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CSD25480F3

활성

-20V, P 채널 NexFET™ 전원 MOSFET, 싱글 LGA 0.6mm x 0.7mm, 159mOhm, 게이트 ESD 보호

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제품 상세 정보

VDS (V) -20 VGS (V) -12 Type P-channel Configuration Single Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 159 Rds(on) at VGS=2.5 V (max) (mΩ) 260 VGSTH typ (typ) (V) -0.95 QG (typ) (nC) 0.7 QGD (typ) (nC) 0.1 QGS (typ) (nC) 0.26 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 1.7 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
VDS (V) -20 VGS (V) -12 Type P-channel Configuration Single Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 159 Rds(on) at VGS=2.5 V (max) (mΩ) 260 VGSTH typ (typ) (V) -0.95 QG (typ) (nC) 0.7 QGD (typ) (nC) 0.1 QGS (typ) (nC) 0.26 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 1.7 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
PICOSTAR (YJM) 3 0.414 mm² 0.69 x 0.6
  • Low on-resistance
  • Ultra-low Qg and Qgd
  • Ultra-small footprint
    • 0.73 mm × 0.64 mm
  • Low profile
    • 0.36-mm max height
  • Integrated ESD protection diode
  • Lead and halogen free
  • RoHS compliant
  • Low on-resistance
  • Ultra-low Qg and Qgd
  • Ultra-small footprint
    • 0.73 mm × 0.64 mm
  • Low profile
    • 0.36-mm max height
  • Integrated ESD protection diode
  • Lead and halogen free
  • RoHS compliant

This –20-V, 110-mΩ, P-Channel FemtoFET™ MOSFET is designed and optimized to minimize the footprint in many handheld and mobile applications. This technology is capable of replacing standard small signal MOSFETs while providing a substantial reduction in footprint size.

This –20-V, 110-mΩ, P-Channel FemtoFET™ MOSFET is designed and optimized to minimize the footprint in many handheld and mobile applications. This technology is capable of replacing standard small signal MOSFETs while providing a substantial reduction in footprint size.
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기술 자료

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* Data sheet CSD25480F3 –20-V P-Channel FemtoFET MOSFET datasheet (Rev. B) PDF | HTML 2021/09/08
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설계 및 개발

추가 조건 또는 필수 리소스는 사용 가능한 경우 아래 제목을 클릭하여 세부 정보 페이지를 확인하세요.

평가 보드

CSD1FPCHEVM-890 — FemtoFET P-채널 평가 모듈

이 FemtoFET P-채널 EVM에는 6개의 도터 카드가 포함되어 있으며, 각 카드에는 다른 FemtoFET P-채널 부품 번호가 포함되어 있습니다.  도터 카드를 사용하면 엔지니어가 손쉽게 이러한 작은 디바이스를 연결하고 테스트할 수 있습니다.  12V~20V VDS의 6개 FemtoFET 범위는 디바이스가 F3(0.6x0.7mm), F4(0.6x1.0mm) 및 F5(0.8x1.5mm)입니다.

사용 설명서: PDF
TI.com에서 구매할 수 없음
지원 소프트웨어

LOAD-SWITCH-FET-LOSS-CALC — Power Loss Calculation Tool for Load Switch

Quickly trade off size, cost and performance to select the optimal MOSFET based on application conditions.
지원되는 제품 및 하드웨어

지원되는 제품 및 하드웨어
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시뮬레이션 모델

CSD25480F3 TINA-TI Reference Design

SLPM322.TSC (1196 KB) - TINA-TI Reference Design
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시뮬레이션 모델

CSD25480F3 TINA-TI Spice Model

SLPM323.ZIP (9 KB) - TINA-TI Spice Model
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시뮬레이션 모델

CSD25480F3 Unencrypted PSpice Model (Rev. B)

SLPM178B.ZIP (3 KB) - PSpice Model
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레퍼런스 디자인

TIDA-050039 — 리튬 이온 배터리를 위한 단일 셀 태양광 패널의 에너지 하베스팅 레퍼런스 설계

TIDA-050039 레퍼런스 설계는 단일 셀 태양광 패널과 함께 완전 통합 동기 부스트 컨버터 TPS61089를 사용하여 리튬 이온 배터리를 충전하는 방법을 보여줍니다. 태양광 패널의 전력 전송을 최적화하기 위해 추가 MPP(최대 전력 지점) 샘플링 네트워크가 구현되어 입력 전압을 동적으로 제어합니다.
Design guide: PDF
회로도: PDF
패키지 핀 CAD 기호, 풋프린트 및 3D 모델
PICOSTAR (YJM) 3 Ultra Librarian
TI의 평가 항목에 대한 표준 약관이 적용됩니다.

주문 및 품질

포함된 정보:
  • RoHS
  • REACH
  • 디바이스 마킹
  • 납 마감/볼 재질
  • MSL 등급/피크 리플로우
  • MTBF/FIT 예측
  • 물질 성분
  • 인증 요약
  • 지속적인 신뢰성 모니터링
포함된 정보:
  • 팹 위치
  • 조립 위치

권장 제품에는 본 TI 제품과 관련된 매개 변수, 평가 모듈 또는 레퍼런스 디자인이 있을 수 있습니다.

지원 및 교육

TI 엔지니어의 기술 지원을 받을 수 있는 TI E2E™ 포럼

포럼 주제 모두 보기(영문)

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