CSD87312Q3E
- Common Source Connection
- Ultra Low Drain to Drain On-Resistance
- Space Saving SON 3.3 x 3.3mm Plastic Package
- Optimized for 5V Gate Drive
- Low Thermal Resistance
- Avalanche Rated
- Pb Free Terminal Plating
- RoHS Compliant
- Halogen Free
The CSD87312Q3E is a 30V common-source, dual N-channel device designed for adaptor/USB input protection. This SON 3.3 x 3.3mm device has low drain to drain on-resistance that minimizes losses and offers low component count for space constrained multi-cell battery charging applications.
技術文件
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檢視所有 9 類型 | 標題 | 日期 | ||
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* | Data sheet | Dual 30-V N-Channel NexFet Power MOSFET, CSD87312Q3E datasheet | 2011年 11月 19日 | |
Application note | Avoid Common Mistakes When Selecting And Designing With Power MOSFETs | PDF | HTML | 2024年 11月 6日 | |
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Application brief | Tips for Successfully Paralleling Power MOSFETs | PDF | HTML | 2022年 5月 31日 | |
Application note | Ringing Reduction Techniques for NexFET High Performance MOSFETs | 2011年 11月 16日 |
設計與開發
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支援軟體
MOSFET power loss calculator for non-synchronous boost converter
計算工具
SYNC-BUCK-FET-LOSS-CALC — Power Loss Calculation Tool for Synchronous Buck Converter
Quickly trade off size, cost and performance to select the optimal MOSFET based on application conditions.
支援產品和硬體
產品
MOSFET
封裝 | 針腳 | CAD 符號、佔位空間與 3D 模型 |
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VSON (DPA) | 8 | Ultra Librarian |
訂購與品質
內含資訊:
- RoHS
- REACH
- 產品標記
- 鉛塗層/球物料
- MSL 等級/回焊峰值
- MTBF/FIT 估算值
- 材料內容
- 認證摘要
- 進行中持續性的可靠性監測
內含資訊:
- 晶圓廠位置
- 組裝地點
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