JAJSUD6A April   2024  – May 2025 TPS23881B

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特長
  3. 2 アプリケーション
  4. 3 説明
  5. 4 デバイス比較表
  6. 5 ピン構成および機能
    1. 5.1 ピンの詳細説明
  7. 6 仕様
    1. 6.1 絶対最大定格
    2. 6.2 ESD 定格
    3. 6.3 推奨動作条件
    4. 6.4 熱に関する情報
    5. 6.5 電気的特性
    6. 6.6 代表的特性
  8. 7 パラメータ測定情報
    1. 7.1 タイミング図
  9. 8 詳細説明
    1. 8.1 概要
      1. 8.1.1 動作モード
        1. 8.1.1.1 車載
        2. 8.1.1.2 自律
        3. 8.1.1.3 半自動
        4. 8.1.1.4 手動および診断
        5. 8.1.1.5 電源オフ
      2. 8.1.2 PoE 適合性の用語
      3. 8.1.3 チャネルとポートの関係の用語
      4. 8.1.4 要求されたクラスと割り当てられたクラス
      5. 8.1.5 電源の割り当てと電源の降格
      6. 8.1.6 プログラマブル SRAM
    2. 8.2 機能ブロック図
    3. 8.3 機能説明
      1. 8.3.1 ポートの再割り当て
      2. 8.3.2 ポート電力の優先度
      3. 8.3.3 A/D コンバータ (ADC)
      4. 8.3.4 I2C ウォッチドッグ
      5. 8.3.5 電流フォールドバック保護
    4. 8.4 デバイスの機能モード
      1. 8.4.1 検出
      2. 8.4.2 接続チェック
      3. 8.4.3 分類
      4. 8.4.4 DC 接続解除
    5. 8.5 I2C プログラミング
      1. 8.5.1 I2C シリアル インターフェイス
    6. 8.6 レジスタ マップ
      1. 8.6.1 レジスタ セット全体
      2. 8.6.2 レジスタの詳細説明
        1. 8.6.2.1  割り込みレジスタ
        2. 8.6.2.2  割り込みマスク レジスタ
        3. 8.6.2.3  電源イベント レジスタ
        4. 8.6.2.4  検出イベント レジスタ
        5. 8.6.2.5  フォルト イベント レジスタ
        6. 8.6.2.6  開始 / ILIM イベント レジスタ
        7. 8.6.2.7  電源およびフォルト イベント レジスタ
          1. 8.6.2.7.1 検出された SRAM フォルトと「セーフ モード」
        8. 8.6.2.8  チャネル 1 検出レジスタ
        9. 8.6.2.9  チャネル 2 検出レジスタ
        10. 8.6.2.10 チャネル 3 検出レジスタ
        11. 8.6.2.11 チャネル 4 検出レジスタ
        12. 8.6.2.12 電源ステータス レジスタ
        13. 8.6.2.13 ピン ステータス レジスタ
          1. 8.6.2.13.1 自律モード
        14. 8.6.2.14 動作モード レジスタ
        15. 8.6.2.15 接続解除イネーブル レジスタ
        16. 8.6.2.16 検出 / クラス イネーブル レジスタ
        17. 8.6.2.17 電力優先度 / 2 ペア PCUT ディセーブル レジスタ名
        18. 8.6.2.18 タイミング構成レジスタ
        19. 8.6.2.19 汎用マスク レジスタ
        20. 8.6.2.20 検出 / クラス再起動レジスタ
        21. 8.6.2.21 パワー イネーブル レジスタ
        22. 8.6.2.22 RESET レジスタ
        23. 8.6.2.23 ID レジスタ
        24. 8.6.2.24 接続チェックおよび自動クラス ステータス レジスタ
        25. 8.6.2.25 2 ペア ポリス Ch-1 構成レジスタ
        26. 8.6.2.26 2 ペア ポリス Ch-2 構成レジスタ
        27. 8.6.2.27 2 ペア ポリス Ch-3 構成レジスタ
        28. 8.6.2.28 2 ペア ポリス Ch-4 構成レジスタ
        29. 8.6.2.29 静電容量 (レガシー PD) 検出
        30. 8.6.2.30 パワーオン フォルト レジスタ
        31. 8.6.2.31 ポート再割り当てレジスタ
        32. 8.6.2.32 チャネル 1 および 2 マルチ ビット優先度レジスタ
        33. 8.6.2.33 チャネル 3 および 4 マルチ ビット優先度レジスタ
        34. 8.6.2.34 4 ペア有線およびポート電力割り当てレジスタ
        35. 8.6.2.35 4 ペア ポリス Ch-1 および 2 構成レジスタ
        36. 8.6.2.36 4 ペア ポリス Ch-3 および 4 構成レジスタ
        37. 8.6.2.37 温度レジスタ
        38. 8.6.2.38 4 ペア フォルト構成レジスタ
        39. 8.6.2.39 入力電圧レジスタ
        40. 8.6.2.40 チャネル 1 電流レジスタ
        41. 8.6.2.41 チャネル 2 電流レジスタ
        42. 8.6.2.42 チャネル 3 電流レジスタ
        43. 8.6.2.43 チャネル 4 電流レジスタ
        44. 8.6.2.44 チャネル 1 電圧レジスタ
        45. 8.6.2.45 チャネル 2 電圧レジスタ
        46. 8.6.2.46 チャネル 3 電圧レジスタ
        47. 8.6.2.47 チャネル 4 電圧レジスタ
        48. 8.6.2.48 2x フォールドバック選択レジスタ
        49. 8.6.2.49 ファームウェア リビジョン レジスタ
        50. 8.6.2.50 I2C ウォッチドッグ レジスタ
        51. 8.6.2.51 デバイス ID レジスタ
        52. 8.6.2.52 チャネル 1 検出抵抗レジスタ
        53. 8.6.2.53 チャネル 2 検出抵抗レジスタ
        54. 8.6.2.54 チャネル 3 検出抵抗レジスタ
        55. 8.6.2.55 チャネル 4 検出抵抗レジスタ
        56. 8.6.2.56 チャネル 1 検出静電容量レジスタ
        57. 8.6.2.57 チャネル 2 検出静電容量レジスタ
        58. 8.6.2.58 チャネル 3 検出静電容量レジスタ
        59. 8.6.2.59 チャネル 4 検出静電容量レジスタ
        60. 8.6.2.60 チャネル 1 割り当てクラス レジスタ
        61. 8.6.2.61 チャネル 2 割り当てクラス レジスタ
        62. 8.6.2.62 チャネル 3 割り当てクラス レジスタ
        63. 8.6.2.63 チャネル 4 割り当てクラス レジスタ
        64. 8.6.2.64 自動クラス制御レジスタ
        65. 8.6.2.65 チャネル 1 自動クラス電源レジスタ
        66. 8.6.2.66 チャネル 2 自動クラス電源レジスタ
        67. 8.6.2.67 チャネル 3 自動クラス電源レジスタ
        68. 8.6.2.68 チャネル 4 自動クラス電源レジスタ
        69. 8.6.2.69 代替フォールドバック レジスタ
        70. 8.6.2.70 SRAM 制御レジスタ
          1. 8.6.2.70.1 SRAM 開始アドレス (LSB) レジスタ
          2. 8.6.2.70.2 SRAM 開始アドレス (MSB) レジスタ
  10. 9 アプリケーションと実装
    1. 9.1 アプリケーション情報
      1. 9.1.1 PoE の概要
        1. 9.1.1.1 2 ペア電源と 4 ペア電源の比較と新しい IEEE802.3bt 規格
    2. 9.2 代表的なアプリケーション
      1. 9.2.1 設計要件
      2. 9.2.2 詳細な設計手順
        1. 9.2.2.1 未使用チャネルの接続
        2. 9.2.2.2 電源ピンのバイパス コンデンサ
        3. 9.2.2.3 ポートごとの部品
        4. 9.2.2.4 システム レベルの部品 (回路図には未記載)
      3. 9.2.3 アプリケーション曲線
    3. 9.3 電源に関する推奨事項
      1. 9.3.1 VDD
      2. 9.3.2 VPWR
    4. 9.4 レイアウト
      1. 9.4.1 レイアウトのガイドライン
        1. 9.4.1.1 ケルビン電流検出抵抗
      2. 9.4.2 レイアウト例
        1. 9.4.2.1 部品の配置と配線のガイドライン
          1. 9.4.2.1.1 電源ピンのバイパス コンデンサ
          2. 9.4.2.1.2 ポートごとの部品
  11. 10デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 10.1 ドキュメントのサポート
      1. 10.1.1 関連資料
    2. 10.2 ドキュメントの更新通知を受け取る方法
    3. 10.3 サポート・リソース
    4. 10.4 商標
    5. 10.5 静電気放電に関する注意事項
    6. 10.6 用語集
  12. 11改訂履歴
  13. 12メカニカル、パッケージ、および注文情報

9.2.2.3 ポートごとの部品

  • CPn: VPWR と Pn- 間の 0.1μF、100V、X7R セラミック。
  • RSn: 各チャネルの電流検出抵抗は 0.2Ω です。0805 SMT パッケージ封止、1%、0.25W の抵抗を推奨します。90W ポリシング (PCUT) スレッショルドを選択すると、抵抗の最大消費電力は約 140mW になります。
  • QPn: ポート MOSFET は、平均性能特性を持つ小型で安価なデバイスです。BV DSS は 100V 最小値にする必要があります。50mΩ と 150mΩ の間の VGS = 10V での MOSFET の RDS(on) の目標値です。MOSFET のゲート電荷 (QG) と入力容量 (CISS) はそれぞれ 50nC および 2000pF 未満である必要があります。640mA 公称ポリシング (ICUT) スレッショルドでの RDS (on) = 100mΩ を使用した Q Pn の最大消費電力は約 45mW です。
    注:

    システム設計でこれらの部品を選択する際には、MOSFET の RDS(on) と BVDSS 特性に加えて、パワー MOSFET の SOA 定格も考慮する必要があります。図 8-2および図 8-3に示すように、突入電流および動作フォールドバック特性曲線を超える SOA 定格を持つ MOSFET を選択することを推奨します。標準電流フォールドバック オプション (ALTIRn または ALTFBn = 0) を使用する場合は、CSD19538Q3A 100V N チャネル MOSFET を推奨します。

  • FPn: ポート ヒューズは、定格 60VDC 以上、約 2 × PCUT (最大) 以上のスローブロー タイプである必要があります。DC 損失を低減するには、低温抵抗を 200mΩ 未満にする必要があります。最大 PCUT 時の低温抵抗 180mΩ の FPN の消費電力は約 150mW です。
  • DPnA: ポート TVS は、予想されるポート サージ環境に対応している必要があります。DPNA は、最小逆スタンドオフ電圧が 58V で、最大クランプ電圧が予測されるピーク サージ電流で 95V 未満である必要があります。