Current consumption (mA) 170 Number of channels 1 Operating temperature range (°C) -55 to 125 Rating Space Output enable Yes
— (—) — See data sheet
  • Vendor item drawing number: VID V62/26604
  • Radiation:
    • Total ionizing dose (TID)
      • Radiation hardness assurance (RHA) up to 30krad (Si) TID
      • Enhanced low dose rate sensitivity (ELDRS) free process
      • High dose rate radiation lot acceptance testing (HDR RLAT) up to 30krad (Si) TID
    • Single event effects (SEE)
      • Single event latch-up (SEL) immune to linear energy transfer (LET) of 43MeV‑cm2/mg
      • Single event transient (SET) characterized to LET of 43MeV‑cm2/mg
  • Space-enhanced plastic (Space EP, SEP)
    • Lead-free construction
    • Extended temperature range: –55°C to +125°C
  • Differential to single-ended (D2S) RF amplifier
  • Near-DC to 12GHz
  • Gain: 15.2dB at 2GHz
  • OP1dB: 11.4dBm (2GHz), 9.4dBm (6GHz)
  • OIP3: 27dBm (2GHz), 28.5dBm (6GHz)
  • NF: 10.9dB (2GHz), 12.1dB (6GHz)
  • HD2 (1GHz): –57dBc at 2dBm
  • HD3 (1GHz): –57dBc at 2dBm
  • Additive (residual) phase noise (1GHz):
    • –154.6dBc/Hz at 10kHz offset
  • Gain and phase imbalance: ±0.6dB and ±3º
  • Differential input matched to 100Ω, Single-ended output matched to 50Ω
  • Power-down feature
  • 5V supply
  • Active current: 170mA
  • Vendor item drawing number: VID V62/26604
  • Radiation:
    • Total ionizing dose (TID)
      • Radiation hardness assurance (RHA) up to 30krad (Si) TID
      • Enhanced low dose rate sensitivity (ELDRS) free process
      • High dose rate radiation lot acceptance testing (HDR RLAT) up to 30krad (Si) TID
    • Single event effects (SEE)
      • Single event latch-up (SEL) immune to linear energy transfer (LET) of 43MeV‑cm2/mg
      • Single event transient (SET) characterized to LET of 43MeV‑cm2/mg
  • Space-enhanced plastic (Space EP, SEP)
    • Lead-free construction
    • Extended temperature range: –55°C to +125°C
  • Differential to single-ended (D2S) RF amplifier
  • Near-DC to 12GHz
  • Gain: 15.2dB at 2GHz
  • OP1dB: 11.4dBm (2GHz), 9.4dBm (6GHz)
  • OIP3: 27dBm (2GHz), 28.5dBm (6GHz)
  • NF: 10.9dB (2GHz), 12.1dB (6GHz)
  • HD2 (1GHz): –57dBc at 2dBm
  • HD3 (1GHz): –57dBc at 2dBm
  • Additive (residual) phase noise (1GHz):
    • –154.6dBc/Hz at 10kHz offset
  • Gain and phase imbalance: ±0.6dB and ±3º
  • Differential input matched to 100Ω, Single-ended output matched to 50Ω
  • Power-down feature
  • 5V supply
  • Active current: 170mA

The TRF0108-SEP is a very high performance, differential-to-single-ended (D2S) amplifier optimized for radio-frequency (RF) applications. The device is an excellent choice for applications that require a D2S conversion when driven by a digital-to-analog converter (DAC) such as the high-performance DAC39RF10-SEP or AFE7950-SEP. The on-chip matching components simplify printed circuit board (PCB) implementation and provide the highest performance over the usable bandwidth. The device is fabricated using Texas Instruments’ advanced complementary BiCMOS process and is available in a space-saving, WQFN-FCRLF 2mm x 2mm package.

The TRF0108-SEP operates on a single 5V supply and consumes about 170mA of active current. A power-down feature is also available for power savings.

The TRF0108-SEP is a very high performance, differential-to-single-ended (D2S) amplifier optimized for radio-frequency (RF) applications. The device is an excellent choice for applications that require a D2S conversion when driven by a digital-to-analog converter (DAC) such as the high-performance DAC39RF10-SEP or AFE7950-SEP. The on-chip matching components simplify printed circuit board (PCB) implementation and provide the highest performance over the usable bandwidth. The device is fabricated using Texas Instruments’ advanced complementary BiCMOS process and is available in a space-saving, WQFN-FCRLF 2mm x 2mm package.

The TRF0108-SEP operates on a single 5V supply and consumes about 170mA of active current. A power-down feature is also available for power savings.
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Technische Dokumentation

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Typ Titel Datum
* Data sheet TRF0108-SEP Radiation-Tolerant, Near-DC to 12GHz, Differential to Single-Ended RF Amplifier datasheet PDF | HTML 23 Dez 2025
Selection guide TI Space Products (Rev. K) 04 Apr 2025

Design und Entwicklung

Weitere Bedingungen oder erforderliche Ressourcen enthält gegebenenfalls die Detailseite, die Sie durch Klicken auf einen der unten stehenden Titel erreichen.

Simulationsmodell

TRF0108-SEP S-Parameter Model

SLOM539.ZIP (8 KB) - S-Parameter Model
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Referenzdesigns

TIDA-010274 — Referenzdesign für einen weltraumtauglichen diskreten HF-Sampling-Transceiver

Dieses Referenzdesign umfasst einen 10 GSPS-Dual-Digital-Analog-Wandler und einen 5 GSPS-Dual-Analog-Digital-Wandler mit aktiven Baluns an der HF-Schnittstelle mit Unterstützung bis zum X-Band. Das Design enthält außerdem eine weltraumtaugliche Tochterkarte für die Taktgebung und eine (...)
Design guide: PDF
Gehäuse Pins CAD-Symbole, Footprints und 3D-Modelle
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