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CSD17381F4

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30V, N 채널 NexFET™ 전원 MOSFET, 싱글 LGA 1mm x 0.6 mm, 117mOhm, 게이트 ESD 보호

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제품 상세 정보

VDS (V) 30 VGS (V) 12 Type N-channel Configuration Single Rds(on) at VGS=10 V (max) (mΩ) 109 Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 117 Rds(on) at VGS=2.5 V (max) (mΩ) 143 VGSTH typ (typ) (V) 0.85 QG (typ) (nC) 1.04 QGD (typ) (nC) 0.133 QGS (typ) (nC) 0.226 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 3.1 ID - package limited (A) 3.1 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
VDS (V) 30 VGS (V) 12 Type N-channel Configuration Single Rds(on) at VGS=10 V (max) (mΩ) 109 Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 117 Rds(on) at VGS=2.5 V (max) (mΩ) 143 VGSTH typ (typ) (V) 0.85 QG (typ) (nC) 1.04 QGD (typ) (nC) 0.133 QGS (typ) (nC) 0.226 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 3.1 ID - package limited (A) 3.1 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
PICOSTAR (YJC) 3 0.657225 mm² 1.035 x 0.635
  • Ultra-low on-resistance
  • Ultra-low Qg and Qgd
  • Low threshold voltage
  • Ultra-small footprint (0402 case size)
    • 1.0 mm × 0.6 mm
  • Ultra-low profile
    • 0.36 mm height
  • Integrated ESD protection diode
    • Rated >4 kV HBM
    • Rated >2 kV CDM
  • Lead and halogen free
  • RoHS compliant
  • Ultra-low on-resistance
  • Ultra-low Qg and Qgd
  • Low threshold voltage
  • Ultra-small footprint (0402 case size)
    • 1.0 mm × 0.6 mm
  • Ultra-low profile
    • 0.36 mm height
  • Integrated ESD protection diode
    • Rated >4 kV HBM
    • Rated >2 kV CDM
  • Lead and halogen free
  • RoHS compliant

This 90 mΩ, 30 V N-Channel FemtoFET™ MOSFET technology is designed and optimized to minimize the footprint in many handheld and mobile applications. This technology is capable of replacing standard small signal MOSFETs while providing at least a 60% reduction in footprint size.

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This 90 mΩ, 30 V N-Channel FemtoFET™ MOSFET technology is designed and optimized to minimize the footprint in many handheld and mobile applications. This technology is capable of replacing standard small signal MOSFETs while providing at least a 60% reduction in footprint size.

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기술 자료

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More literature WCSP Handling Guide 2019/11/07
Design guide FemtoFET Surface Mount Guide (Rev. D) 2016/07/07
Application note Ringing Reduction Techniques for NexFET High Performance MOSFETs 2011/11/16

설계 및 개발

추가 조건 또는 필수 리소스는 사용 가능한 경우 아래 제목을 클릭하여 세부 정보 페이지를 확인하세요.

평가 보드

CSD1FNCHEVM-889 — FemtoFET N-채널 평가 모듈

이 FemtoFET N-채널 평가 모듈(EVM)에는 7개의 도터 카드가 포함되어 있으며, 각 카드에는 다른 FemtoFET N-채널 부품 번호가 포함되어 있습니다.  도터 카드를 사용하면 엔지니어가 손쉽게 이러한 작은 디바이스를 연결하고 테스트할 수 있습니다.  12V~60V VDS의 7개 FemtoFET 범위는 장치가 F3(0.6x0.7mm), F4(0.6x1.0mm) 및 F5(0.8x1.5mm)입니다.

사용 설명서: PDF
TI.com에서 구매할 수 없음
지원 소프트웨어

LOAD-SWITCH-FET-LOSS-CALC — Power Loss Calculation Tool for Load Switch

Quickly trade off size, cost and performance to select the optimal MOSFET based on application conditions.
지원되는 제품 및 하드웨어

지원되는 제품 및 하드웨어
다운로드
지원 소프트웨어

NONSYNC-BOOST-FET-LOSS-CALC — NONSYNC BOOST FET LOSS Calculator

MOSFET power loss calculator for non-synchronous boost converter
지원되는 제품 및 하드웨어

지원되는 제품 및 하드웨어
다운로드
시뮬레이션 모델

CSD17381F4 TINA-TI Spice Model

SLPM134.TSM (7 KB) - TINA-TI Spice Model
다운로드
시뮬레이션 모델

CSD17381F4 Unencrypted PSpice Model (Rev. A)

SLPM073A.ZIP (3 KB) - PSpice Model
다운로드
계산 툴

FET-SOA-CALC-SELECT — MOSFET SOA calculation and selection tool

Excel based FET SOA calculation and selection tool
지원되는 제품 및 하드웨어

지원되는 제품 및 하드웨어
다운로드
계산 툴

SYNC-BUCK-FET-LOSS-CALC — Power Loss Calculation Tool for Synchronous Buck Converter

Quickly trade off size, cost and performance to select the optimal MOSFET based on application conditions.
지원되는 제품 및 하드웨어

지원되는 제품 및 하드웨어
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레퍼런스 디자인

TIDA-01352 — 400W, 연속, 확장성, ±2.5~±150V, 프로그래머블 초음파 전원 공급 장치 레퍼런스 설계

TIDA-01352는 초음파 전송 회로에 전원을 공급하기 위한 디지털 프로그래머블 전원 공급 장치에 적합한 솔루션을 제공하여 모듈식 및 효율적인 전원 확장 기능을 제공합니다. 이 설계는 푸시-풀 토폴로지를 사용하여 HV(고전압) 및 LV(저전압) 또는 중간 전압 전원 공급 장치를 생성합니다. HV 레일은 ±50V~±150V까지 프로그래밍할 수 있고, LV 또는 MID 레일은 ±2.5V~±50V까지 프로그래밍할 수 있습니다. 이 전원 공급 장치는 각 레일에서 100W의 연속 전력을 제공할 수 있습니다. 프로그래밍 기능은 온보드, (...)
Design guide: PDF
회로도: PDF
패키지 핀 CAD 기호, 풋프린트 및 3D 모델
PICOSTAR (YJC) 3 Ultra Librarian
TI의 평가 항목에 대한 표준 약관이 적용됩니다.

주문 및 품질

포함된 정보:
  • RoHS
  • REACH
  • 디바이스 마킹
  • 납 마감/볼 재질
  • MSL 등급/피크 리플로우
  • MTBF/FIT 예측
  • 물질 성분
  • 인증 요약
  • 지속적인 신뢰성 모니터링
포함된 정보:
  • 팹 위치
  • 조립 위치

권장 제품에는 본 TI 제품과 관련된 매개 변수, 평가 모듈 또는 레퍼런스 디자인이 있을 수 있습니다.

지원 및 교육

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