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CSD87312Q3E

활성

30V, N 채널 NexFET ™ 전원 MOSFET, 듀얼 공통 소스 SON 3mm x 3mm, 38mOhm

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CSD87312Q3E

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제품 상세 정보

VDS (V) 30 VGS (V) 10 Type N-channel Configuration Dual Common Source Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 38 VGSTH typ (typ) (V) 1 QG (typ) (nC) 6.3 QGD (typ) (nC) 0.7 QGS (typ) (nC) 1.9 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 27 ID - package limited (A) 27 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
VDS (V) 30 VGS (V) 10 Type N-channel Configuration Dual Common Source Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 38 VGSTH typ (typ) (V) 1 QG (typ) (nC) 6.3 QGD (typ) (nC) 0.7 QGS (typ) (nC) 1.9 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 27 ID - package limited (A) 27 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
VSON (DPA) 8 10.89 mm² (3.3 mm × 3.3 mm)
  • Common Source Connection
  • Ultra Low Drain to Drain On-Resistance
  • Space Saving SON 3.3 x 3.3mm Plastic Package
  • Optimized for 5V Gate Drive
  • Low Thermal Resistance
  • Avalanche Rated
  • Pb Free Terminal Plating
  • RoHS Compliant
  • Halogen Free
  • Common Source Connection
  • Ultra Low Drain to Drain On-Resistance
  • Space Saving SON 3.3 x 3.3mm Plastic Package
  • Optimized for 5V Gate Drive
  • Low Thermal Resistance
  • Avalanche Rated
  • Pb Free Terminal Plating
  • RoHS Compliant
  • Halogen Free

The CSD87312Q3E is a 30V common-source, dual N-channel device designed for adaptor/USB input protection. This SON 3.3 x 3.3mm device has low drain to drain on-resistance that minimizes losses and offers low component count for space constrained multi-cell battery charging applications.

The CSD87312Q3E is a 30V common-source, dual N-channel device designed for adaptor/USB input protection. This SON 3.3 x 3.3mm device has low drain to drain on-resistance that minimizes losses and offers low component count for space constrained multi-cell battery charging applications.
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* 데이터 시트 Dual 30-V N-Channel NexFet Power MOSFET, CSD87312Q3E datasheet 2011. 11. 19
애플리케이션 노트 MOSFET Support and Training Tools (Rev. G) PDF | HTML 2025. 10. 27
애플리케이션 노트 Avoid Common Mistakes When Selecting And Designing With Power MOSFETs PDF | HTML 2024. 11. 6
애플리케이션 노트 Semiconductor and IC Package Thermal Metrics (Rev. D) PDF | HTML 2024. 3. 25
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애플리케이션 노트 QFN and SON PCB Attachment (Rev. C) PDF | HTML 2023. 12. 6
애플리케이션 노트 Using MOSFET Safe Operating Area Curves in Your Design PDF | HTML 2023. 3. 13
Application brief Tips for Successfully Paralleling Power MOSFETs PDF | HTML 2022. 5. 31
애플리케이션 노트 Ringing Reduction Techniques for NexFET High Performance MOSFETs 2011. 11. 16

설계 및 개발

추가 조건 또는 필수 리소스는 사용 가능한 경우 아래 제목을 클릭하여 세부 정보 페이지를 확인하세요.

지원 소프트웨어

NONSYNC-BOOST-FET-LOSS-CALC — NONSYNC BOOST FET LOSS Calculator

MOSFET power loss calculator for non-synchronous boost converter
지원되는 제품 및 하드웨어
시뮬레이션 모델

CSD87312Q3E Unencrypted PSpice Model (Rev. B)

SLPM061B.ZIP (4 KB) - PSpice 모델
지원되는 제품 및 하드웨어
계산 툴

SYNC-BUCK-FET-LOSS-CALC — Power Loss Calculation Tool for Synchronous Buck Converter

크기, 비용 및 성능을 신속하게 절충하여 애플리케이션 조건에 따라 최적의 MOSFET을 선택합니다.
지원되는 제품 및 하드웨어
패키지 핀 CAD 기호, 풋프린트 및 3D 모델
VSON (DPA) 8 Ultra Librarian
TI의 평가 항목에 대한 표준 약관이 적용됩니다.

주문 및 품질

권장 제품에는 본 TI 제품과 관련된 매개 변수, 평가 모듈 또는 레퍼런스 디자인이 있을 수 있습니다.

지원 및 교육

TI 엔지니어의 기술 지원을 받을 수 있는 TI E2E™ 포럼

포럼 주제 모두 보기(영문)

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