UCC21732-Q1
- シングルチャネル SiC/IGBT 絶縁ゲート・ドライバ
- 車載アプリケーション用に AEC-Q100 認定済み (認定予定)
- 最大 1700V の SiC MOSFET および IGBT
- 最大出力駆動電圧 (VDD-COM)：33V
- 大きなピーク駆動電流と高い CMTI
- アクティブ・ミラー・クランプ
- RDY でのパワー・グッドによる UVLO
- 伝搬遅延およびパルス/部品スキューが小さい
- 動作温度範囲：–40°C～125°C
- 安全性関連の認定 (予定)
- 8000VPK VIOTM および 2121VPK VIORM の、DIN V VDE V 0884-11 (VDE V 0884-11):2017-01 準拠の強化絶縁
- UL1577 準拠で 5700VRMS において 1 分間の絶縁
UCC21732-Q1 は、最大 1700V の SiC MOSFET および IGBT に対応するように設計されたガルバニック絶縁型シングルチャネル・ゲート・ドライバであり、先進的な保護機能とクラス最高の動的性能および堅牢性を備えています。
入力側は SiO2 容量性絶縁技術によって出力側から絶縁され、最大 1.5kVRMS の動作電圧に対応し、耐用年数 40 年超の絶縁バリアにより 12.8kVPK のサージ耐性を備える一方、部品間スキューが小さく、高い CMTI を実現しています。
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技術資料
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評価ボード
UCC21732QDWEVM-025 — UCC21732-Q1 車載シングルチャネル絶縁型 SiC/IGBT ゲート・ドライバの評価モジュール
The UCC21732QDWEVM-025 is a compact, single channel isolated gate driver board providing drive, bias voltages, protection and diagnostic needed for SiC MOSFET and Si IGBT Power Modules housed in 150 x 62 x 17 mm and 106 x 62 x 30 mm packages. This TI EVM is based on 5.7-kVrms reinforced isolation (...)
シミュレーション・モデル
UCC21732 Unencrypted PSPICE Transient Model UCC21732 Unencrypted PSPICE Transient Model
シミュレーション・ツール
PSPICE-FOR-TI TI Design / シミュレーション・ツール向け PSpice®
PSpice® for TI は、各種アナログ回路の機能評価に役立つ、設計とシミュレーション向けの環境です。設計とシミュレーションに適したこのフル機能スイートは、Cadence® のアナログ分析エンジンを使用しています。PSpice for TI は無償で使用でき、アナログや電源に関する TI の製品ラインアップを対象とする、業界でも有数の大規模なモデル・ライブラリが付属しているほか、選択された一部のアナログ動作モデルも利用できます。
設計とシミュレーション向けの環境である PSpice for TI (...)
設計とシミュレーション向けの環境である PSpice for TI (...)
リファレンス・デザイン
PMP23223 — バイアス電源搭載、スマート絶縁型ゲート・ドライバのリファレンス・デザイン
このリファレンス・デザインは、UCC21732 ゲート・ドライバと UCC14xxx シリーズのバイアス電源の組み合わせを提示します。このリファレンス・デザインは、Wolfspeed 社の SiC (シリコン・カーバイド) FET (電界効果トランジスタ) モジュールへの直接接続を含め、さまざまなパワー・スイッチの駆動に使用できます。このリファレンス・デザインは、ハイサイド・ドライバとローサイド・ドライバのどちらか一方として使用できるほか、静電容量性負荷に類似した負荷と組み合わせてテストすることもできます。
リファレンス・デザイン
TIDA-020030 — SiC/IGBT isolated gate driver reference design with thermal diode and sensing FET
このリファレンス・デザインは、IGBT モジュールを駆動する、高度な保護機能を実装した IGBT または SiC 絶縁型ゲート・ドライバのパワー・ステージです。このデザインは、高いレベルの安全性機能をサポートする単一のトラクション・インバータを使用して、単相パワー・ステージを形成しています。この IGBT モジュールは、温度監視向けの内蔵サーマル・ダイオードと、過電流保護向けの FET センシングを搭載しており、迅速で高精度の保護を実現します。このモジュールは、バイアス電源とその出力電圧に対する監視機能、冗長回路内の絶縁型 DC (...)
| パッケージ | ピン数 | ダウンロード |
|---|---|---|
| SOIC (DW) | 16 | オプションの表示 |
購入と品質
記載されている情報：
- RoHS
- REACH
- デバイスのマーキング
- リード端子の仕上げ / ボールの原材料
- MSL rating / リフローピーク温度
- MTBF/FIT 推定値
- 原材料組成
- 認定試験結果
- 継続的な信頼性モニタ試験結果
推奨製品には、この TI 製品に関連するパラメータ、評価基板、またはリファレンス・デザインが存在する可能性があります。