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LM5101B

활성

8V UVLO 및 TTL 입력을 지원하는 2A, 100V 하프 브리지 게이트 드라이버

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UCC27201A 활성 8V UVLO 및 음극 전압 처리를 지원하는 3A, 120V 하프 브리지 게이트 드라이버 Newer, higher current version available with improved specs.

LM5101B

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제품 상세 정보

Bootstrap supply voltage (max) (V) 100 Power switch MOSFET Input supply voltage (min) (V) 9 Input supply voltage (max) (V) 14 Peak output current (A) 2 Operating temperature range (°C) -40 to 125 Undervoltage lockout (typ) (V) 8 Rating Catalog Propagation delay time (µs) 0.025 Rise time (ns) 10 Fall time (ns) 10 Iq (mA) 0.01 Input threshold TTL Channel input logic TTL Switch node voltage (V) -1 Driver configuration Dual, Independent
Bootstrap supply voltage (max) (V) 100 Power switch MOSFET Input supply voltage (min) (V) 9 Input supply voltage (max) (V) 14 Peak output current (A) 2 Operating temperature range (°C) -40 to 125 Undervoltage lockout (typ) (V) 8 Rating Catalog Propagation delay time (µs) 0.025 Rise time (ns) 10 Fall time (ns) 10 Iq (mA) 0.01 Input threshold TTL Channel input logic TTL Switch node voltage (V) -1 Driver configuration Dual, Independent
SOIC (D) 8 29.4 mm² 4.9 x 6 WSON (DPR) 10 16 mm² 4 x 4
  • Drives Both a High-Side and Low-Side N-Channel
    MOSFETs
  • Independent High- and Low-Driver Logic Inputs
  • Bootstrap Supply Voltage up to 118 V DC
  • Fast Propagation Times (25-ns Typical)
  • Drives 1000-pF Load With 8-ns Rise and Fall
    Times
  • Excellent Propagation Delay Matching (3-ns
    Typical)
  • Supply Rail Undervoltage Lockout
  • Low Power Consumption
  • Pin Compatible With HIP2100/HIP2101
  • Drives Both a High-Side and Low-Side N-Channel
    MOSFETs
  • Independent High- and Low-Driver Logic Inputs
  • Bootstrap Supply Voltage up to 118 V DC
  • Fast Propagation Times (25-ns Typical)
  • Drives 1000-pF Load With 8-ns Rise and Fall
    Times
  • Excellent Propagation Delay Matching (3-ns
    Typical)
  • Supply Rail Undervoltage Lockout
  • Low Power Consumption
  • Pin Compatible With HIP2100/HIP2101

The LM5100A/B/C and LM5101A/B/C high-voltage gate drivers are designed to drive both the high-side and the low-side N-Channel MOSFETs in a synchronous buck or a half-bridge configuration. The floating high-side driver is capable of operating with supply voltages up to 100 V. The A versions provide a full 3-A of gate drive, while the B and C versions provide 2 A and 1 A, respectively. The outputs are independently controlled with CMOS input thresholds (LM5100A/B/C) or TTL input thresholds (LM5101A/B/C).

An integrated high-voltage diode is provided to charge the high-side gate drive bootstrap capacitor. A robust level shifter operates at high speed while consuming low power and providing clean level transitions from the control logic to the high-side gate driver. Undervoltage lockout is provided on both the low-side and the high-side power rails. These devices are available in the standard SOIC-8 pin, SO PowerPAD-8 pin, and the WSON-10 pin packages. The LM5100C and LM5101C are also available in MSOP-PowerPAD-8 package. The LM5101A is also available in WSON-8 pin package.

The LM5100A/B/C and LM5101A/B/C high-voltage gate drivers are designed to drive both the high-side and the low-side N-Channel MOSFETs in a synchronous buck or a half-bridge configuration. The floating high-side driver is capable of operating with supply voltages up to 100 V. The A versions provide a full 3-A of gate drive, while the B and C versions provide 2 A and 1 A, respectively. The outputs are independently controlled with CMOS input thresholds (LM5100A/B/C) or TTL input thresholds (LM5101A/B/C).

An integrated high-voltage diode is provided to charge the high-side gate drive bootstrap capacitor. A robust level shifter operates at high speed while consuming low power and providing clean level transitions from the control logic to the high-side gate driver. Undervoltage lockout is provided on both the low-side and the high-side power rails. These devices are available in the standard SOIC-8 pin, SO PowerPAD-8 pin, and the WSON-10 pin packages. The LM5100C and LM5101C are also available in MSOP-PowerPAD-8 package. The LM5101A is also available in WSON-8 pin package.
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기술 자료

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유형 직함 날짜
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Application note Maximizing DC/DC converter designs with UCC27282 2019/01/18
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More literature Fundamentals of MOSFET and IGBT Gate Driver Circuits (Replaces SLUP169) (Rev. A) 2018/10/29
Application note AN-1317 Selection of External Bootstrap Diode for LM510X Devices (Rev. B) 2018/05/04
EVM User's guide AN-1331 LM5033 Evaluation Board (Rev. A) 2013/05/06

설계 및 개발

추가 조건 또는 필수 리소스는 사용 가능한 경우 아래 제목을 클릭하여 세부 정보 페이지를 확인하세요.

시뮬레이션 모델

LM5101B PSpice Transient Model

SNOM365.ZIP (77 KB) - PSpice Model
다운로드
시뮬레이션 모델

LM5101B TINA-TI Transient Reference Design

SNOM357.TSC (780 KB) - TINA-TI Reference Design
다운로드
시뮬레이션 모델

LM5101B TINA-TI Transient Spice Model

SNOM358.ZIP (12 KB) - TINA-TI Spice Model
다운로드
시뮬레이션 모델

LM5101B Unencrypted PSpice Transient Model

SNOM568.ZIP (2 KB) - PSpice Model
다운로드
계산 툴

SNVR521 — LM51xx Schematic Review Template

지원되는 제품 및 하드웨어

지원되는 제품 및 하드웨어

제품
하프 브리지 드라이버
LM25101 — 8V UVLO 및 TTL 입력을 지원하는 3A, 2A 또는 1A 하프 브리지 게이트 드라이버 LM5100A — 8V UVLO 및 CMOS 입력을 지원하는 3A, 100V 하프 브리지 게이트 드라이버 LM5100B — 8V UVLO 및 CMOS 입력을 지원하는 2A, 100V 하프 브리지 게이트 드라이버 LM5100C — 8V UVLO 및 CMOS 입력을 지원하는 1A, 100V 하프 브리지 게이트 드라이버 LM5101 — 고전압 고압측 및 저압측 게이트 드라이버 LM5101A — 8V UVLO 및 TTL 입력을 지원하는 3A, 100V 하프 브리지 게이트 드라이버 LM5101B — 8V UVLO 및 TTL 입력을 지원하는 2A, 100V 하프 브리지 게이트 드라이버 LM5101C — 8V UVLO 및 TTL 입력을 지원하는 1A, 100V 하프 브리지 게이트 드라이버 LM5102 — 8V UVLO 및 프로그래머블 지연을 지원하는 2A, 100V 하프 브리지 게이트 드라이버 LM5104 — 8V UVLO 및 적응형 지연을 지원하는 2A, 100V 하프 브리지 게이트 드라이버 LM5106 — 8V UVLO 및 프로그래머블 데드 타임을 지원하는 1.2A, 1.8A 100V 하프 브리지 게이트 드라이버 LM5107 — 8V UVLO를 지원하는 1.4A 100V 하프 브리지 게이트 드라이버 LM5108 — 활성화 및 인터로크 포함 2.6A, 110V 하프 브리지 게이트 드라이버 LM5109A — 8V UVLO를 지원하는 1A, 100V 하프 브리지 게이트 드라이버 LM5109B — 8V UVLO 및 높은 잡음 내구성을 지원하는 1A, 100V 하프 브리지 게이트 드라이버
다운로드
시뮬레이션 툴

PSPICE-FOR-TI — TI 설계 및 시뮬레이션 툴용 PSpice®

TI용 PSpice®는 아날로그 회로의 기능을 평가하는 데 사용되는 설계 및 시뮬레이션 환경입니다. 완전한 기능을 갖춘 이 설계 및 시뮬레이션 제품군은 Cadence®의 아날로그 분석 엔진을 사용합니다. 무료로 제공되는 TI용 PSpice에는 아날로그 및 전력 포트폴리오뿐 아니라 아날로그 행동 모델에 이르기까지 업계에서 가장 방대한 모델 라이브러리 중 하나가 포함되어 있습니다.

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요청
레퍼런스 디자인

TIDA-01292 — 저주파수 오프라인 UPS 및 인버터를 위한 히트 싱크 없는 650W 전원 단계 레퍼런스 디자인

이 레퍼런스 설계는 12V 배터리로 작동하는 저주파(변압기 기반) 단상 UPS용으로 설계된 650W 인버터 전력계입니다. 이 설계는 낮은 폼 팩터와 고효율 구현을 가능하게 하며, 매우 낮은 RDS(on) 및 낮은 게이트 전하(Qg)를 지원하는 SON5x6 패키지의 TI SMD MOSFET을 활용합니다. 전체 브리지 전력계의 각 레그에 두 개의 장치를 병렬로 사용하면 전력계에 히트 싱크가 필요하지 않으므로 전체 시스템 비용이 절감됩니다.
Design guide: PDF
회로도: PDF
패키지 핀 CAD 기호, 풋프린트 및 3D 모델
SOIC (D) 8 Ultra Librarian
WSON (DPR) 10 Ultra Librarian
TI의 평가 항목에 대한 표준 약관이 적용됩니다.

주문 및 품질

포함된 정보:
  • RoHS
  • REACH
  • 디바이스 마킹
  • 납 마감/볼 재질
  • MSL 등급/피크 리플로우
  • MTBF/FIT 예측
  • 물질 성분
  • 인증 요약
  • 지속적인 신뢰성 모니터링
포함된 정보:
  • 팹 위치
  • 조립 위치

권장 제품에는 본 TI 제품과 관련된 매개 변수, 평가 모듈 또는 레퍼런스 디자인이 있을 수 있습니다.

지원 및 교육

TI 엔지니어의 기술 지원을 받을 수 있는 TI E2E™ 포럼

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