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UCC27211A

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8V UVLO (低電圧誤動作防止機能) 搭載、負電圧対応、120V、4.5A ハーフブリッジ ゲート ドライバ

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製品詳細

Bootstrap supply voltage (max) (V) 120 Power switch MOSFET Input supply voltage (min) (V) 8 Input supply voltage (max) (V) 17 Peak output current (A) 4.5 Operating temperature range (°C) -40 to 150 Undervoltage lockout (typ) (V) 8 Rating Catalog Propagation delay time (µs) 0.02 Rise time (ns) 7.2 Fall time (ns) 5.5 Iq (mA) 0.001 Input threshold TTL Channel input logic TTL Switch node voltage (V) -20 Features Integrated bootstrap diode, Negative Voltage Handling on Input Driver configuration Dual, Noninverting, TTL compatible
Bootstrap supply voltage (max) (V) 120 Power switch MOSFET Input supply voltage (min) (V) 8 Input supply voltage (max) (V) 17 Peak output current (A) 4.5 Operating temperature range (°C) -40 to 150 Undervoltage lockout (typ) (V) 8 Rating Catalog Propagation delay time (µs) 0.02 Rise time (ns) 7.2 Fall time (ns) 5.5 Iq (mA) 0.001 Input threshold TTL Channel input logic TTL Switch node voltage (V) -20 Features Integrated bootstrap diode, Negative Voltage Handling on Input Driver configuration Dual, Noninverting, TTL compatible
VSON (DRM) 8 16 mm² (4 mm × 4 mm)
  • 接合部温度範囲：-40℃～+150℃
  • ハイサイド / ローサイド構成の 2 つの N チャネル MOSFET を独立した入力で駆動
  • 最大ブート電圧：120V DC
  • ソース 3.7A、シンク 4.5A の出力電流
  • 入力ピンは電源電圧範囲に依存せず –10V～+20V を入力可能
  • TTL 対応入力
  • 8V～17V VDD の動作範囲 (絶対最大定格 20V)
  • 立ち上がり時間 7.2ns、立ち下がり時間 5.5ns (1000pF 負荷時)
  • 高速伝搬遅延時間 (標準 20ns)
  • 遅延マッチング：4ns
  • ハイサイドおよびローサイド ドライバに対して対称的な低電圧誤動作防止機能
  • 業界標準のパッケージで供給
    • 4mm×4mm SON-8
  • 接合部温度範囲：-40℃～+150℃
  • ハイサイド / ローサイド構成の 2 つの N チャネル MOSFET を独立した入力で駆動
  • 最大ブート電圧：120V DC
  • ソース 3.7A、シンク 4.5A の出力電流
  • 入力ピンは電源電圧範囲に依存せず –10V～+20V を入力可能
  • TTL 対応入力
  • 8V～17V VDD の動作範囲 (絶対最大定格 20V)
  • 立ち上がり時間 7.2ns、立ち下がり時間 5.5ns (1000pF 負荷時)
  • 高速伝搬遅延時間 (標準 20ns)
  • 遅延マッチング：4ns
  • ハイサイドおよびローサイド ドライバに対して対称的な低電圧誤動作防止機能
  • 業界標準のパッケージで供給
    • 4mm×4mm SON-8

UCC27211A デバイス ドライバは、定評ある UCC27201MOSFET ドライバをベースとしながら、いくつかの点で性能が大きく向上しています。

ピーク出力プルアップ / プルダウン電流がソース 3.7A およびシンク 4.5A に増加したことで、より大電力の MOSFET を駆動でき、MOSFET のミラー プラトー領域過渡時のスイッチング損失を最小限に抑えることができます。入力構造が -10VDC を直接扱えるため、堅牢性が増し、整流ダイオードなしでゲート駆動トランスに直接インターフェイスできます。また、入力は電源電圧に依存せず、最大定格は 20V です。

UCC27211A のスイッチング ノード (HS ピン) は最大で -(24 - VDD)V を処理できるため、寄生インダクタンスや浮遊容量によって生じる固有の負電圧からハイサイド チャネルを保護できます。UCC27211A (TTL 入力) はヒステリシスが増大しているため、アナログまたはデジタル PWM コントローラへのインターフェイスでノイズ耐性が強化されます。

ローサイドとハイサイドのゲート ドライバが独立して制御され、それぞれのオン/オフ間に4nsでマッチングが行われます。120V 定格のブートストラップ ダイオードを内蔵しているため、外部にディスクリート ダイオードが不要です。ハイサイド ドライバとローサイド ドライバの両方に低電圧誤動作防止機能が搭載され、対称的なオン/オフ動作を実現しながら、駆動電圧が規定のスレッショルド未満の場合は出力が強制的にLOWになります。

UCC27211A デバイス ドライバは、定評ある UCC27201MOSFET ドライバをベースとしながら、いくつかの点で性能が大きく向上しています。

ピーク出力プルアップ / プルダウン電流がソース 3.7A およびシンク 4.5A に増加したことで、より大電力の MOSFET を駆動でき、MOSFET のミラー プラトー領域過渡時のスイッチング損失を最小限に抑えることができます。入力構造が -10VDC を直接扱えるため、堅牢性が増し、整流ダイオードなしでゲート駆動トランスに直接インターフェイスできます。また、入力は電源電圧に依存せず、最大定格は 20V です。

UCC27211A のスイッチング ノード (HS ピン) は最大で -(24 - VDD)V を処理できるため、寄生インダクタンスや浮遊容量によって生じる固有の負電圧からハイサイド チャネルを保護できます。UCC27211A (TTL 入力) はヒステリシスが増大しているため、アナログまたはデジタル PWM コントローラへのインターフェイスでノイズ耐性が強化されます。

ローサイドとハイサイドのゲート ドライバが独立して制御され、それぞれのオン/オフ間に4nsでマッチングが行われます。120V 定格のブートストラップ ダイオードを内蔵しているため、外部にディスクリート ダイオードが不要です。ハイサイド ドライバとローサイド ドライバの両方に低電圧誤動作防止機能が搭載され、対称的なオン/オフ動作を実現しながら、駆動電圧が規定のスレッショルド未満の場合は出力が強制的にLOWになります。
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