ホーム パワー・マネージメント ゲート・ドライバ 絶縁型ゲート・ドライバ
ホーム
パワー・マネージメント
ゲート・ドライバ
絶縁型ゲート・ドライバ

UCC21750

アクティブ

DESAT (脱飽和) 機能搭載、ミラー・クランプ内蔵、IGBT/SiC FET 向け、5.7kVrms、±10A、シングルチャネル絶縁型ゲート・ドライバ

ご注文はこちら
データシート

UCC21750

アクティブ
データシート ご注文はこちら

製品詳細

Number of channels (#) 1 Isolation rating (Vrms) 5700 Power switch IGBT, SiCFET Peak output current (A) 10 DIN V VDE V 0884-10 transient overvoltage rating (Vpk) 8400 DIN V VDE V 0884-10 working voltage (Vpk) 2121 Output VCC/VDD (Max) (V) 33 Output VCC/VDD (Min) (V) 13 Input VCC (Min) (V) 3 Input VCC (Max) (V) 5.5 Prop delay (ns) 90 Operating temperature range (C) -40 to 125 Undervoltage lockout (Typ) 12
Number of channels (#) 1 Isolation rating (Vrms) 5700 Power switch IGBT, SiCFET Peak output current (A) 10 DIN V VDE V 0884-10 transient overvoltage rating (Vpk) 8400 DIN V VDE V 0884-10 working voltage (Vpk) 2121 Output VCC/VDD (Max) (V) 33 Output VCC/VDD (Min) (V) 13 Input VCC (Min) (V) 3 Input VCC (Max) (V) 5.5 Prop delay (ns) 90 Operating temperature range (C) -40 to 125 Undervoltage lockout (Typ) 12
SOIC (DW) 16 77 mm² 10.3 x 7.5
  • 5.7-kVRMS single channel isolated gate driver
  • SiC MOSFETs and IGBTs up to 2121Vpk
  • 33-V maximum output drive voltage (VDD – VEE)
  • ±10-A drive strength and split output
  • 150-V/ns minimum CMTI
  • 200-ns response time fast DESAT protection
  • 4-A Internal active miller clamp
  • 400-mA soft turn-off when fault happens
  • Isolated analog sensor with PWM output for
    • Temperature sensing with NTC, PTC or thermal diode
    • High voltage DC-link or phase voltage
  • Alarm FLT on overcurrent and reset from RST/EN
  • Fast enable and disable response on RST/EN
  • Reject < 40-ns noise transient and pulse on input pins
  • 12-V VDD UVLO with power good on RDY
  • Inputs/outputs with over/under-shoot transient voltage immunity up to 5 V
  • 130-ns (maximum) propagation delay and 30-ns (maximum) pulse/part skew
  • SOIC-16 DW package with creepage and clearance distance > 8 mm
  • Operating junction temperature –40°C to 150°C
  • Safety-related certifications:
    • Reinforced insulation per DIN EN IEC 60747-17 (VDE 0884-17)
    • UL 1577 component recognition program
  • 5.7-kVRMS single channel isolated gate driver
  • SiC MOSFETs and IGBTs up to 2121Vpk
  • 33-V maximum output drive voltage (VDD – VEE)
  • ±10-A drive strength and split output
  • 150-V/ns minimum CMTI
  • 200-ns response time fast DESAT protection
  • 4-A Internal active miller clamp
  • 400-mA soft turn-off when fault happens
  • Isolated analog sensor with PWM output for
    • Temperature sensing with NTC, PTC or thermal diode
    • High voltage DC-link or phase voltage
  • Alarm FLT on overcurrent and reset from RST/EN
  • Fast enable and disable response on RST/EN
  • Reject < 40-ns noise transient and pulse on input pins
  • 12-V VDD UVLO with power good on RDY
  • Inputs/outputs with over/under-shoot transient voltage immunity up to 5 V
  • 130-ns (maximum) propagation delay and 30-ns (maximum) pulse/part skew
  • SOIC-16 DW package with creepage and clearance distance > 8 mm
  • Operating junction temperature –40°C to 150°C
  • Safety-related certifications:
    • Reinforced insulation per DIN EN IEC 60747-17 (VDE 0884-17)
    • UL 1577 component recognition program

The UCC21750 is a galvanic isolated single channel gate driver designed for SiC MOSFETs and IGBTs up to 2121-V DC operating voltage with advanced protection features, best-in-class dynamic performance and robustness. The UCC21750 has up to ±10-A peak source and sink current.

The input side is isolated from the output side with SiO2 capacitive isolation technology, supporting up to 1.5-kVRMS working voltage, 12.8-kVPK surge immunity with longer than 40 years Isolation barrier life, as well as providing low part-to-part skew , and > 150-V/ns common mode noise immunity (CMTI).

The UCC21750 includes the state-of-art protection features, such as fast overcurrent and short circuit detection, shunt current sensing support, fault reporting, active miller clamp, and input and output side power supply UVLO to optimize SiC and IGBT switching behavior and robustness. The isolated analog to PWM sensor can be used for easier temperature or voltage sensing, further increasing the drivers’ versatility and simplifying the system design effort, size, and cost.

The UCC21750 is a galvanic isolated single channel gate driver designed for SiC MOSFETs and IGBTs up to 2121-V DC operating voltage with advanced protection features, best-in-class dynamic performance and robustness. The UCC21750 has up to ±10-A peak source and sink current.

The input side is isolated from the output side with SiO2 capacitive isolation technology, supporting up to 1.5-kVRMS working voltage, 12.8-kVPK surge immunity with longer than 40 years Isolation barrier life, as well as providing low part-to-part skew , and > 150-V/ns common mode noise immunity (CMTI).

The UCC21750 includes the state-of-art protection features, such as fast overcurrent and short circuit detection, shunt current sensing support, fault reporting, active miller clamp, and input and output side power supply UVLO to optimize SiC and IGBT switching behavior and robustness. The isolated analog to PWM sensor can be used for easier temperature or voltage sensing, further increasing the drivers’ versatility and simplifying the system design effort, size, and cost.
open-in-new その他の 絶縁型ゲート・ドライバ を検索
ダウンロード

お客様が関心を持ちそうな類似製品

open-in-new 製品の比較
比較対象デバイスと同等の機能で、ピン配置が異なる製品。
UCC21710 アクティブ OC (過電流) 検出機能と内部クランプ搭載、IGBT/SiC 向け、5.7kVrms、±10A、シングルチャネル絶縁型ゲート・ドライバ Supports internal Miller clamp; only supports Soft Turn-OFF
UCC21732 アクティブ 2 レベルのターンオフ機能搭載、IGBT/SiC FET 向け、5.7kVrms、±10A、シングルチャネル絶縁型ゲート・ドライバ Supports external Miller clamp; supports two-level Soft Turn-OFF

技術資料

star =TI が選定したこの製品の主要ドキュメント
結果が見つかりませんでした。検索条件をクリアして、もう一度検索を行ってください。
15 をすべて表示
種類 タイトル 最新の英語版をダウンロード 日付
* データシート UCC21750 10-A Source/Sink Reinforced Isolated Single Channel Gate Driver for SiC/IGBT with Active Protection, Isolated Analog Sensing and High-CMTI データシート (Rev. C) PDF | HTML 2023年 1月 12日
証明書 VDE Certificate for Reinforced Isolation for DIN EN IEC 60747-17 (Rev. R) 2022年 7月 12日
技術記事 Misconceptions about EV charging 2022年 2月 24日
アプリケーション・ノート The Use and Benefits of Ferrite Beads in Bate Drive Circuits PDF | HTML 2021年 12月 16日
証明書 FPPT2 - Nonoptical Isolating Devices UL 1577 Certificate of Compliance 2021年 10月 26日
アプリケーション・ノート Understanding the Short Circuit Protection for Silicon Carbide MOSFETs (Rev. B) 2020年 5月 13日
e-Book（PDF） E-book：産業用ロボット設計に関するエンジニア・ガイド 英語版をダウンロード 2020年 3月 25日
e-Book（PDF） E-book: An engineer’s guide to industrial robot designs.. 2020年 3月 25日
設計ガイド サーマル・ダイオードとセンシング FET を搭載した SiC/IGBT 絶縁型ゲート・ドライバのリファレンス・デザイン 英語版をダウンロード 2020年 1月 17日
アプリケーション・ノート Performance of the Analog PWM Channel in Smart Gate Drivers 2020年 1月 16日
ユーザー・ガイド UCC21732QDWEVM-025 (Rev. B) 2019年 9月 9日
技術記事 Searching for the newest innovations in power? Find them at APEC 2019年 2月 9日
アプリケーション・ノート Why is high UVLO important for safe IGBT & SiC MOSFET power switch operation 2019年 1月 30日
技術記事 How to achieve higher system robustness in DC drives, part 3: minimum input pulse 2018年 9月 19日
技術記事 How to achieve higher system robustness in DC drives, part 2: interlock and deadtime 2018年 5月 30日

設計および開発

その他のアイテムや必要なリソースを参照するには、以下のタイトルをクリックして詳細ページを表示してください。

評価ボード

UCC21750QDWEVM-025 — SiC / IGBT トランジスタと電源モジュール向け駆動 / 保護機能評価ボード

The UCC21750QDWEVM-025 is a compact, single channel isolated gate driver board providing drive, bias voltages, desat feature based protection and diagnostic needed for SiC MOSFET and Si IGBT Power Modules housed in 150 x 62 x 17 mm and 106 x 62 x 30 mm packages. This TI EVM is based on 5.7-kVrms (...)
ユーザー・ガイド: PDF
TI.com で取扱いなし
シミュレーション・モデル

UCC21750 PSpice Transient Model

SLUM680.ZIP (90 KB) - PSpice Model
ダウンロード
シミュレーション・モデル

UCC21750 Unencrypted PSPICE Transient Model

SLUM718.ZIP (6 KB) - PSpice Model
ダウンロード
シミュレーション・モデル

UCC21750DWR PSPICE Model

SLUM736.ZIP (6 KB) - PSpice Model
ダウンロード
計算ツール

UCC217xx XL Calculator Tool

SLUC695.ZIP (1108 KB)
ダウンロード
シミュレーション・ツール

PSPICE-FOR-TI — TI Design / シミュレーション・ツール向け PSpice®

PSpice® for TI は、各種アナログ回路の機能評価に役立つ、設計とシミュレーション向けの環境です。設計とシミュレーションに適したこのフル機能スイートは、Cadence® のアナログ分析エンジンを使用しています。PSpice for TI は無償で使用でき、アナログや電源に関する TI の製品ラインアップを対象とする、業界でも有数の大規模なモデル・ライブラリが付属しているほか、選択された一部のアナログ動作モデルも利用できます。

設計とシミュレーション向けの環境である PSpice for TI (...)
リクエスト
リファレンス・デザイン

TIDA-01599 — TÜV SÜD 評価済み、産業用ドライブ (IEC 61800-5-2) 向け、セーフ・トルク・オフ (STO) のリファレンス・デザイン

このリファレンス・デザインは、3 相インバータ向けセーフ・トルク・オフ (STO) サブシステムと、CMOS 入力絶縁型 IGBT ゲート・ドライバとの組み合わせの概要を示します。この STO サブシステムは、2 チャネル構造を採用し (1oo2：1 out of 2、冗長化の目的で 2 つのうち少なくとも一方が動作)、ハードウェア障害耐性 1 (HFT = 1) を実現しています。無励磁化トリップの概念に従う実装を採用しています。デュアル STO 入力 (STO 1 と STO _2) がアクティブ・ローになった場合、6 個の絶縁型 IGBT ゲート・ドライバの 1 次側と 2 (...)
設計ガイド: PDF
回路図: PDF
リファレンス・デザイン

PMP23223 — バイアス電源搭載、スマート絶縁型ゲート・ドライバのリファレンス・デザイン

このリファレンス・デザインは、UCC21732 ゲート・ドライバと UCC14xxx シリーズのバイアス電源の組み合わせを提示します。このリファレンス・デザインは、Wolfspeed 社の SiC (シリコン・カーバイド) FET (電界効果トランジスタ) モジュールへの直接接続を含め、さまざまなパワー・スイッチの駆動に使用できます。このリファレンス・デザインは、ハイサイド・ドライバとローサイド・ドライバのどちらか一方として使用できるほか、静電容量性負荷に類似した負荷と組み合わせてテストすることもできます。
試験報告書: PDF
パッケージ ピン数 ダウンロード
SOIC (DW) 16 オプションの表示

購入と品質

記載されている情報：
  • RoHS
  • REACH
  • デバイスのマーキング
  • リード端子の仕上げ / ボールの原材料
  • MSL rating / リフローピーク温度
  • MTBF/FIT 推定値
  • 材料 (内容)
  • 認定試験結果
  • 継続的な信頼性モニタ試験結果

推奨製品には、この TI 製品に関連するパラメータ、評価基板、またはリファレンス・デザインが存在する可能性があります。

サポートとトレーニング

TI E2E™ Forums (英語) では、TI のエンジニアからの技術サポートが活用できます

英語で投稿されたすべてのフォーラムトピックを表示

コンテンツは、TI 投稿者やコミュニティ投稿者によって「現状のまま」提供されるもので、TI による仕様の追加を意図するものではありません。使用条件をご確認ください。

TI 製品の品質、パッケージ、ご注文に関するお問い合わせは、TI サポートをご覧ください。​​​​​​​​​​​​​​

ビデオ