Dieses Referenzdesign zeigt verschiedene Stromversorgungsarchitekturen zur Erzeugung von mehreren Spannungsschienen für ein Anwendungsprozessormodul, das einen Laststrom > 1 A und einen hohen Wirkungsgrad benötigt. Die erforderliche Stromversorgung wird über einen 5-, 12- oder 24-V-DC-Eingang von der Backplane erzeugt. Stromversorgungen werden mit Hilfe von DC-DC-Wandlern mit integriertem FET und einem Stromversorgungsmodul mit integrierter Induktivität für die Größenmessung erzeugt. Das Design verfügt über einen HotRod™-Gehäusetyp für Anwendungen, die geringe EMI-Werte erfordern. Es ist auch optimal für Anwendungen mit begrenzter Entwicklungszeit. Weitere Merkmale sind DDR-Terminierungsregler, OR-ing der Eingangsspannung, Spannungssequenzierung, eFuse für Überlastschutz sowie Spannungs- und Laststromüberwachung. Dieses Design kann mit einem Prozessor, einem digitalen Signalprozessor und einem feldprogrammierbaren Gate-Array verwendet werden. Es wurde auf abgestrahlte Emissionen gemäß CISPR22 geprüft und erfüllt die Anforderungen der Klassen A und B.
Merkmale
- Stromversorgungserzeugung mit 24-V-Eingang mit synchronem DC/DC-Abwärtswandler mit integriertem FET, kompaktes Nano-Stromversorgungsmodul mit hervorragender Lasttransientenleistung und exakter Ausgangsregelung
- Stromversorgungsmodule im QFN-Gehäuse, die eine optimale thermische Leistung bieten
- DC-DC-Wandler im HotRod™-Gehäuse für niedrige EMI-Werte
- Stromversorgungserzeugung mit 12-V-Eingang unter Verwendung eines OR-ing-Controllers für redundanten Betrieb mit Anbindung an einen hocheffizienten DC/DC-Wandler oder ein externes Evaluierungsmodul
- Point-of-Load (POL)-Versorgungserzeugung mit 5-V-Eingang unter Verwendung von PMIC , DC/DC-Wandler und Linearreglern oder DC/DC-Wandler > 3 A Last mit verbessertem niedrigem Lastwirkungsgrad und Lastverteilung
- Saubere Stromversorgung unter Verwendung eines 1-A-Linearreglers mit zwei Ausgängen und niedrigem Dropout mit rauscharmem PSRRR mit hoher Bandbreite