首頁 電源管理 MOSFET

CSD13306W

現行

12-V、N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET、單 WLP 1 mm x 1.5 mm、10.2 mOhm

產品詳細資料

VDS (V) 12 VGS (V) 10 Type N-channel Configuration Single Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 10.2 Rds(on) at VGS=2.5 V (max) (mΩ) 15.5 VGSTH typ (typ) (V) 1 QG (typ) (nC) 8.6 QGD (typ) (nC) 3 QGS (typ) (nC) 1.1 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 3.5 ID - package limited (A) 3.5 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
VDS (V) 12 VGS (V) 10 Type N-channel Configuration Single Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 10.2 Rds(on) at VGS=2.5 V (max) (mΩ) 15.5 VGSTH typ (typ) (V) 1 QG (typ) (nC) 8.6 QGD (typ) (nC) 3 QGS (typ) (nC) 1.1 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 3.5 ID - package limited (A) 3.5 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
DSBGA (YZC) 6 2.1875 mm² 1.75 x 1.25
  • Ultra Low on Resistance
  • Low Qg and Qgd
  • Small Footprint 1 × 1.5 mm
  • Low Profile 0.62 mm Height
  • Pb Free
  • RoHS Compliant
  • Halogen Free
  • Ultra Low on Resistance
  • Low Qg and Qgd
  • Small Footprint 1 × 1.5 mm
  • Low Profile 0.62 mm Height
  • Pb Free
  • RoHS Compliant
  • Halogen Free

This 8.8 mΩ, 12 V, N-Channel device is designed to deliver the lowest on resistance and gate charge in a small 1 × 1.5 mm outline with excellent thermal characteristics and an ultra low profile.

This 8.8 mΩ, 12 V, N-Channel device is designed to deliver the lowest on resistance and gate charge in a small 1 × 1.5 mm outline with excellent thermal characteristics and an ultra low profile.

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技術文件

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重要文件 類型 標題 格式選項 日期
* Data sheet CSD13306W 12 V N Channel NexFET Power MOSFET datasheet PDF | HTML 2015年 3月 16日
Application brief Estimating Leakage Currents of Power MOSFETs PDF | HTML 2025年 10月 31日
Application note MOSFET Support and Training Tools (Rev. G) PDF | HTML 2025年 10月 27日
Application note Semiconductor and IC Package Thermal Metrics (Rev. D) PDF | HTML 2024年 3月 25日
Application note Using MOSFET Transient Thermal Impedance Curves In Your Design PDF | HTML 2023年 12月 18日
Application note Solving Assembly Issues with Chip Scale Power MOSFETs PDF | HTML 2023年 12月 14日
Application note Using MOSFET Safe Operating Area Curves in Your Design PDF | HTML 2023年 3月 13日
Application brief Tips for Successfully Paralleling Power MOSFETs PDF | HTML 2022年 5月 31日
More literature WCSP Handling Guide 2019年 11月 7日
Application note AN-1112 DSBGA Wafer Level Chip Scale Package (Rev. AI) 2019年 6月 14日

設計與開發

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支援軟體

LOAD-SWITCH-FET-LOSS-CALC Power Loss Calculation Tool for Load Switch

Quickly trade off size, cost and performance to select the optimal MOSFET based on application conditions.
支援產品和硬體

支援產品和硬體

支援軟體

NONSYNC-BOOST-FET-LOSS-CALC NONSYNC BOOST FET LOSS Calculator

MOSFET power loss calculator for non-synchronous boost converter
支援產品和硬體

支援產品和硬體

模擬型號

CSD13306W Unencrypted PSpice Model (Rev. A)

SLPM150A.ZIP (3 KB) - PSpice Model
計算工具

FET-SOA-CALC-SELECT MOSFET SOA calculation and selection tool

Excel based FET SOA calculation and selection tool
支援產品和硬體

支援產品和硬體

計算工具

SYNC-BUCK-FET-LOSS-CALC Power Loss Calculation Tool for Synchronous Buck Converter

Quickly trade off size, cost and performance to select the optimal MOSFET based on application conditions.
支援產品和硬體

支援產品和硬體

參考設計

TIDA-010043 — 適合 SpO2 和其它醫療應用的高效、高電流、線性 LED 驅動器參考設計

此參考設計提供受保護、有效率(空餘空間控制)、高電流(最高 1.5A)、線性(精確且快速)的發光二極體 (LED) 驅動器,可實現周邊微血管氧飽和度 (SpO2) 及其他醫療應用。典型的 SpO2 應用會透過 LED 驅動電流。這些驅動器大多整合類比前端裝置,並以 100mA 的典型值運作。為了涵蓋廣泛的人類和獸醫生理學,必須採用更高的電流驅動。此設計可進行自我校準,並使用查表進行空餘空間控制,以最佳方式驅動 LED ,進而將控制元件的功耗降到最低。此設計可在 1.8V 至 4.2V 的輸入電壓範圍內運行,可讓 LED 電流高達 1.5 A
Design guide: PDF
電路圖: PDF
封裝 針腳 CAD 符號、佔位空間與 3D 模型
DSBGA (YZC) 6 Ultra Librarian

訂購與品質

內含資訊:
  • RoHS
  • REACH
  • 產品標記
  • 鉛塗層/球物料
  • MSL 等級/回焊峰值
  • MTBF/FIT 估算值
  • 材料內容
  • 認證摘要
  • 進行中的可靠性監測
內含資訊:
  • 晶圓廠位置
  • 組裝地點

建議產品可能具有與此 TI 產品相關的參數、評估模組或參考設計。

支援與培訓

內含 TI 工程師技術支援的 TI E2E™ 論壇

內容係由 TI 和社群貢獻者依「現狀」提供,且不構成 TI 規範。檢視使用條款

若有關於品質、封裝或訂購 TI 產品的問題,請參閱 TI 支援。​​​​​​​​​​​​​​

影片