JAJA675B November   2018  – October 2021 DRV10866 , DRV10963 , DRV10964 , DRV10970 , DRV10974 , DRV10975 , DRV10983 , DRV10983-Q1 , DRV10987 , DRV11873 , DRV3205-Q1 , DRV3220-Q1 , DRV3245E-Q1 , DRV3245Q-Q1 , DRV8301 , DRV8302 , DRV8303 , DRV8304 , DRV8305 , DRV8305-Q1 , DRV8306 , DRV8307 , DRV8308 , DRV8312 , DRV8313 , DRV8320 , DRV8320R , DRV8323 , DRV8323R , DRV8332 , DRV8343-Q1 , DRV8350 , DRV8350R , DRV8353 , DRV8353R , DRV8412 , DRV8701 , DRV8702-Q1 , DRV8702D-Q1 , DRV8703-Q1 , DRV8703D-Q1 , DRV8704 , DRV8711 , DRV8800 , DRV8801 , DRV8801-Q1 , DRV8801A-Q1 , DRV8802 , DRV8802-Q1 , DRV8803 , DRV8804 , DRV8805 , DRV8806 , DRV8811 , DRV8812 , DRV8813 , DRV8814 , DRV8816 , DRV8818 , DRV8821 , DRV8823 , DRV8823-Q1 , DRV8824 , DRV8824-Q1 , DRV8825 , DRV8828 , DRV8829 , DRV8830 , DRV8832 , DRV8832-Q1 , DRV8833 , DRV8833C , DRV8834 , DRV8835 , DRV8836 , DRV8837 , DRV8837C , DRV8838 , DRV8839 , DRV8840 , DRV8841 , DRV8842 , DRV8843 , DRV8844 , DRV8846 , DRV8847 , DRV8848 , DRV8850 , DRV8860 , DRV8870 , DRV8871 , DRV8871-Q1 , DRV8872 , DRV8872-Q1 , DRV8873-Q1 , DRV8880 , DRV8881 , DRV8884 , DRV8885 , DRV8886 , DRV8886AT , DRV8889-Q1

 

  1.   商標
  2. 1グランド配線の最適化
    1. 1.1 よく使用される用語 / 接続
    2. 1.2 グランド・プレーンの使用
      1. 1.2.1 2 層基板技術
    3. 1.3 共通の問題
      1. 1.3.1 容量性および誘導性結合
      2. 1.3.2 同相および差動ノイズ
    4. 1.4 EMC に関する考慮事項
  3. 2熱の概要
    1. 2.1 PCB の熱伝導および対流
    2. 2.2 連続的な最上層のサーマル・パッド
    3. 2.3 銅厚
    4. 2.4 サーマル・ビアの接続
    5. 2.5 サーマル・ビアの幅
    6. 2.6 熱設計のまとめ
  4. 3ビア
    1. 3.1 ビアの電流容量
    2. 3.2 ビアのレイアウトに関する推奨事項
      1. 3.2.1 複数ビアのレイアウト
      2. 3.2.2 ビアの配置
  5. 4一般的な配線手法
  6. 5バルクおよびバイパス・コンデンサの配置
    1. 5.1 バルク・コンデンサの配置
    2. 5.2 チャージ・ポンプ・コンデンサ
    3. 5.3 バイパス / デカップリング・コンデンサの配置
      1. 5.3.1 電源の近く
      2. 5.3.2 電力段の近く
      3. 5.3.3 スイッチ電流源の近く
      4. 5.3.4 電流センス・アンプの近く
      5. 5.3.5 電圧レギュレータの近く
  7. 6MOSFET の配置と電力段の配線
    1. 6.1 一般的なパワー MOSFET パッケージ
      1. 6.1.1 DPAK
      2. 6.1.2 D2PAK
      3. 6.1.3 TO-220
      4. 6.1.4 8 ピン SON
    2. 6.2 MOSFET のレイアウト構成
    3. 6.3 電力段のレイアウト設計
      1. 6.3.1 スイッチ・ノード
      2. 6.3.2 大電流ループ経路
      3. 6.3.3 VDRAIN センス・ピン
  8. 7電流センス・アンプの配線
    1. 7.1 シングル・ハイサイド電流シャント
    2. 7.2 シングル・ローサイド電流シャント
    3. 7.3 2 相および 3 相電流シャント・アンプ
    4. 7.4 部品選定
    5. 7.5 配置
    6. 7.6 配線
    7. 7.7 便利なツール (ネット・タイと差動ペア)
    8. 7.8 入力および出力フィルタ
    9. 7.9 必須事項と禁止事項
  9. 8関連資料
  10. 9改訂履歴

7.5 配置

トレースのインピーダンスを最小限に抑えるため、センス抵抗は電力段の部品と一直線に並べて配置する必要があります。またシャント抵抗は、基板上のその他のトレースとの結合の可能性を減らすため、CSA の接続の近くに配置する必要があります。

ハイサイド電流センスの場合、電源とハイサイド MOSFET のソースの間の星型点の近くにシャント抵抗を配置する必要があります。外付けゲイン抵抗を使用するハイサイド電流センス・デバイス (DRV3205-Q1 など) の場合、分圧器の第 1 の抵抗をシャント抵抗に最も近づけて配置する必要があります。残りの部品は、デバイスのできるだけ近くに配置する必要があります。

ローサイド電流センスの場合、ローサイド MOSFET のソースと電力段の星型点のグランド接続の間にシャント抵抗を配置する必要があります。

2 つまたは 3 つの個別の位相にシャント抵抗を使用するシステムの場合、各ローサイド MOSFET のソースと星型点のグランド接続の間にシャント抵抗を配置する必要があります。