전력 관리 MOSFET

CSD25501F3

활성

-20V, P 채널 NexFET ™ 전원 MOSFET, 싱글 LGA 0.6mm x 0.7mm, 76mOhm, 게이트 ESD 보호

제품 상세 정보

VDS (V) -20 VGS (V) -20 Type P-channel Configuration Single Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 76 Rds(on) at VGS=2.5 V (max) (mΩ) 125 VGSTH typ (typ) (V) -0.75 QG (typ) (nC) 1.02 QGD (typ) (nC) 0.09 QGS (typ) (nC) 0.45 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 3.6 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
VDS (V) -20 VGS (V) -20 Type P-channel Configuration Single Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 76 Rds(on) at VGS=2.5 V (max) (mΩ) 125 VGSTH typ (typ) (V) -0.75 QG (typ) (nC) 1.02 QGD (typ) (nC) 0.09 QGS (typ) (nC) 0.45 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 3.6 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
PICOSTAR (YJN) 3 0.414 mm² 0.69 x 0.6
  • Low on-resistance
  • Ultra-low Qg and Qgd
  • Ultra-small footprint
    • 0.7mm × 0.6mm
  • Low profile
    • 0.22mm max height
  • Integrated ESD protection diode
  • Lead and halogen free
  • RoHS compliant
  • Low on-resistance
  • Ultra-low Qg and Qgd
  • Ultra-small footprint
    • 0.7mm × 0.6mm
  • Low profile
    • 0.22mm max height
  • Integrated ESD protection diode
  • Lead and halogen free
  • RoHS compliant

This –20V, 64mΩ, P-Channel FemtoFET™ MOSFET is designed and optimized to minimize the footprint in many handheld and mobile applications. This technology is capable of replacing standard small signal MOSFETs while providing a substantial reduction in footprint size. The integrated 10kΩ clamp resistor (RC) allows the gate voltage (VGS) to be operated above the maximum internal gate oxide value of –6V, depending on duty cycle. The gate leakage (IGSS) through the diode increases as VGS is increased above –6V.

This –20V, 64mΩ, P-Channel FemtoFET™ MOSFET is designed and optimized to minimize the footprint in many handheld and mobile applications. This technology is capable of replacing standard small signal MOSFETs while providing a substantial reduction in footprint size. The integrated 10kΩ clamp resistor (RC) allows the gate voltage (VGS) to be operated above the maximum internal gate oxide value of –6V, depending on duty cycle. The gate leakage (IGSS) through the diode increases as VGS is increased above –6V.

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기술 자료

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* Data sheet CSD25501F3 –20V P-Channel FemtoFET™ MOSFET datasheet (Rev. C) PDF | HTML 2024/06/24
Application brief Estimating Leakage Currents of Power MOSFETs PDF | HTML 2025/10/31
Application note MOSFET Support and Training Tools (Rev. G) PDF | HTML 2025/10/27
Application note Semiconductor and IC Package Thermal Metrics (Rev. D) PDF | HTML 2024/03/25
Application note Using MOSFET Transient Thermal Impedance Curves In Your Design PDF | HTML 2023/12/18
Application note Solving Assembly Issues with Chip Scale Power MOSFETs PDF | HTML 2023/12/14
Application note Using MOSFET Safe Operating Area Curves in Your Design PDF | HTML 2023/03/13
Application brief Tips for Successfully Paralleling Power MOSFETs PDF | HTML 2022/05/31
More literature WCSP Handling Guide 2019/11/07
Design guide FemtoFET Surface Mount Guide (Rev. D) 2016/07/07

설계 및 개발

추가 조건 또는 필수 리소스는 사용 가능한 경우 아래 제목을 클릭하여 세부 정보 페이지를 확인하세요.

지원 소프트웨어

LOAD-SWITCH-FET-LOSS-CALC Power Loss Calculation Tool for Load Switch

Quickly trade off size, cost and performance to select the optimal MOSFET based on application conditions.
지원되는 제품 및 하드웨어

지원되는 제품 및 하드웨어

시뮬레이션 모델

CSD25501F3 Unencrypted PSpice Model (Rev. A)

SLPM337A.ZIP (4 KB) - PSpice Model
레퍼런스 디자인

TIDA-010070 — 저전압 서보 드라이브를 위한 보호 DC-버스 입력 전원 및 제어 전원 공급 장치 레퍼런스 설계

이 레퍼런스 설계는 오링 컨트롤러인 LM5050-1을 사용하여 역방향 극성 및 역전류 방지를 제공합니다. 이와 함께 LM5069 핫 스왑 컨트롤러는 과전류, 과전압, 저전압 보호 및 돌입 전류 제한에 사용됩니다. 또한 이 설계에는 게이트 드라이브, 인코더 및 MCU 회로를 포함한 제어 전자 장치를 위한 전원 레일도 있습니다.
Design guide: PDF
회로도: PDF
패키지 CAD 기호, 풋프린트 및 3D 모델
PICOSTAR (YJN) 3 Ultra Librarian

주문 및 품질

포함된 정보:
  • RoHS
  • REACH
  • 디바이스 마킹
  • 납 마감/볼 재질
  • MSL 등급/피크 리플로우
  • MTBF/FIT 예측
  • 물질 성분
  • 인증 요약
  • 지속적인 신뢰성 모니터링
포함된 정보:
  • 팹 위치
  • 조립 위치

권장 제품에는 본 TI 제품과 관련된 매개 변수, 평가 모듈 또는 레퍼런스 디자인이 있을 수 있습니다.

지원 및 교육

TI 엔지니어의 기술 지원을 받을 수 있는 TI E2E™ 포럼

콘텐츠는 TI 및 커뮤니티 기고자에 의해 "있는 그대로" 제공되며 TI의 사양으로 간주되지 않습니다. 사용 약관을 참조하십시오.

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