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LM5112

AKTIV

3-A-/7-A-Einkanal-Gate-Treiber mit 4-V-UVLO und Masseeingang für Split-Supply-Betrieb

Eine neuere Version dieses Produkts ist verfügbar

Selbe Funktionalität wie der verglichene Baustein bei abweichender Anschlussbelegung.
UCC27614 AKTIV Einkanaliger Low-Side-Treiber, 10 A/10 A, mit 4 V UVLO, 30 V VDD und geringer Ausbreitungsverzögerun More recent driver with wide VDD and smaller package options

Produktdetails

Number of channels 1 Power switch MOSFET Peak output current (A) 7 Input supply voltage (min) (V) 3.5 Input supply voltage (max) (V) 14 Features Negative Output Voltage Capability Operating temperature range (°C) -40 to 125 Rise time (ns) 14 Fall time (ns) 12 Propagation delay time (µs) 0.025 Input threshold TTL Channel input logic Inverting, Non-Inverting Input negative voltage (V) 0 Rating Catalog Undervoltage lockout (typ) (V) 3 Driver configuration Single
Number of channels 1 Power switch MOSFET Peak output current (A) 7 Input supply voltage (min) (V) 3.5 Input supply voltage (max) (V) 14 Features Negative Output Voltage Capability Operating temperature range (°C) -40 to 125 Rise time (ns) 14 Fall time (ns) 12 Propagation delay time (µs) 0.025 Input threshold TTL Channel input logic Inverting, Non-Inverting Input negative voltage (V) 0 Rating Catalog Undervoltage lockout (typ) (V) 3 Driver configuration Single
WSON (NGG) 6 9 mm² (3 mm × 3 mm) HVSSOP (DGN) 8 14.7 mm² (3 mm × 4.9 mm)
  • LM5112-Q1 is Qualified for Automotive Applications
  • AEC-Q100 Grade 1 Qualified
  • Manufactured on an Automotive Grade Flow
  • Compound CMOS and Bipolar Outputs Reduce Output Current Variation
  • 7-A Sink and 3-A Source Current
  • Fast Propagation Times: 25 ns (Typical)
  • Fast Rise and Fall Times: 14 ns or 12 ns
    Rise or Fall With 2-nF Load
  • Inverting and Non-Inverting Inputs Provide Either Configuration With a Single Device
  • Supply Rail Undervoltage Lockout Protection
  • Dedicated Input Ground (IN_REF) for
    Split Supply or Single Supply Operation
  • Power Enhanced 6-Pin WSON Package
    (3 mm × 3 mm) or Thermally Enhanced
    MSOP-PowerPAD Package
  • Output Swings From VCC to VEE Which Are Negative Relative to Input Ground
  • LM5112-Q1 is Qualified for Automotive Applications
  • AEC-Q100 Grade 1 Qualified
  • Manufactured on an Automotive Grade Flow
  • Compound CMOS and Bipolar Outputs Reduce Output Current Variation
  • 7-A Sink and 3-A Source Current
  • Fast Propagation Times: 25 ns (Typical)
  • Fast Rise and Fall Times: 14 ns or 12 ns
    Rise or Fall With 2-nF Load
  • Inverting and Non-Inverting Inputs Provide Either Configuration With a Single Device
  • Supply Rail Undervoltage Lockout Protection
  • Dedicated Input Ground (IN_REF) for
    Split Supply or Single Supply Operation
  • Power Enhanced 6-Pin WSON Package
    (3 mm × 3 mm) or Thermally Enhanced
    MSOP-PowerPAD Package
  • Output Swings From VCC to VEE Which Are Negative Relative to Input Ground

The LM5112 device MOSFET gate driver provides high peak gate drive current in the tiny 6-pin WSON package (SOT-23 equivalent footprint) or an 8-pin exposed-pad MSOP package with improved power dissipation required for high frequency operation. The compound output driver stage includes MOS and bipolar transistors operating in parallel that together sink more than 7 A peak from capacitive loads. Combining the unique characteristics of MOS and bipolar devices reduces drive current variation with voltage and temperature. Undervoltage lockout protection is provided to prevent damage to the MOSFET due to insufficient gate turnon voltage. The LM5112 device provides both inverting and non-inverting inputs to satisfy requirements for inverting and non-inverting gate drive with a single device type.

The LM5112 device MOSFET gate driver provides high peak gate drive current in the tiny 6-pin WSON package (SOT-23 equivalent footprint) or an 8-pin exposed-pad MSOP package with improved power dissipation required for high frequency operation. The compound output driver stage includes MOS and bipolar transistors operating in parallel that together sink more than 7 A peak from capacitive loads. Combining the unique characteristics of MOS and bipolar devices reduces drive current variation with voltage and temperature. Undervoltage lockout protection is provided to prevent damage to the MOSFET due to insufficient gate turnon voltage. The LM5112 device provides both inverting and non-inverting inputs to satisfy requirements for inverting and non-inverting gate drive with a single device type.

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Technische Dokumentation

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* Datenblatt LM5112, LM5112-Q1 Tiny 7-A MOSFET Gate Driver datasheet (Rev. C) PDF | HTML 22.10.2015
Anwendungshinweis Review of Different Power Factor Correction (PFC) Topologies' Gate Driver Needs PDF | HTML 22.01.2024
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Auswahlhilfe Power Management Guide 2018 (Rev. R) 25.06.2018
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Anwendungshinweis An Alternative Approach to Higher-Power Boost Converters 30.11.2009

Design und Entwicklung

Weitere Bedingungen oder erforderliche Ressourcen enthält gegebenenfalls die Detailseite, die Sie durch Klicken auf einen der unten stehenden Titel erreichen.

Evaluierungsplatine

UCC27423-4-5-Q1EVM — UCC2742xQ1 Dual 4-A Highspeed-Low-Side-MOSFET-Treiber mit Aktivierung – Evaluierungsmodul (EVM)

Das UCC2742xQ1-EVM ist ein Highspeed-Dual-MOSFET-Evaluierungsmodul, das eine Testplattform für die schnelle und einfache Inbetriebnahme des UCC2742xQ1-Treibers bereitstellt. Die Stromversorgung findet über eine einzelne externe Stromversorgung mit 4 V bis 15 V statt und das EVM ist mit einem (...)
Benutzerhandbuch: PDF
Unterstützte Produkte und Hardware
Vorrätig
Limit:
??asset.out-of-stock-ti_de_DE??
Nicht verfügbar
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Unterstützte Produkte und Hardware
Gehäuse Pins CAD-Symbole, Footprints und 3D-Modelle
WSON (NGG) 6 Ultra Librarian
HVSSOP (DGN) 8 Ultra Librarian

Bestellen & Qualität

Empfohlene Produkte können Parameter, Evaluierungsmodule oder Referenzdesigns zu diesem TI-Produkt beinhalten.

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