JAJSX70B July   2010  – September 2025 UCC28070-Q1

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特長
  3. 2 アプリケーション
  4. 3 説明
  5. 4 ピン構成および機能
  6. 5 仕様
    1. 5.1 絶対最大定格
    2. 5.2 ESD 定格
    3. 5.3 推奨動作条件
    4. 5.4 熱に関する情報
    5. 5.5 電気的特性
    6. 5.6 代表的特性
  7. 6 詳細説明
    1. 6.1 概要
    2. 6.2 機能ブロック図
    3. 6.3 機能説明
      1. 6.3.1  インターリーブ
      2. 6.3.2  PWM 周波数と最大デューティ サイクル クランプの設定
      3. 6.3.3  周波数ディザリング (振幅およびレート)
      4. 6.3.4  外部クロック同期
      5. 6.3.5  マルチフェーズ動作
      6. 6.3.6  VSENSE と VINAC 抵抗の構成
      7. 6.3.7  VSENSE および VINAC 開路保護
      8. 6.3.8  電流シンセサイザ
      9. 6.3.9  プログラム可能なピーク電流制限
      10. 6.3.10 リニア マルチプライヤおよび量子化電圧フィードフォワード
      11. 6.3.11 拡張過渡応答 (VA スルーレート補正)
      12. 6.3.12 バイアス電圧 (VCC および VREF)
      13. 6.3.13 PFC の有効化と無効化
      14. 6.3.14 アダプティブ ソフトスタート
      15. 6.3.15 PFC スタートアップ ホールドオフ
      16. 6.3.16 出力過電圧保護 (OVP)
      17. 6.3.17 ゼロ電力検出
      18. 6.3.18 サーマル シャットダウン
      19. 6.3.19 電流ループ補償
      20. 6.3.20 電圧ループ補償
    4. 6.4 デバイスの機能モード
  8. 7 アプリケーションと実装
    1. 7.1 アプリケーション情報
    2. 7.2 代表的なアプリケーション
      1. 7.2.1 設計要件
      2. 7.2.2 詳細な設計手順
        1. 7.2.2.1 出力電流の計算
        2. 7.2.2.2 ブリッジ整流器
        3. 7.2.2.3 PFC インダクタ (L1 および L2)
        4. 7.2.2.4 PFC MOSFET (M1 および M2)
        5. 7.2.2.5 PFC ダイオード
        6. 7.2.2.6 PFC 出力コンデンサ
        7. 7.2.2.7 電流ループ帰還構成 (電流トランスの巻線比 NCT と電流検出抵抗 RSの最適化)
        8. 7.2.2.8 電流センス オフセットと PWM ランプにより ノイズ耐性を向上
      3. 7.2.3 アプリケーション曲線
    3. 7.3 電源に関する推奨事項
    4. 7.4 レイアウト
      1. 7.4.1 レイアウトのガイドライン
      2. 7.4.2 レイアウト例
  9. 8 デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 8.1 ドキュメントのサポート
      1. 8.1.1 関連資料
    2. 8.2 ドキュメントの更新通知を受け取る方法
    3. 8.3 サポート・リソース
    4. 8.4 商標
    5. 8.5 静電気放電に関する注意事項
    6. 8.6 用語集
  10. 9 改訂履歴
  11. 10メカニカル、パッケージ、および注文情報

5.5 電気的特性

TJ = TA = –40°C～125°C、VCC = 12V、GND = 0V, RRT = 75kΩ、RDMX = 68.1kΩ、RRDM = RSYN = 100kΩ、CCDR = 2.2nF、
CSS = CVREF = 0.1μF、CVCC = 1μF、IVREF = 0mA (特に記載のない限り)
パラメータ テスト条件 最小値 標準値 最大値 単位
バイアス電源
VCC(SHUNT) VCC シャント電圧(1) IVCC = 10mA 23 25 27 V
IVCC 電源電流 ディセーブル VVSENSE = 0V 7 mA
イネーブル VVSENSE = 3V (スイッチング) 9 12
UVLO VCC = 7V 200 µA
VCC = 9V 4 6 mA
VUVLO UVLO ターンオン スレッショルド VCC (立ち上がり時) で測定 9.8 10.2 10.6 V
UVLO ヒステリシス VCC (立ち下がり時)で測定 1
VREF イネーブルスレッショルド VCC (立ち上がり時) で測定 7.5 8 8.5 V
リニア レギュレータ
VVREF リファレンス電圧 無負荷 IVREF = 0mA 5.82 6 6.18 V
負荷除去 VVREF の変化として測定
(IVREF = 0 mA および –2 mA)		 -12 12 mV
ライン除去 VVREF の変化として測定
(VCC = 11V および 20V、IVREF = 0μA)		 TA = 25℃ -12 12
TA = –40℃ ～ 125℃ -16 16
PFC イネーブル
VEN イネーブル スレッショルド VSENSE (立ち上がり時) で測定 0.65 0.75 0.85 V
イネーブル ヒステリシス 0.15
外部 PFC ディスエーブル
スレッショルドをディセーブル SS (立ち下がり時)で測定 0.5 0.6 V
ヒステリシス VVSENSE > 0.85V 0.15 V
発振器
出力位相シフト GDA と GDB の間で測定 179 180 181 °
VDMAX、VRT、VRDM タイミング レギュレーション電圧 DMAX、RT、RDM で測定 2.91 3 3.09 V
fPWM PWM スイッチング周波数 RRT = 75kΩ、RDMX = 68.1kΩ、
VRDM = 0V、VCDR = 6V		 94 100 105 kHz
RRT = 24.9kΩ、RDMX = 22.6kΩ、
VRDM = 0V、VCDR = 6V		 270 290 330
DMAX デューティサイクル クランプ RRT = 75kΩ、RDMX = 68.1kΩ、
VRDM = 0V、VCDR = 6V		 92% 95% 98%
最小プログラム可能 OFF 時間 RRT = 24.9kΩ、RDMX = 22.6kΩ、
VRDM = 0V、VCDR = 6V		 50 150 250 ns
fDM fPWM での周波数ディザリング振幅の変化 RRDM = 316kΩ、RRT = 75kΩ 1 3 4.3 kHz
RRDM = 31.6kΩ、RRT = 24.9kΩ 23 30 36
fDR fPWM の変化による周波数ディザリング率 R RDM = 100kΩ、CCDR = 2.2nF 3 kHz
R RDM = 100kΩ、CCDR = 0.3nF 20
ICDR ディザ レート電流 CDR (シンクおよびソース) で測定 ±10 μA
ディザーのディセーブルのスレッショルド CDR (立ち上がり時) で測定 5 5.25 V
クロック同期
VCDR SYNC イネーブルスレッショルド CDR (立ち上がり時) で測定 5 5.25 V
SYNC 伝搬遅延 V CDR = 6V、RDM (立ち上がり) から GDx (立ち上がり) までを測定 50 100 ns
SYNC スレッショルド (立ち上がり) V CDR = 6V、RDM で測定 1.2 1.5 V
SYNC スレッショルド (立ち下がり) V CDR = 6V、RDM で測定 0.4 0.7 V
tSYNC SYNC パルス幅、最小 正のパルス 0.2 μs
最大 SYNC パルス デューティ サイクル(2) 50%
電圧アンプ
VSENSE 電圧 レギュレーション中、TA = 25°C 2.94 3 3.06 V
VSENSE 電圧 レギュレーション中 2.84 3 3.10 V
VSENSE 入力バイアス電流 レギュレーション中 250 500 nA
VAO high 電圧 VVSENSE = 2.9V 4.8 5 5.2 V
VAO low 電圧 VVSENSE = 3.1V 0.05 0.5 V
gMV VAO 相互コンダクタンス VVSENSE = 2.8V～3.2V、VVAO = 3V 70 μS
VAO シンク電流、オーバードライブ制限値 VVSENSE = 3.5V、VVAO = 3V 30 μA
VAO ソース電流、オーバードライブ VVSENSE = 2.5V、VVAO = 3V、SS = 3V -30 μA
VAO ソース電流、
オーバードライブ制限 + ISRC		 VVSENSE = 2.5V、VVAO = 3V -130 μA
スルーレート補正スレッショルド
VVSENSE (下降時)/VVSENSE (レギュレーション時) として測定		 92% 93% 95%
スルーレート補正のヒステリシス VSENSE (立ち上がり時) で測定 3 9 mV
ISRC スルーレート補正電流 VAO で測定 (
VAO ソース電流も含む)		 -100 μA
スルーレート補正電圧スレッショルド SS (立ち上がり時) で測定 4 V
VAO 放電電流 VVSENSE = 0.5V、VVAO = 1V 10 μA
ソフトスタート
ISS SS ソース電流 VVSENSE = 0.9V、VSS = 1V -10 μA
適応型電流源 VVSENSE = 2V、VSS = 1V -1.5 -2.5 mA
適応型 SS の無効化 VVSENSE - VSSとして測定 -30 0 30 mV
SS シンク電流 VVSENSE = 0.5V、VSS = 0.2V 0.5 0.9 mA
過電圧
VOVP OVP スレッショルド
VVSENSE (立ち上がり時)/ VVSENSE (レギュレーション時) として測定		 104% 106% 108%
OVP ヒステリシス VSENSE (立ち下がり時)で測定 100 mV
OVP 伝搬遅延 VSENSE (立ち上がり) と
GDx (立ち下がり) 間で測定		 0.2 0.3 μs
ゼロ電力
VZPWR ゼロパワー検出スレッショルド VAO (立ち下がり時)で測定 0.65 0.75 V
ゼロパワー ヒステリシス 0.15 V
乗算器
kMULT ゲイン定数 VVAO ≥ 1.5V、TA = 25°C 15.4 17 20 μA
VVAO = 1.2V、TA = 25°C 13.5 17 20.5
VVAO ≥ 1.5V 14 17 22
VVAO = 1.2V 12 17 22.5
IIMO 出力電流: ゼロ VVINAC = 0.9VPK、VVAO = 0.8V -0.2 0 0.2 μA
VVINAC = 0V、VVAO = 5V -0.2 0 0.2
量子化電圧フィードフォワード
VLVL1 レベル 1 スレッショルド(3) VINAC (立ち上がり時) で測定 0.6 0.7 0.8 V
VLVL2 レベル 2 スレッショルド VINAC (立ち上がり時) で測定 1.0 V
VLVL3 レベル 3 スレッショルド VINAC (立ち上がり時) で測定 1.2 V
VLVL4 レベル 4 スレッショルド VINAC (立ち上がり時) で測定 1.4 V
VLVL5 レベル 5 スレッショルド VINAC (立ち上がり時) で測定 1.65 V
VLVL6 レベル 6 スレッショルド VINAC (立ち上がり時) で測定 1.95 V
VLVL7 レベル 7 スレッショルド VINAC (立ち上がり時) で測定 2.25 V
VLVL8 レベル 8 スレッショルド VINAC (立ち上がり時) で測定 2.6 V
電流アンプ
CAOx 高電圧 5.75 6 V
CAOx 低電圧 0.1 V
gMC CAOx 相互コンダクタンス 100 μS
CAOx シンク電流、オーバードライブ 50 μA
CAOx ソース電流、オーバードライブ -50 μA
入力同相範囲 0 3.6 V
入力オフセット電圧 VRSYNTH = 6V、TA = 25°C -16 -8 0 mV
VRSYNTH = 6V -50 -8 40
入力オフセット電圧 -50 -8 40 mV
位相ミスマッチ 位相 A の入力オフセットから位相 B 入力オフセットを
引いた値として測定します		 TA = 25℃ -12 0 12 mV
TA = –40℃ ～ 125℃ -20 14
CAOx プルダウン電流 VVSENSE = 0.5V、VCAOx = 0.2V 0.5 0.9 mA
電流シンセサイザ
VRSYNTH レギュレーション電圧 VVSENSE = 3V、VVINAC = 0V 2.91 3 3.09 V
VVSENSE = 3V、VVINAC = 2.85V 0.1 0.15 0.2
シンセサイザのディスエーブルのスレッショルド RSYNTH (立ち上がり時) で測定 5 5.25 V
VINAC 入力バイアス電流 0.25 0.5 μA
ピーク電流制限
ピーク電流制限スレッショルド VPKLMT = 3.3V、CSx (立ち上がり時) で測定 3.27 3.3 3.33 V
ピーク電流制限の伝搬遅延 CSx (立ち上がり) と
GDx (立ち下がり) エッジ間で測定		 60 100 ns
PWM ランプ
VRMP PWM ランプ振幅 3.8 4 4.2 V
PWM ランプ オフセット電圧 TA = 25°C、RRT = 75kΩ 0.55 0.7 V
PWM ランプ オフセット温度係数 -2 mV/℃
ゲート トライブ
GDA、GDB 出力電圧、High、クランプ VCC = 20V、CLOAD = 1nF 11.5 13 15 V
GDA、GDB 出力電圧、High CLOAD = 1nF 10 10.5 V
GDA、GDB 出力電圧、Low CLOAD = 1nF 0.2 0.3 V
立ち上がり時間 GDx 1V～9V、CLOAD = 1nF 18 30 ns
立ち下がり時間 GDx 9V～1V、CLOAD = 1nF 12 25 ns
GDA、GDB 出力電圧、UVLO VCC = 0V、IGDA、IGDB = 2.5mA 0.7 2 V
サーマル シャットダウン
サーマル シャットダウンのスレッショルド 160 °C
サーマル シャットダウンからの復帰 140 °C
(1) VCC 入力電圧または電流が過大になると、デバイスが損傷する可能性があります。VCC クランプは、非安定化バイアス電源からデバイスを保護するものではありません。非安定化電源を使用する場合、TI は UA78L15A のような直列接続型固定正電圧レギュレータの使用を推奨しています。VCC の電圧と電流の制限値については、セクション 5.1を参照してください。
(2) 同期パルス幅が、最大 PWM スイッチング デューティ サイクル (DMAX) のプログラム可能性に及ぼす影響から、TI は同期信号のデューティ サイクルを最小化することを推奨します。
(3) レベル 1 スレッショルドは、VINAC が新しい入力半周期を開始するために上昇すべきゼロクロッシング検出スレッショルドであり、またその半周期を終了するために VINAC が下降すべきスレッショルドでもあります。