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DRV8300-Q1

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Controlador de puerta trifásico de 100 V máx. con diodos bootstrap para automoción

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DRV8300-Q1

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Detalles del producto

Rating Automotive Architecture Gate driver Control interface 3xPWM, 6xPWM Gate drive (A) 0.75 Vs (min) (V) 5 Vs ABS (max) (V) 100 Features Bootstrap Diode Operating temperature range (°C) -40 to 125
Rating Automotive Architecture Gate driver Control interface 3xPWM, 6xPWM Gate drive (A) 0.75 Vs (min) (V) 5 Vs ABS (max) (V) 100 Features Bootstrap Diode Operating temperature range (°C) -40 to 125
TSSOP (PW) 20 41.6 mm² 6.5 x 6.4
  • AEC-Q100 qualified for automotive applications
    • Temperature grade 1: –40°C ≤ TA ≤ 125°C
  • 100-V Three Phase Half-Bridge Gate driver
    • Drives N-Channel MOSFETs (NMOS)
    • Gate Driver Supply (GVDD): 5-20 V
    • MOSFET supply (SHx) support upto 100 V
  • Integrated Bootstrap Diodes
  • Bootstrap gate drive architecture
    • 750-mA source current
    • 1.5-A sink current
  • Supports up to 48-V auto systems
  • Low leakage current on SHx pins (<55 µA)
  • Absolute maximum BSTx voltage upto 115-V
  • Supports negative transients upto -22-V on SHx
  • Built-in cross conduction prevention
  • Fixed deadtime insertion of 215 ns
  • Supports 3.3-V and 5-V logic inputs with 20 V Abs max
  • 4 nS typical propogation delay matching
  • Compact TSSOP package
  • Efficient system design with Power Blocks
  • Integrated protection features
    • BST undervoltage lockout (BSTUV)
    • GVDD undervoltage (GVDDUV)
  • AEC-Q100 qualified for automotive applications
    • Temperature grade 1: –40°C ≤ TA ≤ 125°C
  • 100-V Three Phase Half-Bridge Gate driver
    • Drives N-Channel MOSFETs (NMOS)
    • Gate Driver Supply (GVDD): 5-20 V
    • MOSFET supply (SHx) support upto 100 V
  • Integrated Bootstrap Diodes
  • Bootstrap gate drive architecture
    • 750-mA source current
    • 1.5-A sink current
  • Supports up to 48-V auto systems
  • Low leakage current on SHx pins (<55 µA)
  • Absolute maximum BSTx voltage upto 115-V
  • Supports negative transients upto -22-V on SHx
  • Built-in cross conduction prevention
  • Fixed deadtime insertion of 215 ns
  • Supports 3.3-V and 5-V logic inputs with 20 V Abs max
  • 4 nS typical propogation delay matching
  • Compact TSSOP package
  • Efficient system design with Power Blocks
  • Integrated protection features
    • BST undervoltage lockout (BSTUV)
    • GVDD undervoltage (GVDDUV)

DRV8300 -Q1 is 100-V three half-bridge gate drivers, capable of driving high-side and low-side N-channel power MOSFETs. The DRV8300 -Q1 generates the correct gate drive voltages using an integrated bootstrap diode and external capacitor for the high-side MOSFETs. GVDD is used to generate gate drive voltage for the low-side MOSFETs. The Gate Drive architecture supports peak up to 750-mA source and 1.5-A sink currents.

The phase pins SHx is able to tolerate the significant negative voltage transients; while high side gate driver supply BSTx and GHx is able to support to higher positive voltage transients (115-V) abs max voltage which improves robustness of the system. Small propagation delay and delay matching specifications minimize the dead-time requirement which further improves efficiency. Undervoltage protection is provided for both low and high side through GVDD and BST undervoltage lockout.

DRV8300 -Q1 is 100-V three half-bridge gate drivers, capable of driving high-side and low-side N-channel power MOSFETs. The DRV8300 -Q1 generates the correct gate drive voltages using an integrated bootstrap diode and external capacitor for the high-side MOSFETs. GVDD is used to generate gate drive voltage for the low-side MOSFETs. The Gate Drive architecture supports peak up to 750-mA source and 1.5-A sink currents.

The phase pins SHx is able to tolerate the significant negative voltage transients; while high side gate driver supply BSTx and GHx is able to support to higher positive voltage transients (115-V) abs max voltage which improves robustness of the system. Small propagation delay and delay matching specifications minimize the dead-time requirement which further improves efficiency. Undervoltage protection is provided for both low and high side through GVDD and BST undervoltage lockout.

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Documentación técnica

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Tipo Título Fecha
* Data sheet DRV8300-Q1: 100-V Three-Phase BLDC Gate Driver datasheet PDF | HTML 08 dic 2021
Certificate DRV8300DPW-Q1EVM EU RoHS Declaration of Conformity (DoC) 08 dic 2021

Diseño y desarrollo

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