CSD25480F3
- Low on-resistance
- Ultra-low Qg and Qgd
- Ultra-small footprint
- 0.73 mm × 0.64 mm
- Low profile
- 0.36-mm max height
- Integrated ESD protection diode
- Lead and halogen free
- RoHS compliant
This –20-V, 110-mΩ, P-Channel FemtoFET™ MOSFET is designed and optimized to minimize the footprint in many handheld and mobile applications. This technology is capable of replacing standard small signal MOSFETs while providing a substantial reduction in footprint size.
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비교 대상 장치와 동일한 기능을 지원하는 핀 대 핀
기술 자료
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13개 모두 보기 설계 및 개발
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평가 보드
CSD1FPCHEVM-890 — FemtoFET P-채널 평가 모듈
이 FemtoFET P-채널 EVM에는 6개의 도터 카드가 포함되어 있으며, 각 카드에는 다른 FemtoFET P-채널 부품 번호가 포함되어 있습니다. 도터 카드를 사용하면 엔지니어가 손쉽게 이러한 작은 디바이스를 연결하고 테스트할 수 있습니다. 12V~20V VDS의 6개 FemtoFET 범위는 디바이스가 F3(0.6x0.7mm), F4(0.6x1.0mm) 및 F5(0.8x1.5mm)입니다.
사용 설명서: PDF
지원 소프트웨어
Quickly trade off size, cost and performance to select the optimal MOSFET based on application conditions.
레퍼런스 디자인
TIDA-050039 — 리튬 이온 배터리를 위한 단일 셀 태양광 패널의 에너지 하베스팅 레퍼런스 설계
TIDA-050039 레퍼런스 설계는 단일 셀 태양광 패널과 함께 완전 통합 동기 부스트 컨버터 TPS61089를 사용하여 리튬 이온 배터리를 충전하는 방법을 보여줍니다. 태양광 패널의 전력 전송을 최적화하기 위해 추가 MPP(최대 전력 지점) 샘플링 네트워크가 구현되어 입력 전압을 동적으로 제어합니다.
| 패키지 | 핀 | CAD 기호, 풋프린트 및 3D 모델 |
|---|---|---|
| PICOSTAR (YJM) | 3 | Ultra Librarian |
주문 및 품질
포함된 정보:
- RoHS
- REACH
- 디바이스 마킹
- 납 마감/볼 재질
- MSL 등급/피크 리플로우
- MTBF/FIT 예측
- 물질 성분
- 인증 요약
- 지속적인 신뢰성 모니터링
포함된 정보:
- 팹 위치
- 조립 위치
권장 제품에는 본 TI 제품과 관련된 매개 변수, 평가 모듈 또는 레퍼런스 디자인이 있을 수 있습니다.