UCC21750

アクティブ

DESAT (脱飽和) 機能搭載、ミラー・クランプ内蔵、IGBT/SiC FET 向け、5.7kVrms、±10A、シングルチャネル絶縁型ゲート・ドライバ

製品詳細

Number of channels (#) 1 Isolation rating (Vrms) 5700 Power switch IGBT, SiCFET Peak output current (A) 10 DIN V VDE V 0884-10 transient overvoltage rating (Vpk) 8400 DIN V VDE V 0884-10 working voltage (Vpk) 2121 Output VCC/VDD (Max) (V) 33 Output VCC/VDD (Min) (V) 13 Input VCC (Min) (V) 3 Input VCC (Max) (V) 5.5 Prop delay (ns) 90 Operating temperature range (C) -40 to 125 Undervoltage lockout (Typ) 12
Number of channels (#) 1 Isolation rating (Vrms) 5700 Power switch IGBT, SiCFET Peak output current (A) 10 DIN V VDE V 0884-10 transient overvoltage rating (Vpk) 8400 DIN V VDE V 0884-10 working voltage (Vpk) 2121 Output VCC/VDD (Max) (V) 33 Output VCC/VDD (Min) (V) 13 Input VCC (Min) (V) 3 Input VCC (Max) (V) 5.5 Prop delay (ns) 90 Operating temperature range (C) -40 to 125 Undervoltage lockout (Typ) 12
SOIC (DW) 16 77 mm² 10.3 x 7.5
  • 5.7-kVRMS single channel isolated gate driver
  • SiC MOSFETs and IGBTs up to 2121Vpk
  • 33-V maximum output drive voltage (VDD – VEE)
  • ±10-A drive strength and split output
  • 150-V/ns minimum CMTI
  • 200-ns response time fast DESAT protection
  • 4-A Internal active miller clamp
  • 400-mA soft turn-off when fault happens
  • Isolated analog sensor with PWM output for
    • Temperature sensing with NTC, PTC or thermal diode
    • High voltage DC-link or phase voltage
  • Alarm FLT on overcurrent and reset from RST/EN
  • Fast enable and disable response on RST/EN
  • Reject < 40-ns noise transient and pulse on input pins
  • 12-V VDD UVLO with power good on RDY
  • Inputs/outputs with over/under-shoot transient voltage immunity up to 5 V
  • 130-ns (maximum) propagation delay and 30-ns (maximum) pulse/part skew
  • SOIC-16 DW package with creepage and clearance distance > 8 mm
  • Operating junction temperature –40°C to 150°C
  • Safety-related certifications:
    • Reinforced insulation per DIN EN IEC 60747-17 (VDE 0884-17)
    • UL 1577 component recognition program
  • 5.7-kVRMS single channel isolated gate driver
  • SiC MOSFETs and IGBTs up to 2121Vpk
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  • ±10-A drive strength and split output
  • 150-V/ns minimum CMTI
  • 200-ns response time fast DESAT protection
  • 4-A Internal active miller clamp
  • 400-mA soft turn-off when fault happens
  • Isolated analog sensor with PWM output for
    • Temperature sensing with NTC, PTC or thermal diode
    • High voltage DC-link or phase voltage
  • Alarm FLT on overcurrent and reset from RST/EN
  • Fast enable and disable response on RST/EN
  • Reject < 40-ns noise transient and pulse on input pins
  • 12-V VDD UVLO with power good on RDY
  • Inputs/outputs with over/under-shoot transient voltage immunity up to 5 V
  • 130-ns (maximum) propagation delay and 30-ns (maximum) pulse/part skew
  • SOIC-16 DW package with creepage and clearance distance > 8 mm
  • Operating junction temperature –40°C to 150°C
  • Safety-related certifications:
    • Reinforced insulation per DIN EN IEC 60747-17 (VDE 0884-17)
    • UL 1577 component recognition program

The UCC21750 is a galvanic isolated single channel gate driver designed for SiC MOSFETs and IGBTs up to 2121-V DC operating voltage with advanced protection features, best-in-class dynamic performance and robustness. The UCC21750 has up to ±10-A peak source and sink current.

The input side is isolated from the output side with SiO2 capacitive isolation technology, supporting up to 1.5-kVRMS working voltage, 12.8-kVPK surge immunity with longer than 40 years Isolation barrier life, as well as providing low part-to-part skew , and > 150-V/ns common mode noise immunity (CMTI).

The UCC21750 includes the state-of-art protection features, such as fast overcurrent and short circuit detection, shunt current sensing support, fault reporting, active miller clamp, and input and output side power supply UVLO to optimize SiC and IGBT switching behavior and robustness. The isolated analog to PWM sensor can be used for easier temperature or voltage sensing, further increasing the drivers’ versatility and simplifying the system design effort, size, and cost.

The UCC21750 is a galvanic isolated single channel gate driver designed for SiC MOSFETs and IGBTs up to 2121-V DC operating voltage with advanced protection features, best-in-class dynamic performance and robustness. The UCC21750 has up to ±10-A peak source and sink current.

The input side is isolated from the output side with SiO2 capacitive isolation technology, supporting up to 1.5-kVRMS working voltage, 12.8-kVPK surge immunity with longer than 40 years Isolation barrier life, as well as providing low part-to-part skew , and > 150-V/ns common mode noise immunity (CMTI).

The UCC21750 includes the state-of-art protection features, such as fast overcurrent and short circuit detection, shunt current sensing support, fault reporting, active miller clamp, and input and output side power supply UVLO to optimize SiC and IGBT switching behavior and robustness. The isolated analog to PWM sensor can be used for easier temperature or voltage sensing, further increasing the drivers’ versatility and simplifying the system design effort, size, and cost.

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技術資料

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設計および開発

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試験報告書: PDF
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SOIC (DW) 16 オプションの表示

購入と品質

記載されている情報:
  • RoHS
  • REACH
  • デバイスのマーキング
  • リード端子の仕上げ / ボールの原材料
  • MSL rating / リフローピーク温度
  • MTBF/FIT 推定値
  • 材料 (内容)
  • 認定試験結果
  • 継続的な信頼性モニタ試験結果

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