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LMG2640

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650 V 105 mΩ GaN-Halbbrücke mit integriertem Treiber, Schutz und Strommessung

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LMG2640

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Produktdetails

VDS (max) (V) 650 RDS(on) (mΩ) 105 ID (max) (A) 8.5 Features Bottom-side cooled, Built-in bootstrap diode, Cycle-by-cycle overcurrent protection, Half-bridge, Overtemperature protection, USB C/PD compatible Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 125
VDS (max) (V) 650 RDS(on) (mΩ) 105 ID (max) (A) 8.5 Features Bottom-side cooled, Built-in bootstrap diode, Cycle-by-cycle overcurrent protection, Half-bridge, Overtemperature protection, USB C/PD compatible Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 125
VQFN (RRG) 40 63 mm² 9 x 7
  • 650V GaN power-FET half bridge
  • 105mΩ low-side and high-side GaN FETs
  • Integrated gate drivers with low propagation delays
  • Current-sense emulation with high-bandwidth and high accuracy
  • Low-side / high-side gate-drive interlock
  • High-side gate-drive signal level shifter
  • Smart-switched bootstrap diode function
  • High-side start up : < 8µs
  • Low-side / high-side cycle-by-cycle over-current protection
  • Over-temperature protection with FLT pin reporting
  • AUX idle quiescent current: 250µA
  • AUX standby quiescent current: 50µA
  • BST idle quiescent current: 65µA
  • Maximum supply and input logic pin voltage: 26V
  • 9×7mm QFN package with dual thermal pads
  • 650V GaN power-FET half bridge
  • 105mΩ low-side and high-side GaN FETs
  • Integrated gate drivers with low propagation delays
  • Current-sense emulation with high-bandwidth and high accuracy
  • Low-side / high-side gate-drive interlock
  • High-side gate-drive signal level shifter
  • Smart-switched bootstrap diode function
  • High-side start up : < 8µs
  • Low-side / high-side cycle-by-cycle over-current protection
  • Over-temperature protection with FLT pin reporting
  • AUX idle quiescent current: 250µA
  • AUX standby quiescent current: 50µA
  • BST idle quiescent current: 65µA
  • Maximum supply and input logic pin voltage: 26V
  • 9×7mm QFN package with dual thermal pads

The LMG2640 is a 650V GaN power-FET half bridge intended for switch mode power supply applications. The LMG2640 simplifies design, reduces component count, and reduces board space by integrating half-bridge power FETs, gate drivers, bootstrap diode, and high-side gate-drive level shifter in a 9mm by 7mm QFN package.

The low-side current-sense emulation reduces power dissipation compared to the traditional current-sense resistor and allows the low-side thermal pad to be connected to the cooling PCB power ground.

The high-side gate-drive signal level shifter eliminates noise and burst-mode power dissipation problems found with external solutions. The smart-switched GaN bootstrap FET has no diode forward-voltage drop, avoids overcharging the high-side supply, and has zero reverse-recovery charge.

The LMG2640 supports converter light-load efficiency requirements and burst-mode operation with low quiescent currents and fast start-up times. Protection features include FET turn-on interlock, under-voltage lockout (UVLO), cycle-by-cycle current limit, and over-temperature shut down.

The LMG2640 is a 650V GaN power-FET half bridge intended for switch mode power supply applications. The LMG2640 simplifies design, reduces component count, and reduces board space by integrating half-bridge power FETs, gate drivers, bootstrap diode, and high-side gate-drive level shifter in a 9mm by 7mm QFN package.

The low-side current-sense emulation reduces power dissipation compared to the traditional current-sense resistor and allows the low-side thermal pad to be connected to the cooling PCB power ground.

The high-side gate-drive signal level shifter eliminates noise and burst-mode power dissipation problems found with external solutions. The smart-switched GaN bootstrap FET has no diode forward-voltage drop, avoids overcharging the high-side supply, and has zero reverse-recovery charge.

The LMG2640 supports converter light-load efficiency requirements and burst-mode operation with low quiescent currents and fast start-up times. Protection features include FET turn-on interlock, under-voltage lockout (UVLO), cycle-by-cycle current limit, and over-temperature shut down.
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Technische Dokumentation

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Typ Titel Datum
* Data sheet LMG2640 Integrated 650V GaN Half Bridge datasheet PDF | HTML 04 Nov 2024
EVM User's guide LMG2640 Half-Bridge Daughter Card Evaluation Module User's Guide PDF | HTML 07 Okt 2024

Design und Entwicklung

Weitere Bedingungen oder erforderliche Ressourcen enthält gegebenenfalls die Detailseite, die Sie durch Klicken auf einen der unten stehenden Titel erreichen.

Tochterkarte

LMG2640EVM-090 — LMG2640-Tochterkarte

Das LMG2640-Tochterkarten-Evaluierungsmodul (EVM) wurde entwickelt, um eine schnelle und einfache Plattform für die Evaluierung der integrierten GaN-Bausteine von TI in beliebigen Halbbrückentopologien zu bieten. Die Platine ist für die Anbindung an ein größeres System unter Verwendung der sechs (...)

Benutzerhandbuch: PDF | HTML
Nicht verfügbar auf TI.com
Berechnungstool

LMGXX-GAN-LLC-CALC — GaN LLC resonant converter device loss calculator

Device Loss Calculator can be used to evaluate different devices for different topologies of the LLC Resonant Converter
Unterstützte Produkte und Hardware

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Produkte
Galliumnitrid (GaN)-Leistungsstufen
LMG2100R026 — Galliumnitrid-Halbbrücken-Leistungsstufe (GaN) mit 100 V 2,6 mΩ LMG2100R044 — 100-V-Halbbrücken-GaN-FET, 4,4 mΩ, mit integriertem Treiber und Schutz LMG2610 — GaN-Halbbrücke für ACF, 650 V, 170/248 mΩ, mit integriertem Treiber, Schutz und Strommessung LMG2640 — 650 V 105 mΩ GaN-Halbbrücke mit integriertem Treiber, Schutz und Strommessung LMG2650 — 650 V 95 mΩ GaN-Halbbrücke mit integriertem Treiber, Schutz und Strommessung LMG2652 — 650 V, 140 mΩ GaN-Halbbrücke mit integriertem Treiber, Schutz und Strommessung LMG2656 — 650 V 230 mΩ GaN-Halbbrücke mit integriertem Treiber, Schutz und Strommessung LMG3410R050 — GaN, 600 V. 50 mΩ, Treiber und Schutz integriert LMG3410R070 — GaN, 600 V, 70 mΩ, mit integriertem Treiber und Schutz LMG3410R150 — GaN, 600 V, 150 mΩ, mit integriertem Treiber und Überstromschutz LMG3411R050 — GaN, 600 V, 50 mΩ, mit integriertem Treiber und Zyklus-für-Zyklus-Überstromschutz LMG3411R070 — GaN, 600 V, 70 mΩ, mit integriertem Treiber und Zyklus-für-Zyklus-Überstromschutz LMG3411R150 — GaN, 600 V, 150 mΩ, mit integriertem Treiber und Zyklus-für-Zyklus-Überstromschutz LMG3422R030 — GaN-FET, 600 V, 30 mΩ, beinhaltet Treiber, Schutz und Temperaturmeldung LMG3422R050 — GaN-FET, 600 V, 50 mΩ, beinhaltet Treiber, Schutz und Temperaturmeldung LMG3425R030 — GaN-FET, 600 V, 30 mΩ, Treiber, Schutz und Temperaturmeldung, für Automobilind., idealer Diodenmodus LMG3425R050 — GaN-FET, 600 V, 50 mΩ, Treiber, Schutz und Temperaturmeldung, für Automobilind., idealer Diodenmodus LMG3426R030 — GaN-FET, 600 V, 30 mΩ, mit integriertem Treiber, Schutz und Nullspannung LMG3426R050 — GaN-FET, 600 V, 50 mΩ, mit integriertem Treiber, Schutz und Nullspannungserkennung LMG3427R030 — GaN-FET, 600 V, 30 mΩ, mit integriertem Treiber, Schutz und Nullstrom LMG3427R050 — GaN-FET, 600 V, 50 mΩ, mit integriertem Treiber, Schutz und Nullstromerkennung LMG3522R030 — GaN-FET, 650 V, 30 mΩ, mit integriertem Treiber, Schutz und Temperaturmeldung LMG3522R030-Q1 — GaN-FET, 650 V, 30 mΩ, mit Integration von Treiber, Schutz und Temperaturmeldung für die Automobilin LMG3522R050 — GaN-FET, 650 V, 50 mΩ, mit integriertem Treiber, Schutz und Temperaturmeldung LMG3526R030 — GaN-FET, 650 V, 30 mΩ, mit integriertem Treiber, Schutz und Nullspannungserkennung LMG3526R050 — GaN-FET, 650 V, 50 mΩ, mit integriertem Treiber, Schutz und Berichtsfunktionen für die Nullspannu LMG3527R030 — GaN-FET, 650 V, 30 mΩ, mit integriertem Treiber, Schutz und Nullstrom LMG5200 — GaN-Halbbrücken-Leistungsstufe für 80 V
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Gehäuse Pins CAD-Symbole, Footprints und 3D-Modelle
VQFN (RRG) 40 Ultra Librarian
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