전력 관리 MOSFET

CSD17381F4

활성

30V, N 채널 NexFET™ 전원 MOSFET, 싱글 LGA 1mm x 0.6 mm, 117mOhm, 게이트 ESD 보호

제품 상세 정보

VDS (V) 30 VGS (V) 12 Type N-channel Configuration Single Rds(on) at VGS=10 V (max) (mΩ) 109 Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 117 Rds(on) at VGS=2.5 V (max) (mΩ) 143 VGSTH typ (typ) (V) 0.85 QG (typ) (nC) 1.04 QGD (typ) (nC) 0.133 QGS (typ) (nC) 0.226 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 3.1 ID - package limited (A) 3.1 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
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PICOSTAR (YJC) 3 0.657225 mm² (1.035 mm × 0.635 mm)
  • Ultra-low on-resistance
  • Ultra-low Qg and Qgd
  • Low threshold voltage
  • Ultra-small footprint (0402 case size)
    • 1.0 mm × 0.6 mm
  • Ultra-low profile
    • 0.36 mm height
  • Integrated ESD protection diode
    • Rated >4 kV HBM
    • Rated >2 kV CDM
  • Lead and halogen free
  • RoHS compliant
  • Ultra-low on-resistance
  • Ultra-low Qg and Qgd
  • Low threshold voltage
  • Ultra-small footprint (0402 case size)
    • 1.0 mm × 0.6 mm
  • Ultra-low profile
    • 0.36 mm height
  • Integrated ESD protection diode
    • Rated >4 kV HBM
    • Rated >2 kV CDM
  • Lead and halogen free
  • RoHS compliant

This 90 mΩ, 30 V N-Channel FemtoFET™ MOSFET technology is designed and optimized to minimize the footprint in many handheld and mobile applications. This technology is capable of replacing standard small signal MOSFETs while providing at least a 60% reduction in footprint size.

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This 90 mΩ, 30 V N-Channel FemtoFET™ MOSFET technology is designed and optimized to minimize the footprint in many handheld and mobile applications. This technology is capable of replacing standard small signal MOSFETs while providing at least a 60% reduction in footprint size.

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기술 자료

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Application brief Tips for Successfully Paralleling Power MOSFETs PDF | HTML 2022. 5. 31
기술 문서 What type of ESD protection does your MOSFET include? PDF | HTML 2020. 6. 22
설계 가이드 FemtoFET Surface Mount Guide (Rev. D) 2016. 7. 7
애플리케이션 노트 Ringing Reduction Techniques for NexFET High Performance MOSFETs 2011. 11. 16

설계 및 개발

추가 조건 또는 필수 리소스는 사용 가능한 경우 아래 제목을 클릭하여 세부 정보 페이지를 확인하세요.

평가 보드

CSD1FNCHEVM-889 — FemtoFET N-채널 평가 모듈

이 FemtoFET N-채널 평가 모듈(EVM)에는 7개의 도터 카드가 포함되어 있으며, 각 카드에는 다른 FemtoFET N-채널 부품 번호가 포함되어 있습니다.  도터 카드를 사용하면 엔지니어가 손쉽게 이러한 작은 디바이스를 연결하고 테스트할 수 있습니다.  12V~60V VDS의 7개 FemtoFET 범위는 장치가 F3(0.6x0.7mm), F4(0.6x1.0mm) 및 F5(0.8x1.5mm)입니다.

사용 설명서: PDF
지원되는 제품 및 하드웨어
재고 있음
제한:
??asset.out-of-stock-ti_ko_KR??
이용할 수 없음
지원 소프트웨어

LOAD-SWITCH-FET-LOSS-CALC — Power Loss Calculation Tool for Load Switch

크기, 비용 및 성능을 신속하게 절충하여 애플리케이션 조건에 따라 최적의 MOSFET을 선택합니다.
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NONSYNC-BOOST-FET-LOSS-CALC — NONSYNC BOOST FET LOSS Calculator

MOSFET power loss calculator for non-synchronous boost converter
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주문 및 품질

권장 제품에는 본 TI 제품과 관련된 매개 변수, 평가 모듈 또는 레퍼런스 디자인이 있을 수 있습니다.

지원 및 교육

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