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UCC27212A-Q1

AKTIV

4-A-, 120-V-Halbbrücken-Gate-Treiber mit 5-V-UVLO, für Fahrzeuganwendungen

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UCC27212A-Q1

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Produktdetails

Bootstrap supply voltage (max) (V) 120 Power switch MOSFET Input supply voltage (min) (V) 7 Input supply voltage (max) (V) 17 Peak output current (A) 4.5 Operating temperature range (°C) -40 to 150 Undervoltage lockout (typ) (V) 5 Rating Automotive Propagation delay time (µs) 0.02 Rise time (ns) 7.2 Fall time (ns) 5.5 Iq (mA) 0.001 Input threshold TTL Channel input logic TTL Switch node voltage (V) -20 Features Integrated bootstrap diode, Negative Voltage Handling on Input TI functional safety category Functional Safety-Capable Driver configuration Dual inputs
Bootstrap supply voltage (max) (V) 120 Power switch MOSFET Input supply voltage (min) (V) 7 Input supply voltage (max) (V) 17 Peak output current (A) 4.5 Operating temperature range (°C) -40 to 150 Undervoltage lockout (typ) (V) 5 Rating Automotive Propagation delay time (µs) 0.02 Rise time (ns) 7.2 Fall time (ns) 5.5 Iq (mA) 0.001 Input threshold TTL Channel input logic TTL Switch node voltage (V) -20 Features Integrated bootstrap diode, Negative Voltage Handling on Input TI functional safety category Functional Safety-Capable Driver configuration Dual inputs
HSOIC (DDA) 8 29.4 mm² (4.9 mm × 6 mm) SOIC (D) 8 29.4 mm² (4.9 mm × 6 mm)
  • AEC-Q100 qualified for automotive applications: device temperature grade 1
  • –40°C to +150°C junction temperature range
  • 5V turn-off Under Voltage Lockout (UVLO)
  • Drives two N-channel MOSFETs in high-side and low-side configuration with independent inputs
  • Maximum boot voltage 120V DC
  • 3.7A source, 4.5A sink output currents
  • Input pins can tolerate –10V to +20V and are independent of supply voltage range
  • TTL compatible Inputs
  • 7V to 17V VDD operating range, (20V ABS maximum)
  • 7.2ns rise and 5.5ns fall time with 1000pF load
  • Fast propagation delay times (20ns typical)
  • 4ns typical delay matching
  • Available in the SOIC8 (PowerPAD) package
  • AEC-Q100 qualified for automotive applications: device temperature grade 1
  • –40°C to +150°C junction temperature range
  • 5V turn-off Under Voltage Lockout (UVLO)
  • Drives two N-channel MOSFETs in high-side and low-side configuration with independent inputs
  • Maximum boot voltage 120V DC
  • 3.7A source, 4.5A sink output currents
  • Input pins can tolerate –10V to +20V and are independent of supply voltage range
  • TTL compatible Inputs
  • 7V to 17V VDD operating range, (20V ABS maximum)
  • 7.2ns rise and 5.5ns fall time with 1000pF load
  • Fast propagation delay times (20ns typical)
  • 4ns typical delay matching
  • Available in the SOIC8 (PowerPAD) package

The UCC27212A-Q1 device driver is based on the popular UCC27211 MOSFET drivers. In addition, UCC27212A-Q1 offers extended operating range all the way down to 5V which helps lower power losses.

The peak output pullup and pulldown current is 3.7A source and 4.5A sink. This allows for the ability to drive large power MOSFETs with minimized switching losses during the e Miller Plateau of the MOSFET.

The input structure can directly handle –10V, which increases robustness and also allows direct interface to gate-drive transformers without using rectification diodes. The inputs are also independent of supply voltage and have a 20V maximum rating.

The switching node of the UCC27212A-Q1 (HS pin) can handle –(24V – VDD) maximum, which allows the high-side channel to be protected from inherent negative voltages caused by parasitic inductance and stray capacitance. The UCC27212A-Q1 has increased hysteresis that allows for interface to analog or digital PWM controllers with enhanced noise immunity. The low-side and high-side gate drivers are independently controlled and matched to ns between the turn on and turn off of each other. An on-chip 120V rated bootstrap diode eliminates the external discrete diodes. Undervoltage lockout is provided for both the high-side and the low-side drivers which provides symmetric turn on and turn off behavior and forces the outputs low drive voltage is below the specified threshold.

The UCC27212A-Q1 device driver is based on the popular UCC27211 MOSFET drivers. In addition, UCC27212A-Q1 offers extended operating range all the way down to 5V which helps lower power losses.

The peak output pullup and pulldown current is 3.7A source and 4.5A sink. This allows for the ability to drive large power MOSFETs with minimized switching losses during the e Miller Plateau of the MOSFET.

The input structure can directly handle –10V, which increases robustness and also allows direct interface to gate-drive transformers without using rectification diodes. The inputs are also independent of supply voltage and have a 20V maximum rating.

The switching node of the UCC27212A-Q1 (HS pin) can handle –(24V – VDD) maximum, which allows the high-side channel to be protected from inherent negative voltages caused by parasitic inductance and stray capacitance. The UCC27212A-Q1 has increased hysteresis that allows for interface to analog or digital PWM controllers with enhanced noise immunity. The low-side and high-side gate drivers are independently controlled and matched to ns between the turn on and turn off of each other. An on-chip 120V rated bootstrap diode eliminates the external discrete diodes. Undervoltage lockout is provided for both the high-side and the low-side drivers which provides symmetric turn on and turn off behavior and forces the outputs low drive voltage is below the specified threshold.

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Technische Dokumentation

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Design und Entwicklung

Weitere Bedingungen oder erforderliche Ressourcen enthält gegebenenfalls die Detailseite, die Sie durch Klicken auf einen der unten stehenden Titel erreichen.

Evaluierungsplatine

UCC27212EVM-328 — UCC27212 Evaluierungsmodul mit Leistungsstufe

Das UCC272XXEVM-328 ist für die Evaluierung des UCC27212DPR ausgelegt, einem Halbbrücken-Gate-Treiber mit einer 3,7-A-Quell- und 4,5-A-Senk-Spitzenstrombelastbarkeit. Mit diesem EVM kann der Treiber-IC anhand seines Datenblatts evaluiert werden. Das EVM kann auch als Auswahlleitfaden für (...)

Unterstützte Produkte und Hardware
Vorrätig
Limit:
??asset.out-of-stock-ti_de_DE??
Nicht verfügbar
Evaluierungsplatine

UCC27288EVM — Evaluierungsmodul für Halbbrücken-Gate-Treiber UCC27288, 100 V, 3 A, mit 8-V-UVLO.

Das UCC27288EVM ist für die Evaluierung des UCC27288D ausgelegt, einem 100-V-Halbbrücken-Gate-Treiber mit 2,5-A-Quell- und 3,5-A-Senk-Spitzenstrombelastbarkeit. Dieses EVM dient als Referenzdesign zur Ansteuerung von Leistungs-MOSFETs mit bis zu 20 V Antriebsspannung.
Benutzerhandbuch: PDF
Unterstützte Produkte und Hardware
Vorrätig
Limit:
??asset.out-of-stock-ti_de_DE??
Nicht verfügbar
Simulationsmodell

UCC27212 PSpice Transient Model

SLUM588.ZIP (39 KB) - PSpice-Modell
Unterstützte Produkte und Hardware
Simulationsmodell

UCC27212 Unencrypted PSpice Transient Model

SLUM587.ZIP (1 KB) - PSpice-Modell
Unterstützte Produkte und Hardware
Berechnungstool

SLURB12 — UCC272xx-UCC273xx Schematic Review Template

Unterstützte Produkte und Hardware
Referenzdesign

PMP20657 — Kompaktes, effizientes Referenzdesign für unidirektionale Stromversorgung für den Automobilbereich v

Das PMP20657-Referenzdesign beinhaltet einen kompakten, effizienten und unidirektionalen Spannungswandler mit 48 V bis 12 V bei 400 W. Das Design ist pseudoisoliert, um 12-V-Lasten zu schützen. Die phasenverschobene Vollbrücken-Topologie erreicht einen Spitzenwirkungsgrad von über 95 %. Der Modus (...)
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Referenzdesign

TIDA-01407 — Referenzdesign für 400 W, 48 V Batterie-Eingang, 12 V Ausgangsleistung für die Automobilindustrie

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Gehäuse Pins CAD-Symbole, Footprints und 3D-Modelle
HSOIC (DDA) 8 Ultra Librarian
SOIC (D) 8 Ultra Librarian
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