전력 관리 게이트 드라이버 하프 브리지 드라이버

LM5101B

활성

8V UVLO 및 TTL 입력을 지원하는 2A, 100V 하프 브리지 게이트 드라이버

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UCC27201A 활성 8V UVLO, 음전압 내성 및 TTL 입력을 지원하는 120V 3A 하프 브리지 게이트 드라이버 Newer, higher current version available with improved specs.

제품 상세 정보

Bootstrap supply voltage (max) (V) 100 Power switch MOSFET Input supply voltage (min) (V) 9 Input supply voltage (max) (V) 14 Peak output current (A) 2 Operating temperature range (°C) -40 to 125 Undervoltage lockout (typ) (V) 8 Rating Catalog Propagation delay time (µs) 0.025 Rise time (ns) 10 Fall time (ns) 10 Iq (mA) 0.01 Input threshold TTL Channel input logic TTL Switch node voltage (V) -1 Driver configuration Dual, Independent
Bootstrap supply voltage (max) (V) 100 Power switch MOSFET Input supply voltage (min) (V) 9 Input supply voltage (max) (V) 14 Peak output current (A) 2 Operating temperature range (°C) -40 to 125 Undervoltage lockout (typ) (V) 8 Rating Catalog Propagation delay time (µs) 0.025 Rise time (ns) 10 Fall time (ns) 10 Iq (mA) 0.01 Input threshold TTL Channel input logic TTL Switch node voltage (V) -1 Driver configuration Dual, Independent
SOIC (D) 8 29.4 mm² (4.9 mm × 6 mm) WSON (DPR) 10 16 mm² (4 mm × 4 mm)
  • Drives Both a High-Side and Low-Side N-Channel
    MOSFETs
  • Independent High- and Low-Driver Logic Inputs
  • Bootstrap Supply Voltage up to 118 V DC
  • Fast Propagation Times (25-ns Typical)
  • Drives 1000-pF Load With 8-ns Rise and Fall
    Times
  • Excellent Propagation Delay Matching (3-ns
    Typical)
  • Supply Rail Undervoltage Lockout
  • Low Power Consumption
  • Pin Compatible With HIP2100/HIP2101
  • Drives Both a High-Side and Low-Side N-Channel
    MOSFETs
  • Independent High- and Low-Driver Logic Inputs
  • Bootstrap Supply Voltage up to 118 V DC
  • Fast Propagation Times (25-ns Typical)
  • Drives 1000-pF Load With 8-ns Rise and Fall
    Times
  • Excellent Propagation Delay Matching (3-ns
    Typical)
  • Supply Rail Undervoltage Lockout
  • Low Power Consumption
  • Pin Compatible With HIP2100/HIP2101

The LM5100A/B/C and LM5101A/B/C high-voltage gate drivers are designed to drive both the high-side and the low-side N-Channel MOSFETs in a synchronous buck or a half-bridge configuration. The floating high-side driver is capable of operating with supply voltages up to 100 V. The A versions provide a full 3-A of gate drive, while the B and C versions provide 2 A and 1 A, respectively. The outputs are independently controlled with CMOS input thresholds (LM5100A/B/C) or TTL input thresholds (LM5101A/B/C).

An integrated high-voltage diode is provided to charge the high-side gate drive bootstrap capacitor. A robust level shifter operates at high speed while consuming low power and providing clean level transitions from the control logic to the high-side gate driver. Undervoltage lockout is provided on both the low-side and the high-side power rails. These devices are available in the standard SOIC-8 pin, SO PowerPAD-8 pin, and the WSON-10 pin packages. The LM5100C and LM5101C are also available in MSOP-PowerPAD-8 package. The LM5101A is also available in WSON-8 pin package.

The LM5100A/B/C and LM5101A/B/C high-voltage gate drivers are designed to drive both the high-side and the low-side N-Channel MOSFETs in a synchronous buck or a half-bridge configuration. The floating high-side driver is capable of operating with supply voltages up to 100 V. The A versions provide a full 3-A of gate drive, while the B and C versions provide 2 A and 1 A, respectively. The outputs are independently controlled with CMOS input thresholds (LM5100A/B/C) or TTL input thresholds (LM5101A/B/C).

An integrated high-voltage diode is provided to charge the high-side gate drive bootstrap capacitor. A robust level shifter operates at high speed while consuming low power and providing clean level transitions from the control logic to the high-side gate driver. Undervoltage lockout is provided on both the low-side and the high-side power rails. These devices are available in the standard SOIC-8 pin, SO PowerPAD-8 pin, and the WSON-10 pin packages. The LM5100C and LM5101C are also available in MSOP-PowerPAD-8 package. The LM5101A is also available in WSON-8 pin package.

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기술 자료

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* 데이터 시트 LM5100A/B/C, LM5101A/B/C 3-A, 2-A, and 1-A High-Voltage, High-Side and Low-Side Gate Drivers datasheet (Rev. Q) PDF | HTML 2015. 12. 3
애플리케이션 노트 Using Half-Bridge Gate Driver to Achieve 100% Duty Cycle for High Side FET PDF | HTML 2024. 3. 25
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애플리케이션 노트 Comparative Analysis of Two Different Methods for Gate-Drive Current Boosting (Rev. A) PDF | HTML 2022. 2. 17
애플리케이션 노트 Voltage Fed Full Bridge DC-DC & DC-AC Converter High-Freq Inverter Using C2000 (Rev. D) 2021. 4. 7
애플리케이션 노트 Understanding and comparing peak current capability of gate drivers PDF | HTML 2021. 3. 30
애플리케이션 노트 Implementing High-Side Switches Using Half-Bridge Gate Drivers for 48-V Battery. 2020. 5. 12
Application brief External Gate Resistor Selection Guide (Rev. A) 2020. 2. 28
Application brief Understanding Peak IOH and IOL Currents (Rev. A) 2020. 2. 28
Application brief Small Price Competitive 100-V Driver for 48-V BLDC Motor Drives 2019. 10. 22
애플리케이션 노트 Maximizing DC/DC converter designs with UCC27282 2019. 1. 18
애플리케이션 노트 UCC27282 Improving motor drive system robustness 2019. 1. 11
추가 자료 Fundamentals of MOSFET and IGBT Gate Driver Circuits (Replaces SLUP169) (Rev. A) 2018. 10. 29
애플리케이션 노트 AN-1317 Selection of External Bootstrap Diode for LM510X Devices (Rev. B) 2018. 5. 4

설계 및 개발

추가 조건 또는 필수 리소스는 사용 가능한 경우 아래 제목을 클릭하여 세부 정보 페이지를 확인하세요.

평가 보드

UCC27288EVM — UCC27288 100V, 3A, 8V UVLO 하프 브리지 게이트 드라이버 평가 모듈

UCC27288EVM은 2.5A 피크 소스 전류 및 3.5A 피크 싱크 전류 기능을 지원하는 100V 하프 브리지 게이트 드라이버인 UCC27288D를 평가하기 위해 설계되었습니다. 이 EVM은 최대 20V 드라이브 전압으로 전력 MOSFET을 구동하기 위한 레퍼런스 설계로 사용됩니다.
사용 설명서: PDF
지원되는 제품 및 하드웨어
재고 있음
제한:
??asset.out-of-stock-ti_ko_KR??
이용할 수 없음
시뮬레이션 모델

LM5101B PSpice Transient Model

SNOM365.ZIP (77 KB) - PSpice 모델
지원되는 제품 및 하드웨어
시뮬레이션 모델

LM5101B TINA-TI Transient Reference Design

SNOM357.TSC (780 KB) - TINA-TI 레퍼런스 설계
지원되는 제품 및 하드웨어
시뮬레이션 모델

LM5101B TINA-TI Transient Spice Model

SNOM358.ZIP (12 KB) - Tina-TI Spice 모델
지원되는 제품 및 하드웨어
시뮬레이션 모델

LM5101B Unencrypted PSpice Transient Model

SNOM568.ZIP (2 KB) - PSpice 모델
지원되는 제품 및 하드웨어
계산 툴

SNVR521 — LM51xx Schematic Review Template

지원되는 제품 및 하드웨어
레퍼런스 디자인

TIDA-01292 — 저주파수 오프라인 UPS 및 인버터를 위한 히트 싱크 없는 650W 전원 단계 레퍼런스 디자인

이 레퍼런스 설계는 12V 배터리로 작동하는 저주파(변압기 기반) 단상 UPS용으로 설계된 650W 인버터 전력계입니다. 이 설계는 낮은 폼 팩터와 고효율 구현을 가능하게 하며, 매우 낮은 RDS(on) 및 낮은 게이트 전하(Qg)를 지원하는 SON5x6 패키지의 TI SMD MOSFET을 활용합니다. 전체 브리지 전력계의 각 레그에 두 개의 장치를 병렬로 사용하면 전력계에 히트 싱크가 필요하지 않으므로 전체 시스템 비용이 절감됩니다.

지원되는 제품 및 하드웨어
패키지 CAD 기호, 풋프린트 및 3D 모델
SOIC (D) 8 Ultra Librarian
WSON (DPR) 10 Ultra Librarian

주문 및 품질

권장 제품에는 본 TI 제품과 관련된 매개 변수, 평가 모듈 또는 레퍼런스 디자인이 있을 수 있습니다.

지원 및 교육

TI 엔지니어의 기술 지원을 받을 수 있는 TI E2E™ 포럼

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