Inicio Lógica y traducción de voltaje Biestables, latches y registros Biestables tipo D

SN74LVC1G74

ACTIVO

Biestable único de tipo D con activación de borde positivo con opciones de eliminación y preajuste

Detalles del producto

Number of channels 1 Technology family LVC Input type Standard CMOS Output type Push-Pull Clock frequency (max) (MHz) 200 IOL (max) (mA) 32 IOH (max) (mA) -32 Supply current (max) (µA) 10 Features Balanced outputs, Over-voltage tolerant inputs, Partial power down (Ioff), Very high speed (tpd 5-10ns) Operating temperature range (°C) -40 to 125 Rating Catalog
Number of channels 1 Technology family LVC Input type Standard CMOS Output type Push-Pull Clock frequency (max) (MHz) 200 IOL (max) (mA) 32 IOH (max) (mA) -32 Supply current (max) (µA) 10 Features Balanced outputs, Over-voltage tolerant inputs, Partial power down (Ioff), Very high speed (tpd 5-10ns) Operating temperature range (°C) -40 to 125 Rating Catalog
VSSOP (DCU) 8 6.2 mm² (2 mm × 3.1 mm) SSOP (DCT) 8 11.8 mm² (2.95 mm × 4 mm) X2SON (DQE) 8 1.4 mm² (1.4 mm × 1 mm) UQFN (RSE) 8 2.25 mm² (1.5 mm × 1.5 mm)
  • Available in the Texas Instruments NanoFree™ package
  • Supports 5-V VCC operation
  • Inputs accept voltages to 5.5-V
  • Supports down translation to VCC
  • Maximum tpd of 5.9-ns at 3.3-V
  • Low power consumption, 10-µA maximum ICC
  • ±24-mA output drive at 3.3-V
  • Typical VOLP (output ground bounce) < 0.8-V at VCC = 3.3-V, TA = 25°C
  • Typical VOHV (output VOH undershoot) > 2-V at VCC = 3.3 V, TA = 25°C
  • Ioff supports live insertion, partial-power-down mode, and back-drive protection
  • Latch-up performance exceeds 100 mA per JESD 78, class II
  • ESD protection exceeds JESD 22
    • 2000-V human-body model
    • 200-V machine model
    • 1000-V charged-device model
  • Available in the Texas Instruments NanoFree™ package
  • Supports 5-V VCC operation
  • Inputs accept voltages to 5.5-V
  • Supports down translation to VCC
  • Maximum tpd of 5.9-ns at 3.3-V
  • Low power consumption, 10-µA maximum ICC
  • ±24-mA output drive at 3.3-V
  • Typical VOLP (output ground bounce) < 0.8-V at VCC = 3.3-V, TA = 25°C
  • Typical VOHV (output VOH undershoot) > 2-V at VCC = 3.3 V, TA = 25°C
  • Ioff supports live insertion, partial-power-down mode, and back-drive protection
  • Latch-up performance exceeds 100 mA per JESD 78, class II
  • ESD protection exceeds JESD 22
    • 2000-V human-body model
    • 200-V machine model
    • 1000-V charged-device model

This single positive-edge-triggered D-type flip-flop is designed for 1.65-V to 5.5-V VCC operation.

NanoFree™ package technology is a major breakthrough in IC packaging concepts, using the die as the package.

A low level at the preset ( PRE) or clear ( CLR) input sets or resets the outputs, regardless of the levels of the other inputs. When PRE and CLR are inactive (high), data at the data (D) input meeting the setup time requirements is transferred to the outputs on the positive-going edge of the clock pulse. Clock triggering occurs at a voltage level and is not related directly to the rise time of the clock pulse. Following the hold-time interval, data at the D input can be changed without affecting the levels at the outputs.

This device is fully specified for partial-power-down applications using Ioff. The Ioff circuitry disables the outputs, preventing damaging current backflow through the device when it is powered down.

This single positive-edge-triggered D-type flip-flop is designed for 1.65-V to 5.5-V VCC operation.

NanoFree™ package technology is a major breakthrough in IC packaging concepts, using the die as the package.

A low level at the preset ( PRE) or clear ( CLR) input sets or resets the outputs, regardless of the levels of the other inputs. When PRE and CLR are inactive (high), data at the data (D) input meeting the setup time requirements is transferred to the outputs on the positive-going edge of the clock pulse. Clock triggering occurs at a voltage level and is not related directly to the rise time of the clock pulse. Following the hold-time interval, data at the D input can be changed without affecting the levels at the outputs.

This device is fully specified for partial-power-down applications using Ioff. The Ioff circuitry disables the outputs, preventing damaging current backflow through the device when it is powered down.

Descargar Ver vídeo con transcripción Video

Productos similares que pueden interesarle

open-in-new Comparar alternativas
Pin por pin con la misma funcionalidad que el dispositivo comparado
SN74AUP1G74 ACTIVO Biestable único de tipo D con activación de borde positivo de baja potencia Voltage range 0.8V to 3.6V, average propagation delay 8ns, average drive strength 4mA
SN74AUP2G02 ACTIVO Puertas NOR de baja potencia de 2 canales, 2 entradas, de 0.8 V a 3.6 V Voltage range 0.8V to 3.6V, average propagation delay 8ns, average drive strength 4mA
SN74AUP2G32 ACTIVO Compuerta OR de 2 canales y 2 entradas de 0.8 V a 3.6 V y baja potencia (<1 uA) Voltage range 0.8V to 3.6V, average propagation delay 8ns, average drive strength 4mA
SN74AUP3G04 ACTIVO Inversores de baja potencia de 3 canales, 0.8 V a 3.6 V Voltage range 0.8V to 3.6V, average propagation delay 8ns, average drive strength 4mA
SN74AUP2G125 ACTIVO Búferes de baja potencia de 2 canales, 0.8 V a 3.6 V con salidas de 3 estados Voltage range 0.8V to 3.6V, average propagation delay 8ns, average drive strength 4mA
SN74AUP2G241 ACTIVO Búferes de baja potencia de 2 canales, 0.8 V a 3.6 V con salidas de 3 estados Voltage range 0.8V to 3.6V, average propagation delay 8ns, average drive strength 4mA
SN74AUP3G14 ACTIVO Inversores de baja potencia, 3 canales, 0.8 V a 3.6 V con entradas de disparador Schmitt Voltage range 0.8V to 3.6V, average propagation delay 8ns, average drive strength 4mA
SN74AUP2G79 ACTIVO Biestable doble de tipo D con activación de borde positivo de baja potencia Voltage range 0.8V to 3.6V, average propagation delay 8ns, average drive strength 4mA
SN74AUP2G240 ACTIVO Inversores de baja potencia de 2 canales, 0.8 V a 3.6 V con salidas de 3 estados Voltage range 0.8V to 3.6V, average propagation delay 8ns, average drive strength 4mA
SN74AUP2G00 ACTIVO Puertas NAND de baja potencia de 2 canales, 2 entradas, de 0.8 V a 3.6 V Voltage range 0.8V to 3.6V, average propagation delay 8ns, average drive strength 4mA
SN74AUP2G126 ACTIVO Búferes de baja potencia de 2 canales, 0.8 V a 3.6 V con salidas de 3 estados Voltage range 0.8V to 3.6V, average propagation delay 8ns, average drive strength 4mA
SN74AUP2G08 ACTIVO Puerta AND de 2 canales y 2 entradas, de 0.8 V a 3.6 V, de baja potencia (< 1 uA) Voltage range 0.8V to 3.6V, average propagation delay 8ns, average drive strength 4mA
SN74AUP3G34 ACTIVO Búferes de baja potencia de 3 canales, 0.8 V a 3.6 V Voltage range 0.8V to 3.6V, average propagation delay 8ns, average drive strength 4mA
SN74AUP2G80 ACTIVO Biestable doble de tipo D con activación de borde positivo de baja potencia Voltage range 0.8V to 3.6V, average propagation delay 8ns, average drive strength 4mA
Funcionalidad similar a la del dispositivo comparado
SN74AHC74 ACTIVO Biestables tipo D con activación de borde positivo doble con Clear y Preset Voltage range 2V to 5.5V, average propagation delay 12ns, average drive strength 9mA

Documentación técnica

No se encontraron resultados. Borre su búsqueda y vuelva a intentarlo.
Ver todo 4
Documentación principal Tipo Título Opciones de formato Descargar la versión más reciente en inglés Fecha
* Hoja de datos SN74LVC1G74 Single Positive-Edge-Triggered D-Type Flip-Flop with Clear and Preset datasheet (Rev. G) PDF | HTML 14/09/2021
Nota sobre la aplicación Power-Up Behavior of Clocked Devices (Rev. B) PDF | HTML 15/12/2022
Application brief Simplifying Solid-State Relay Designs With Logic PDF | HTML 8/01/2021
Informe Solving CMOS Transition Rate Issues Using Schmitt Trigger Solution (Rev. A) 1/05/2017

Diseño y desarrollo

Para conocer los términos adicionales o los recursos necesarios, haga clic en cualquier título de abajo para ver la página de detalles cuando esté disponible.

Placa de evaluación

5-8-LOGIC-EVM — Módulo de evaluación de lógico genérico para encapsulados DCK, DCT, DCU, DRL y DBV,de 5- a 8-pines

EVM flexible diseñado para admitir cualquier dispositivo que tenga un encapsulado DCK, DCT, DCU, DRL o DBV y entre 5 y 8 pines.
Guía del usuario: PDF
Productos y hardware compatibles
En inventario
Límite:
??asset.out-of-stock-ti_es_MX??
No disponible
Placa de evaluación

5-8-NL-LOGIC-EVM — EVM genérico de lógica y traducción compatible con paquetes DPW, DQE, DRY, DSF, DTM, DTQ y DTT de 5

EVM genérico diseñado para admitir cualquier dispositivo lógico o de conversión que tenga un encapsulado DTT, DRY, DPW, DTM, DQE, DQM, DSF o DTQ. El diseño del tablero permite una evaluación flexible.

Guía del usuario: PDF | HTML
Productos y hardware compatibles
En inventario
Límite:
??asset.out-of-stock-ti_es_MX??
No disponible
Modelo de simulación

SN74LVC1G74 IBIS Model

SCEM591.ZIP (52 KB) - Modelo IBIS
Productos y hardware compatibles
Diseño de referencia

CC2531EM-IOT-HOME-GATEWAY-RD — Diseño de referencia de compuerta de automatización para el hogar ZigBee

A gateway is a bridge that connects wireless devices to the Internet. This Linux-based Home Automation Gateway enables remote monitoring and control of ZigBee® powered nodes and devices inside the home. This gateway reference design includes ZigBee Home Automation (HA 1.2) certified software (...)

Productos y hardware compatibles
Diseño de referencia

TIDA-010032 — Diseño de referencia de concentrador de datos universal compatible con Ethernet, malla RF 6LoWPAN

Las comunicaciones de red basadas en IPv6 se están convirtiendo en la opción estándar en mercados y aplicaciones industriales como los contadores inteligentes y la automatización de la red eléctrica. El diseño del concentrador de datos universal proporciona una solución de red completa basada en (...)

Productos y hardware compatibles
Diseño de referencia

TIDA-01065 — Relé de estado sólido AC autoalimentado y aislado con diseño de referencia MOSFET

El diseño de referencia del relé de estado sólido de CA autoalimentado y aislado con transistor de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico es un sustituto de relé que permite una administración eficiente de la potencia para una alternativa de baja potencia a los relés electromecánicos (...)
Productos y hardware compatibles
Encapsulado Pines Símbolos CAD, huellas y modelos 3D
VSSOP (DCU) 8 Ultra Librarian
SSOP (DCT) 8 Ultra Librarian
X2SON (DQE) 8 Ultra Librarian
UQFN (RSE) 8 Ultra Librarian

Pedidos y calidad

Soporte y capacitación

Foros de TI E2E™ con asistencia técnica de los ingenieros de TI

El contenido lo proporcionan “tal como está” TI y los colaboradores de la comunidad y no constituye especificaciones de TI. Consulte los términos de uso.

Si tiene alguna pregunta sobre calidad, encapsulados o pedido de productos de TI, consulte el servicio de asistencia de TI. ​​​​​​​​​​​​​​

Videos