TMCS1133

AKTIV

Hall-Effekt-Stromsensor, 80 ARMS, 1 MHz, mit AFR und ALARM

Produktdetails

Continuous current (max) (A) 80 Working isolation voltage (VIOWM) (Vrms) 600 Rating Catalog Sensitivity (typ) (mV/mT) 25, 33, 50, 66, 75, 100, 150 Input offset current (±) (max) (mA) 30, 33, 40, 45, 130, 150, 160, 180, 200 Input offset current drift (±) (typ) (µA/°C) 200, 400, 670, 757.6, 1000, 1150, 1300, 1400, 1800, 2000 Features Alert Function, Digital output alerts MCU when current limit is reached, Overcurrent protection Supply voltage (max) (V) 5.5 Supply voltage (min) (V) 3 Iq (max) (mA) 14 Small-signal bandwidth (kHz) 1000 Sensitivity error (%) 0.4 Sensitivity error drift (±) (max) (ppm/°C) 50 Operating temperature range (°C) -40 to 125 Creepage (min) (mm) 8.1 Clearance (min) (mm) 8.1 Isolation rating Reinforced Surge isolation voltage (VIOSM) (VPK) 10000
Continuous current (max) (A) 80 Working isolation voltage (VIOWM) (Vrms) 600 Rating Catalog Sensitivity (typ) (mV/mT) 25, 33, 50, 66, 75, 100, 150 Input offset current (±) (max) (mA) 30, 33, 40, 45, 130, 150, 160, 180, 200 Input offset current drift (±) (typ) (µA/°C) 200, 400, 670, 757.6, 1000, 1150, 1300, 1400, 1800, 2000 Features Alert Function, Digital output alerts MCU when current limit is reached, Overcurrent protection Supply voltage (max) (V) 5.5 Supply voltage (min) (V) 3 Iq (max) (mA) 14 Small-signal bandwidth (kHz) 1000 Sensitivity error (%) 0.4 Sensitivity error drift (±) (max) (ppm/°C) 50 Operating temperature range (°C) -40 to 125 Creepage (min) (mm) 8.1 Clearance (min) (mm) 8.1 Isolation rating Reinforced Surge isolation voltage (VIOSM) (VPK) 10000
SOIC (DVG) 10 106.09 mm² 10.3 x 10.3
  • High continuous current capability: 80ARMS
  • Robust reinforced isolation
  • High accuracy
    • Sensitivity error: ±0.1%
    • Sensitivity thermal drift: ±20ppm/°C
    • Sensitivity lifetime drift: ±0.2%
    • Offset error: ±0.2mV
    • Offset thermal drift: ±10µV/°C
    • Offset lifetime drift: ±0.2mV
    • Non-linearity: ±0.1%
  • High immunity to external magnetic fields
  • Fast Response
    • Signal bandwidth: 1MHz
    • Response time: 120ns
    • Propagation delay: 50ns
    • Overcurrent detection response: 100ns
  • Operating supply range: 3V to 5.5V
  • Bidirectional and unidirectional current sensing
  • Multiple sensitivity options:
    • Ranging from 20mV/A to 150mV/A
  • Safety related certifications
    • UL 1577 Component Recognition Program
    • IEC/CB 62368-1
  • High continuous current capability: 80ARMS
  • Robust reinforced isolation
  • High accuracy
    • Sensitivity error: ±0.1%
    • Sensitivity thermal drift: ±20ppm/°C
    • Sensitivity lifetime drift: ±0.2%
    • Offset error: ±0.2mV
    • Offset thermal drift: ±10µV/°C
    • Offset lifetime drift: ±0.2mV
    • Non-linearity: ±0.1%
  • High immunity to external magnetic fields
  • Fast Response
    • Signal bandwidth: 1MHz
    • Response time: 120ns
    • Propagation delay: 50ns
    • Overcurrent detection response: 100ns
  • Operating supply range: 3V to 5.5V
  • Bidirectional and unidirectional current sensing
  • Multiple sensitivity options:
    • Ranging from 20mV/A to 150mV/A
  • Safety related certifications
    • UL 1577 Component Recognition Program
    • IEC/CB 62368-1

The TMCS1133 is a galvanically isolated Hall-effect current sensor with industry leading isolation and accuracy. An output voltage proportional to the input current is provided with excellent linearity and low drift at all sensitivity options. Precision signal conditioning circuitry with built-in drift compensation is capable of less than 1.4% maximum sensitivity error over temperature and lifetime with no system level calibration, or less than 0.9% maximum sensitivity error including both lifetime and temperature drift with a one-time calibration at room temperature.

AC or DC input current flows through an internal conductor generating a magnetic field measured by integrated, on-chip, Hall-effect sensors. Core-less construction eliminates the need for magnetic concentrators. Differential Hall sensors reject interference from stray external magnetic fields. Low conductor resistance increases measurable current ranges up to ±96A while minimizing power loss and easing thermal dissipation requirements. Insulation capable of withstanding 5kVRMS, coupled with a minimum of 8mm creepage and clearance, provides high levels of reliable lifetime reinforced working voltage. Integrated shielding enables excellent common-mode rejection and transient immunity.

Fixed sensitivity allows the device to operate from a single 3V to 5.5V power supply, eliminating ratiometry errors and improving supply noise rejection.

The TMCS1133 is a galvanically isolated Hall-effect current sensor with industry leading isolation and accuracy. An output voltage proportional to the input current is provided with excellent linearity and low drift at all sensitivity options. Precision signal conditioning circuitry with built-in drift compensation is capable of less than 1.4% maximum sensitivity error over temperature and lifetime with no system level calibration, or less than 0.9% maximum sensitivity error including both lifetime and temperature drift with a one-time calibration at room temperature.

AC or DC input current flows through an internal conductor generating a magnetic field measured by integrated, on-chip, Hall-effect sensors. Core-less construction eliminates the need for magnetic concentrators. Differential Hall sensors reject interference from stray external magnetic fields. Low conductor resistance increases measurable current ranges up to ±96A while minimizing power loss and easing thermal dissipation requirements. Insulation capable of withstanding 5kVRMS, coupled with a minimum of 8mm creepage and clearance, provides high levels of reliable lifetime reinforced working voltage. Integrated shielding enables excellent common-mode rejection and transient immunity.

Fixed sensitivity allows the device to operate from a single 3V to 5.5V power supply, eliminating ratiometry errors and improving supply noise rejection.

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Design und Entwicklung

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Evaluierungsplatine

TMCS-A-ADAPTER-EVM — TMCS-Adapterkarte für isolierte Hall-Effekt-Stromsensoren, Gehäusetypen DVG, DVF oder DZP (IC nicht

Das ADAPTER-EVM TMCS-A ist ein Evaluierungsmodul (EVM), für den schnellen und bequemen Einsatz von isolierten Hall-Effekt-Präzisions-Strommessmonitoren mit TMCS in den Gehäusevarianten DVG, DVF und DZP. Mit diesem EVM bis zu 90 A durch die Hall-Eingangsseite geleitet und gleichzeitig der isolierte (...)

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Evaluierungsplatine

TMCS1133EVM — TMCS1133 – Evaluierungsmodul

Das TMCS1133EVM Evaluierungsmodul (EVM) ist ein Tool, das den schnellen und bequemen Einsatz des TMCS1133, eines isolierten Halleffekt-Präzisionsstrommessgeräts mit interner Referenz, erleichtern soll. Dieses EVM ermöglicht es dem Benutzer, den maximalen Betriebsstrom durch die Hall-Eingangsseite (...)

Benutzerhandbuch: PDF | HTML
Simulationsmodell

TMCS1133 and TMCS1133-Q1 PSpice Transient Model (TMCS1133x1A)

SBOMCQ9.ZIP (8 KB) - PSpice Model
Simulationsmodell

TMCS1133 and TMCS1133-Q1 TINA-TI Reference Design

SBOMCR7.ZIP (127 KB) - TINA-TI Reference Design
Berechnungstool

CS-MAGNETIC-ERROR-TOOL-CALC Hall-Effect Current Sensor Comparison and Error Tool

Hall-Effect Current Sensor Comparison and Error Tool
Unterstützte Produkte und Hardware

Unterstützte Produkte und Hardware

Produkte
Hall-Effekt-Stromsensoren
TMCS1100 Hall-Effekt-Stromsensor, Basisisolierung ±600 V, 20 Arms, 80 kHz, mit externer Referenz TMCS1101-Q1 AEC-Q100, isolierter Präzisions-Stromsensor, ±600 V, mit interner Referenz TMCS1100-Q1 AEC-Q100, isolierter Präzisions-Stromsensor, ±600 V, mit externer Referenz TMCS1101 Hall-Effekt-Stromsensor, Basisisolierung ±600 V, 20 Arms, 80 kHz, mit Referenz TMCS1107 Hall-Effekt-Stromsensor, Basisisolierung ±420 V, 20 Arms, 80 kHz, mit Referenz TMCS1107-Q1 AEC-Q100, isolierter Hall-Effekt-Stromsensor, ±420 V, mit interner Referenz TMCS1108 Hall-Effekt-Stromsensor, Basisisolierung ±100 V, 20 Arms, 80 kHz, mit Referenz TMCS1108-Q1 AEC-Q100, isolierter Hall-Effekt-Stromsensor, ±100 V, mit interner Referenz TMCS1123 Hall-Effekt-Stromsensor, verstärkte Isolierung bis ±1300 V, 80 ARMS, 250 kHz, mit AFR, Referenz und TMCS1123-Q1 AEC-Q100 Hall-Effekt-Stromsensor, 80 ARMS, mit AFR und ALARM TMCS1126 Hall-Effekt-Stromsensor, 80 ARMS, 500 kHz, mit AFR, Referenz und ALARM TMCS1126-Q1 AEC-Q100-qualifizierter Hall-Effekt-Stromsensor, 80 ARMS, 500 kHz, mit AFR, Referenz und ALARM TMCS1127 Hall-Effekt-Stromsensor, 80 ARMS, 250 kHz, mit AFR und ALARM TMCS1127-Q1 AEC-Q100Hall-Effekt-Stromsensor, 80 ARMS, 250 kHz, mit AFR TMCS1133 Hall-Effekt-Stromsensor, 80 ARMS, 1 MHz, mit AFR und ALARM TMCS1133-Q1 Hall-Effekt-Stromsensor, 1 MHz, mit AFR und ALARM, für die Automobilindustrie TMCS1143 125ARMS 250kHz Hall-effect current sensor with AFR, reference, OCP and ALERT TMCS1148 Hall-Effekt-Stromsensor, 125 ARMS, 500 kHz, mit OCP, Referenz und AFR
Referenzdesigns

TIDA-010954 — Referenzdesign eines GaN-basierten, einphasigen 600-W-Zyklokonverters

Dieses Referenzdesign implementiert einen bidirektionalen, einstufigen DC-AC-Inverter mit 600 W auf der Basis der Zyklokonverter (AC-DAB)-Topologie und GaN-Leistungsstufen von TI. Das Design unterstützt bis zu 60 V und ± 16 A auf der Gleichstromseite sowie 230 VAC und 2,6 A auf einphasigen Seite. (...)
Design guide: PDF
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PMP41134 — Referenzdesign für bidirektionalen SR-DAB-Wandlermit 3,6 kW für Energiespeichersysteme

Das Referenzdesign eines DC/DC-Wandlers mit Reihenresonanz und Dual-Active-Bridge (SR-DAB) bietet Vorteile wie Soft-Switching, geringeren Umlaufstrom und hohen Wirkungsgrad. Das Design ist besonders dann von Vorteil, wenn Leistungsdichte, Kosten, galvanische Isolierung, ein großer (...)
Test report: PDF
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PMP23537 — Referenzdesign für brückenlosen CCM-TCM-Totem-Pole-PFC mit 3,6 kW und Multimodussteuerung

Dieses Referenzdesign ist ein brückenloser, einphasiger Totem-Pole-PFC-Wandler (Power Factor Correction) mit 3,6 kW für M-CRPS-Server (Modular Hardware System Common Redundant Power Supply). Der PFC arbeitet im Continuous Conduction Mode (CCM) bei Spitzenwechselspannung, wenn der Induktorstrom (...)
Test report: PDF
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PMP41114 — Referenzdesign für einphasigen AC/DC-Gleichrichter 3,6 kW, 54 V mit ausschließlich GaN-Schaltern

Dieses Referenzdesign ist ein digital gesteuerter einphasiger AC/DC-Gleichrichter mit 3,6 kW und 54 V sowie ausschließlich GaN-Schaltern. Dieses Design ist ein Beispiel für eine gemeinsame redundante Stromversorgung für modulare Hardwaresysteme (M-CRPS) mit Standardformfaktor. Die Eingangsstufe (...)
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Referenzdesigns

PMP23547 — Referenzdesign für GaN-basierte Dreiphasen-Totem-Pole-Leistungsfaktorkorrektur (8 kW) und Dreiphasen

Dieses Referenzdesign ist eine Stromversorgung mit hoher Dichte, hohem Wirkungsgrad und einer Leistung von 8 kW. Die erste Stufe ist ein PFC-Wandler (Power Factor Correction, Leistungsfaktorkorrektur) im Dreiecksmodus (TCM) mit nachgeschaltetem Delta-Delta-verbundenem dreiphasigem (...)
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PMP23338 — 3,6 kW brückenloses Einphasen-Totem-Pole-PFC-Referenzdesign mit E-Meter-Funktionalität

Bei diesem Referenzdesign handelt es sich um einen auf Galliumnitrid (GaN) basierenden 3,6kW-A-PFC-Wandler (Totem-Pole Brückenlose Leistungsfaktorkorrektur) mit einphasigem Continuous Conduction Mode (CCM) für die Stromversorgung des M-CRPS. Dieses Design enthält Stromzählerfunktionen mit einer (...)
Test report: PDF
Gehäuse Pins CAD-Symbole, Footprints und 3D-Modelle
SOIC (DVG) 10 Ultra Librarian

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