CSD16570Q5B
- Extremely Low Resistance
- Low Qg and Qgd
- Low Thermal Resistance
- Avalanche Rated
- Pb Free Terminal Plating
- RoHS Compliant
- Halogen Free
- SON 5-mm × 6-mm Plastic Package
This 25 V, 0.49 mΩ, SON 5 × 6 mm NexFET™ power MOSFET is designed to minimize resistance for ORing and hot swap applications and is not designed for switching applications.
技術文件
找不到結果。請清除您的搜尋條件,然後再試一次。
檢視所有 8 類型 | 標題 | 日期 | ||
---|---|---|---|---|
* | Data sheet | CSD16570Q5B 25-V N-Channel NexFET Power MOSFET datasheet (Rev. A) | PDF | HTML | 2017年 5月 19日 |
Application note | MOSFET Support and Training Tools (Rev. F) | PDF | HTML | 2024年 6月 14日 | |
Application note | Semiconductor and IC Package Thermal Metrics (Rev. D) | PDF | HTML | 2024年 3月 25日 | |
Application note | Using MOSFET Transient Thermal Impedance Curves In Your Design | PDF | HTML | 2023年 12月 18日 | |
Application note | QFN and SON PCB Attachment (Rev. C) | PDF | HTML | 2023年 12月 6日 | |
Application note | Using MOSFET Safe Operating Area Curves in Your Design | PDF | HTML | 2023年 3月 13日 | |
Application brief | Tips for Successfully Paralleling Power MOSFETs | PDF | HTML | 2022年 5月 31日 | |
Application note | Ringing Reduction Techniques for NexFET High Performance MOSFETs | 2011年 11月 16日 |
設計與開發
如需其他條款或必要資源,請按一下下方的任何標題以檢視詳細頁面 (如有)。
支援軟體
Quickly trade off size, cost and performance to select the optimal MOSFET based on application conditions.
支援軟體
NONSYNC-BOOST-FET-LOSS-CALC — NONSYNC BOOST FET LOSS Calculator
MOSFET power loss calculator for non-synchronous boost converter
支援產品和硬體
產品
MOSFET
計算工具
FET-SOA-CALC-SELECT — MOSFET SOA calculation and selection tool
Excel based FET SOA calculation and selection tool
支援產品和硬體
產品
MOSFET
計算工具
SYNC-BUCK-FET-LOSS-CALC — Power Loss Calculation Tool for Synchronous Buck Converter
Quickly trade off size, cost and performance to select the optimal MOSFET based on application conditions.
支援產品和硬體
產品
MOSFET
參考設計
PMP23126 — 3-kW 全橋相移式轉換器搭配主動箝位參考設計,可提供 > 270-W/in3 的功率密度
此參考設計是專為最高功率密度設計的 GaN 式 3-kW 全橋相移式轉換器 (PSFB)。此設計具主動箝位可減少二次側同步整流器 MOSFET 的電壓應力,以使用具更出色品質因數 (FoM) 的低電壓額定值 MOSFET。PMP23126 使用我們的一次側 30mΩ GaN 和二次側矽 MOSFET。與矽 MOSFET 相比,具整合式驅動器與保護的 LMG3522 頂端冷卻 GaN 可在更大的操作範圍中維持 ZVS,以實現更高效率。PSFB 可在 100 kHz 運作,並可達 97.74% 峰值效率。
Test report: PDF
參考設計
TIDA-010087 — 100-A 雙相數位控制電池測試器參考設計
此參考設計說明使用 C2000™ 微控制器 (MCU) 和精密 ADC ADS131M08,以精密控制雙向交錯式降壓轉換器功率級電流與電壓的方式。此設計利用 C2000 MCU 的高解析度脈衝寬度調變 (PWM) 產生周邊設備,實現低於 ±20-mA 的電流穩壓錯誤及 ±1-mV 的電壓穩壓錯誤。
Design guide: PDF
參考設計
PMP40182 — 雙向電池初始化系統電源板參考設計
This reference design is a battery initialization reference design solution for automotive and battery applications. The module enables a high efficiency single stage conversion for charging and discharging the battery. This design features a 0.1% accurate current control loop using the high (...)
封裝 | 針腳 | CAD 符號、佔位空間與 3D 模型 |
---|---|---|
VSON-CLIP (DNK) | 8 | Ultra Librarian |
訂購與品質
內含資訊:
- RoHS
- REACH
- 產品標記
- 鉛塗層/球物料
- MSL 等級/回焊峰值
- MTBF/FIT 估算值
- 材料內容
- 認證摘要
- 進行中持續性的可靠性監測
內含資訊:
- 晶圓廠位置
- 組裝地點
建議產品可能具有與此 TI 產品相關的參數、評估模組或參考設計。