首頁 電源管理 MOSFET
首頁
電源管理
MOSFET

CSD13306W

現行

12-V、N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET、單 WLP 1 mm x 1.5 mm、10.2 mOhm

立即訂購
產品規格表

CSD13306W

現行
產品規格表 立即訂購

產品詳細資料

VDS (V) 12 VGS (V) 10 Type N-channel Configuration Single Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 10.2 Rds(on) at VGS=2.5 V (max) (mΩ) 15.5 VGSTH typ (typ) (V) 1 QG (typ) (nC) 8.6 QGD (typ) (nC) 3 QGS (typ) (nC) 1.1 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 3.5 ID - package limited (A) 3.5 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
VDS (V) 12 VGS (V) 10 Type N-channel Configuration Single Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 10.2 Rds(on) at VGS=2.5 V (max) (mΩ) 15.5 VGSTH typ (typ) (V) 1 QG (typ) (nC) 8.6 QGD (typ) (nC) 3 QGS (typ) (nC) 1.1 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 3.5 ID - package limited (A) 3.5 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
DSBGA (YZC) 6 2.1875 mm² (— mm × — mm)
  • Ultra Low on Resistance
  • Low Qg and Qgd
  • Small Footprint 1 × 1.5 mm
  • Low Profile 0.62 mm Height
  • Pb Free
  • RoHS Compliant
  • Halogen Free
  • Ultra Low on Resistance
  • Low Qg and Qgd
  • Small Footprint 1 × 1.5 mm
  • Low Profile 0.62 mm Height
  • Pb Free
  • RoHS Compliant
  • Halogen Free

This 8.8 mΩ, 12 V, N-Channel device is designed to deliver the lowest on resistance and gate charge in a small 1 × 1.5 mm outline with excellent thermal characteristics and an ultra low profile.

This 8.8 mΩ, 12 V, N-Channel device is designed to deliver the lowest on resistance and gate charge in a small 1 × 1.5 mm outline with excellent thermal characteristics and an ultra low profile.
filter 尋找其它 MOSFET
下載 觀看有字幕稿的影片 影片

技術文件

找不到結果。請清除您的搜尋條件，然後再試一次。
檢視所有 9
重要文件 類型 標題 格式選項 下載最新的英文版本 日期
* 資料表 CSD13306W 12 V N Channel NexFET Power MOSFET datasheet PDF | HTML 2015/3/16
Application brief Estimating Leakage Currents of Power MOSFETs PDF | HTML 2025/10/31
應用說明 MOSFET Support and Training Tools (Rev. G) PDF | HTML 2025/10/27
應用說明 Semiconductor and IC Package Thermal Metrics (Rev. D) PDF | HTML 2024/3/25
應用說明 Using MOSFET Transient Thermal Impedance Curves In Your Design PDF | HTML 2023/12/18
應用說明 Solving Assembly Issues with Chip Scale Power MOSFETs PDF | HTML 2023/12/14
應用說明 Using MOSFET Safe Operating Area Curves in Your Design PDF | HTML 2023/3/13
Application brief Tips for Successfully Paralleling Power MOSFETs PDF | HTML 2022/5/31
應用說明 AN-1112 DSBGA Wafer Level Chip Scale Package (Rev. AI) 2019/6/14

設計與開發

如需其他條款或必要資源，請按一下下方的任何標題以檢視詳細頁面 (如有)。

支援軟體

LOAD-SWITCH-FET-LOSS-CALC — Power Loss Calculation Tool for Load Switch

快速取捨尺寸、成本和性能，以根據應用條件選擇最佳 MOSFET。
支援產品和硬體
支援軟體

NONSYNC-BOOST-FET-LOSS-CALC — NONSYNC BOOST FET LOSS Calculator

MOSFET power loss calculator for non-synchronous boost converter
支援產品和硬體
模擬型號

CSD13306W Unencrypted PSpice Model (Rev. A)

SLPM150A.ZIP (3 KB) - PSpice 模型
支援產品和硬體
計算工具

FET-SOA-CALC-SELECT — MOSFET SOA calculation and selection tool

Excel based FET SOA calculation and selection tool
支援產品和硬體
計算工具

SYNC-BUCK-FET-LOSS-CALC — Power Loss Calculation Tool for Synchronous Buck Converter

快速取捨尺寸、成本和性能，以根據應用條件選擇最佳 MOSFET。
支援產品和硬體
參考設計

TIDA-010043 — 適合 SpO2 和其它醫療應用的高效、高電流、線性 LED 驅動器參考設計

此參考設計提供受保護、有效率（空餘空間控制）、高電流（最高 1.5A）、線性（精確且快速）的發光二極體 (LED) 驅動器，可實現周邊微血管氧飽和度 (SpO2) 及其他醫療應用。典型的 SpO2 應用會透過 LED 驅動電流。這些驅動器大多整合類比前端裝置，並以 100mA 的典型值運作。為了涵蓋廣泛的人類和獸醫生理學，必須採用更高的電流驅動。此設計可進行自我校準，並使用查表進行空餘空間控制，以最佳方式驅動 LED ，進而將控制元件的功耗降到最低。此設計可在 1.8V 至 4.2V 的輸入電壓範圍內運行，可讓 LED 電流高達 1.5 A
支援產品和硬體
封裝 針腳 CAD 符號、佔位空間與 3D 模型
DSBGA (YZC) 6 Ultra Librarian
適用 TI 的評估品項標準條款與條件。

訂購與品質

建議產品可能具有與此 TI 產品相關的參數、評估模組或參考設計。

支援與培訓

內含 TI 工程師技術支援的 TI E2E™ 論壇

以英文檢視所有論壇主題

內容係由 TI 和社群貢獻者依「現狀」提供，且不構成 TI 規範。檢視使用條款。

若有關於品質、封裝或訂購 TI 產品的問題，請參閱 TI 支援。​​​​​​​​​​​​​​

影片