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UCC21710-Q1

アクティブ

車載対応、過電流保護機能搭載、IGBT/SiC 向け、5.7kVrms、10A、シングルチャネル絶縁型ゲート ドライバ

製品詳細

Number of channels 1 Isolation rating Reinforced Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 5700 Working isolation voltage (VIOWM) (Vrms) 2121 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 8000, 8400 Power switch IGBT, SiCFET Peak output current (A) 10 Features Active miller clamp, Fault reporting, Integrated analog to PWM sensor, Power good, Short circuit protection, Soft turn-off Output VCC/VDD (max) (V) 33 Output VCC/VDD (min) (V) 13 Input supply voltage (min) (V) 3 Input supply voltage (max) (V) 5.5 TI functional safety category Functional Safety Quality-Managed Propagation delay time (µs) 0.09 Input threshold CMOS Operating temperature range (°C) -40 to 125 Rating Automotive Bootstrap supply voltage (max) (V) 2121 Rise time (ns) 33 Fall time (ns) 27 Undervoltage lockout (typ) (V) 12
Number of channels 1 Isolation rating Reinforced Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 5700 Working isolation voltage (VIOWM) (Vrms) 2121 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 8000, 8400 Power switch IGBT, SiCFET Peak output current (A) 10 Features Active miller clamp, Fault reporting, Integrated analog to PWM sensor, Power good, Short circuit protection, Soft turn-off Output VCC/VDD (max) (V) 33 Output VCC/VDD (min) (V) 13 Input supply voltage (min) (V) 3 Input supply voltage (max) (V) 5.5 TI functional safety category Functional Safety Quality-Managed Propagation delay time (µs) 0.09 Input threshold CMOS Operating temperature range (°C) -40 to 125 Rating Automotive Bootstrap supply voltage (max) (V) 2121 Rise time (ns) 33 Fall time (ns) 27 Undervoltage lockout (typ) (V) 12
SOIC (DW) 16 106.09 mm² 10.3 x 10.3
  • 5.7kV RMS のシングル・チャネル絶縁型ゲート・ドライバ
  • 車載アプリケーション向けに AEC-Q100 認定済み
    • デバイス温度グレード 0:-40℃~+150℃の動作時周囲温度範囲
    • デバイス HBM ESD 分類レベル 3A
    • デバイス CDM ESD 分類レベル C6
  • 最高 2121V pk の SiC MOSFET および IGBT
  • 最高出力駆動電圧 (VDD-VEE):33V
  • ±10A の駆動強度と分割出力
  • CMTI:150V/ns 以上
  • 270ns の応答時間による高速過電流保護
  • 4A の内部アクティブ・ミラー・クランプ
  • フォルト発生時の 400mA ソフト・ターンオフ・オプション
  • PWM 出力を備えた絶縁アナログ・センサで
    • NTC、PTC、サーマル・ダイオードによる温度センシング
    • 高電圧 DC リンクまたは相電圧
  • 過電流 FLT アラームと RST/EN からのリセット
  • RST/EN での高速イネーブル / ディセーブル応答
  • 入力ピンの 40ns 未満のノイズ過渡およびパルスを除去
  • 12V VDD UVLO (RDY のパワー・グッド付き)
  • 最大 5V のオーバー / アンダー・シュート過渡電圧に耐える入出力
  • 伝搬遅延時間:130ns 以下、パルス / 部品スキュー:30ns 以下
  • 沿面距離と空間距離が 8mm を超える SOIC-16 DW パッケージ
  • 動作時の接合部温度:–40℃~150℃
  • 安全関連認証:
    • DIN EN IEC 60747-17 (VDE 0884-17) に準拠した強化絶縁
    • UL 1577 部品認定プログラム
  • 5.7kV RMS のシングル・チャネル絶縁型ゲート・ドライバ
  • 車載アプリケーション向けに AEC-Q100 認定済み
    • デバイス温度グレード 0:-40℃~+150℃の動作時周囲温度範囲
    • デバイス HBM ESD 分類レベル 3A
    • デバイス CDM ESD 分類レベル C6
  • 最高 2121V pk の SiC MOSFET および IGBT
  • 最高出力駆動電圧 (VDD-VEE):33V
  • ±10A の駆動強度と分割出力
  • CMTI:150V/ns 以上
  • 270ns の応答時間による高速過電流保護
  • 4A の内部アクティブ・ミラー・クランプ
  • フォルト発生時の 400mA ソフト・ターンオフ・オプション
  • PWM 出力を備えた絶縁アナログ・センサで
    • NTC、PTC、サーマル・ダイオードによる温度センシング
    • 高電圧 DC リンクまたは相電圧
  • 過電流 FLT アラームと RST/EN からのリセット
  • RST/EN での高速イネーブル / ディセーブル応答
  • 入力ピンの 40ns 未満のノイズ過渡およびパルスを除去
  • 12V VDD UVLO (RDY のパワー・グッド付き)
  • 最大 5V のオーバー / アンダー・シュート過渡電圧に耐える入出力
  • 伝搬遅延時間:130ns 以下、パルス / 部品スキュー:30ns 以下
  • 沿面距離と空間距離が 8mm を超える SOIC-16 DW パッケージ
  • 動作時の接合部温度:–40℃~150℃
  • 安全関連認証:
    • DIN EN IEC 60747-17 (VDE 0884-17) に準拠した強化絶縁
    • UL 1577 部品認定プログラム

UCC21710-Q1 は、最大 1700V の SiC MOSFET および IGBT に対応するように設計されたガルバニック絶縁型シングル・チャネル・ゲート・ドライバであり、先進的な保護機能とクラス最高の動的性能および堅牢性を備えています。 UCC21710-Q1 は最大 ±10A のピーク・ソース / シンク電流を供給できます。

入力側は SiO 2 容量性絶縁技術によって出力側から絶縁され、最大 1.5kV RMS の動作電圧に対応し、40 年を超える寿命の絶縁バリアにより 12.8kV PK のサージ耐性を備えるとともに、部品間スキューが小さく、 150V/ns を超える同相ノイズ耐性 (CMTI) を実現しています。

UCC21710 -Q1 は、高速の過電流および短絡検出、シャント電流センシング・サポート、フォルト通知、アクティブ・ミラー・クランプ、入力側および出力側電源 UVLO などの最新の保護機能を備えているため、SiC および IGBT のスイッチング動作や堅牢性を最適化できます。アナログから PWM へ信号を変換する、この絶縁型センサは、温度または電圧のセンシングを簡単に行えるため、ドライバの汎用性をさらに高め、システムの設計工数、サイズ、およびコストを簡素化できます。

UCC21710-Q1 は、最大 1700V の SiC MOSFET および IGBT に対応するように設計されたガルバニック絶縁型シングル・チャネル・ゲート・ドライバであり、先進的な保護機能とクラス最高の動的性能および堅牢性を備えています。 UCC21710-Q1 は最大 ±10A のピーク・ソース / シンク電流を供給できます。

入力側は SiO 2 容量性絶縁技術によって出力側から絶縁され、最大 1.5kV RMS の動作電圧に対応し、40 年を超える寿命の絶縁バリアにより 12.8kV PK のサージ耐性を備えるとともに、部品間スキューが小さく、 150V/ns を超える同相ノイズ耐性 (CMTI) を実現しています。

UCC21710 -Q1 は、高速の過電流および短絡検出、シャント電流センシング・サポート、フォルト通知、アクティブ・ミラー・クランプ、入力側および出力側電源 UVLO などの最新の保護機能を備えているため、SiC および IGBT のスイッチング動作や堅牢性を最適化できます。アナログから PWM へ信号を変換する、この絶縁型センサは、温度または電圧のセンシングを簡単に行えるため、ドライバの汎用性をさらに高め、システムの設計工数、サイズ、およびコストを簡素化できます。

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技術資料

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* データシート UCC21710-Q1 アクティブ保護、絶縁アナログ・センシング、高 CMTI 搭載 SiC/IGBT 向け 10A ソース / シンク強化絶縁シングル・チャネル・ゲート・ドライバ データシート (Rev. C 翻訳版) PDF | HTML 最新英語版 (Rev.D) PDF | HTML 2023年 5月 17日
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設計および開発

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評価ボード

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The UCC21710QDWEVM-025 is a compact, single channel isolated gate driver board providing drive, bias voltages, protection and diagnostic needed for SiC MOSFET and Si IGBT Power Modules housed in 150 x 62 x 17 mm and 106 x 62 x 30 mm packages. This TI EVM is based on 5.7-kVrms reinforced isolation (...)
ユーザー ガイド: PDF
シミュレーション・モデル

UCC21710 PSpice Transient Model

SLUM679.ZIP (89 KB) - PSpice Model
シミュレーション・モデル

UCC21710 Unencrypted PSpice Transient Model

SLUM716.ZIP (6 KB) - PSpice Model
シミュレーション・モデル

UCC21732QDWRQ1 PSPICE Model

SLUM723.ZIP (6 KB) - PSpice Model
計算ツール

SLUC695 UCC217xx XL Calculator Tool

サポート対象の製品とハードウェア

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製品
絶縁型ゲート・ドライバ
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シミュレーション・ツール

PSPICE-FOR-TI — TI Design / シミュレーション・ツール向け PSpice®

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リファレンス・デザイン

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試験報告書: PDF
パッケージ ピン数 CAD シンボル、フットプリント、および 3D モデル
SOIC (DW) 16 Ultra Librarian

購入と品質

記載されている情報:
  • RoHS
  • REACH
  • デバイスのマーキング
  • リード端子の仕上げ / ボールの原材料
  • MSL 定格 / ピーク リフロー
  • MTBF/FIT 推定値
  • 使用原材料
  • 認定試験結果
  • 継続的な信頼性モニタ試験結果
記載されている情報:
  • ファブの拠点
  • 組み立てを実施した拠点

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サポートとトレーニング

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